-
公开(公告)号：CN107359135A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201610302700.5
申请日：2016-05-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/683 , H01L23/66
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/66 , H01L2221/68386
Abstract: 一种太赫兹天线片上集成器件的转移键合结构的制备方法，包括步骤：(1)在一半绝缘衬底上依次制作缓冲层、阻挡层、n型GaAs层和GaAs低温层；(2)将所述GaAs低温层与一聚合物衬底键合；(3)剥离所述半绝缘衬底和缓冲层；(4)剥离所述阻挡层。还提供上述方法所制备的转移键合结构和包含该结构的片上集成器件。含上述结构的集成器件能降低太赫兹波损耗，提高利用效率，实现其对微量样品和液态样品检测。
-
公开(公告)号：CN108899379B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810727123.3
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 一种基于锑化物的可见光‑中红外探测器及其制备方法，所述可见光‑中红外探测器的各功能层从衬底沿外延生长方向依次是：衬底、缓冲层、中波通道欧姆接触层、中波通道吸收层、两个隧穿层、可见光通道吸收层、可见光通道欧姆接触层以及盖层。本发明的基于锑化物的可见光‑中红外探测器具有双吸收层结构，具有可见光波段响应高、结构简单、制备工艺简便的优势，满足了可见‑红外宽光谱探测器对可见光高响应的性能需求，为实现高性能的锑化物器件从可见光至中波红外宽光谱探测奠定了基础。
-
公开(公告)号：CN109802004B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201711153124.3
申请日：2017-11-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明公开了一种红外探测器光陷阱结构的制备方法，通过干湿法刻蚀与腐蚀工艺结合，实现电子束曝光胶层、金属掩膜以及SiO2掩膜等多层掩膜之间的图形相互转移，最终将光陷阱结构较高精度地转移至红外材料层。本发明提供的方法可以在红外探测器上实现小尺寸光陷阱结构的制备。通过本发明提供的方法制备的红外探测器光陷阱结构可以增加红外探测器材料对光的吸收，实现红外探测器对可见光及红外光的探测，提高了宽谱探测器的响应度、量子效应以及探测率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109524499A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710843846.5
申请日：2017-09-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0236
Abstract: 一种可见光拓展的中波红外探测器单元器件及其制备方法。其中，制备方法包括：在衬底上形成外延层，所述外延层包括吸收层；在吸收层上形成光陷阱，所述光陷阱底部位于吸收层内；刻蚀部分外延层以形成台面；在台面侧壁上形成电离膜，电离膜上形成氧化硅或氮化硅膜。本发明的制备方法，光陷阱结构的加入可增强探测器对光的吸收，减少体积填充比，降低扩散电流。
-
公开(公告)号：CN109802004A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201711153124.3
申请日：2017-11-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明公开了一种红外探测器光陷阱结构的制备方法，通过干湿法刻蚀与腐蚀工艺结合，实现电子束曝光胶层、金属掩膜以及SiO2掩膜等多层掩膜之间的图形相互转移，最终将光陷阱结构较高精度地转移至红外材料层。本发明提供的方法可以在红外探测器上实现小尺寸光陷阱结构的制备。通过本发明提供的方法制备的红外探测器光陷阱结构可以增加红外探测器材料对光的吸收，实现红外探测器对可见光及红外光的探测，提高了宽谱探测器的响应度、量子效应以及探测率。
-
公开(公告)号：CN108899379A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810727123.3
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 一种基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法，所述可见光-中红外探测器的各功能层从衬底沿外延生长方向依次是：衬底、缓冲层、中波通道欧姆接触层、中波通道吸收层、两个隧穿层、可见光通道吸收层、可见光通道欧姆接触层以及盖层。本发明的基于锑化物的可见光-中红外探测器具有双吸收层结构，具有可见光波段响应高、结构简单、制备工艺简便的优势，满足了可见-红外宽光谱探测器对可见光高响应的性能需求，为实现高性能的锑化物器件从可见光至中波红外宽光谱探测奠定了基础。
-
公开(公告)号：CN107170847A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710345574.6
申请日：2017-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/1844
Abstract: 本发明提供了一种基于AlInAsSb体材料作倍增区的雪崩光电二极管，包括：衬底；缓冲层，外延于衬底之上；N型欧姆接触层，外延于缓冲层之上且横截面为“凸”的形状，其下半部分与衬底的形状一致，其上半部分为圆柱状；雪崩倍增层，外延于N型欧姆接触层的上半部分上表面之上，由AlxIn1‑xAsySb1‑y体材料制备，掺杂浓度小于1016cm‑3，x的取值范围为：0≤x≤1，y的取值范围为：0.08≤y≤1；P型电荷层，外延于雪崩倍增层之上；光吸收层，外延于P型电荷层之上；以及P型欧姆接触层，外延于光吸收层之上。该雪崩光电二极管具有低噪声、高增益‑带宽积的优点，同时有效降低了暗电流，既满足了光电探测器高灵敏度的需求，又实现了能带工程的设计，拓宽了其适用范围。
-
公开(公告)号：CN105589119A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610110101.3
申请日：2016-02-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B5/08
CPC classification number: G02B5/0816
Abstract: 本发明提供一种带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结构及制备方法，其中带有DBR层的太赫兹光电导天线的外延结构，包括：一半绝缘衬底；一缓冲层，其制作在半绝缘衬底上；一DBR结构，其制作在缓冲层上；一低温层，其制作在DBR结构上。本发明通过增加并改变DBR结构材料的组成以及重复的周期数，从而提高外延层对光的吸收效率，提高太赫兹天线的辐射性能。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.029 seconds)
