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公开(公告)号：CN114678264A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210220200.2
申请日：2022-03-08
申请人： 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/324
摘要： 本发明提供一种硅基III‑V族半导体材料的制备方法，该方法包括在硅衬底上至少两次重复生长以弱关联晶化为特征的III‑V族半导体基本外延结构单元。每个基本外延结构单元自下而上都包括低温层、中温层和高温层三层，且在高温层生长过程中须插入热循环退火。该方法使得低温层的顶部与底部区域实现彼此弱关联的晶化，同时使得高温层连同中温层的顶部区域与中温层底部区域实现彼此弱关联的晶态纯化，从而实现高温层晶体质量的优化。基于类似的机理，该基本外延结构单元的重复生长可进一步提高目标外延层(即完整结构顶部外延层)的晶体质量。采用本方法可制备穿透位错密度极低的硅基III‑V族半导体材料。
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公开(公告)号：CN113284790A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110448871.X
申请日：2021-04-25
申请人： 中国科学院半导体研究所 , 北京邮电大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种抑制反相畴与穿透位错生成的硅基III‑V族材料外延方法。该方法包括：A)硅衬底清洗：采用强氧化性的化学试剂或等离子体对硅衬底进行清洗，强化硅衬底表面奇数原子台阶处和偶数原子台阶处化学性质的差异；B)硅衬底热处理：在低于常规温度或在常规温度下对步骤A)清洗后的硅衬底实施热处理；C)硅衬底上外延生长：在经步骤B)热处理后的硅衬底上进行III‑V族材料外延生长。本发明提供的方法能够抑制硅基III‑V族材料外延中反相畴与穿透位错生成，具有操作简便、实用性高的特点。
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公开(公告)号：CN113284790B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110448871.X
申请日：2021-04-25
申请人： 中国科学院半导体研究所 , 北京邮电大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种抑制反相畴与穿透位错生成的硅基III‑V族材料外延方法。该方法包括：A)硅衬底清洗：采用强氧化性的化学试剂或等离子体对硅衬底进行清洗，强化硅衬底表面奇数原子台阶处和偶数原子台阶处化学性质的差异；B)硅衬底热处理：在低于常规温度或在常规温度下对步骤A)清洗后的硅衬底实施热处理；C)硅衬底上外延生长：在经步骤B)热处理后的硅衬底上进行III‑V族材料外延生长。本发明提供的方法能够抑制硅基III‑V族材料外延中反相畴与穿透位错生成，具有操作简便、实用性高的特点。
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公开(公告)号：CN117117626A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202211554220.X
申请日：2022-12-05
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01S5/0237 , H01S5/183 , H01S5/02315 , H01S5/02 , H01S5/065
摘要： 本发明提供了一种自锁模VECSEL锁模稳定的芯片封装装置、方法及控制方法，该封装装置包括：增益芯片，金属圆薄片，压力装置，所述压力装置设于所述金属圆薄片的下表面，用于产生压力使所述金属圆薄片和所述增益芯片发生形变，当所述增益芯片的表面形变焦距达到其中心形变的二分之一时，增益芯片非线性等效焦距增强，实现锁模稳定；其中，所述非线性等效焦距由所述增益芯片的表面形变自散焦焦距和其材料内部决定的非线性克尔透镜焦距组合成的微透镜组焦距来调节。该封装装置结构简单，操作方便，便于稳定自锁模脉冲的输出。该封装方法实现了低功率的状态下就能达到稳定的锁模，无需持续增加泵浦功率实现光强的增大达到稳定锁模状态。
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公开(公告)号：CN113049097A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110266423.8
申请日：2021-03-11
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 一种光功率测量装置，包括：微机电系统‑垂直腔面发射激光器、连接柱、受光平台、光谱分析模块和功率计算模块；微机电系统‑垂直腔面发射激光器包括外延结构和与外延结构连接的微机电‑布拉格反射镜；微机电‑布拉格反射镜通过连接柱与受光平台连接；受光平台受到入射激光的照射产生的辐射压力，辐射压力通过连接柱传送至微机电‑布拉格反射镜，以使得微机电‑布拉格反射镜发生位移；垂直腔面发射激光器产生的激射光透过微机电‑布拉格反射镜出射；光谱分析模块设置在激射光的光路上；光谱分析模块用于测量激射光的波长；功率计算模块与光谱分析模块电连接；功率计算模块用于根据激射光的波长计算入射激光的光功率。
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公开(公告)号：CN116598884A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310862146.6
申请日：2023-07-14
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01S5/0237 , H01S5/023 , H01S5/024
摘要： 本发明提供一种半导体激光器及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决焊接材料的浪费导致生产成本增加等问题，半导体激光器包括：热沉，热沉的表面形成有金属镀层；主体芯片，主体芯片的底部或主体芯片的底部和顶部设有焊接金属层，焊接金属层与金属镀层焊接固定，以将主体芯片封装于热沉上。由于通过将焊接材料设置在主体芯片的顶部和底部，因此，能够充分利用主体芯片表面的焊接材料实现焊接固定，不仅保证了焊接效果，而且避免了焊接材料的浪费，极大的降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN112202050A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011074105.3
申请日：2020-10-09
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/0233 , H01S5/024 , H01S5/026 , H01S5/06
摘要： 本发明提供一种激光功率可控的小型化VCSEL激光器，包括：VCSEL器件(6)，直接裸管，或与过渡支架(15)结合，形成VCSEL组件；光电探测器芯片(8)与控制电路芯片(7)组成集成芯片(12)，集成芯片(12)用于探测VCSEL器件(6)出射的光，并对VCSEL器件(6)光的输出进行调控；VCSEL组件、集成芯片混合集成组装于热沉(14)上，管帽(11)与之形成封装结构，组成一体化器件。本发明提供的激光器体积小、制备工序简便、便于组装至各种模块及装置装备中，可以实现激光功率一致的大面积阵列集成。
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公开(公告)号：CN118866657A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411002914.1
申请日：2024-07-25
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供了一种硅基III‑V族外延材料的制备方法，包括：对硅衬底的表面进行清洗和预处理，以清除表面杂质并平整硅衬底的表面；将预处理后的硅衬底置于特定环境下进行升温和退火；在退火后的硅衬底表面预沉积超薄插入层，在超薄插入层表面外延生长III‑V族体材料外延层，得到硅基III‑V族外延材料，对硅基III‑V族外延材料进行循环退火，实现超薄插入层对硅基III‑V族外延材料位错的二次过滤；在循环退火后的硅基III‑V族外延材料表面生长平整层，其中，通过清洗、预处理、升温和退火、预沉积超薄插入层、循环退火以及生长平整层共同作用来抑制外延过程中的反向畴和穿透位错。
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公开(公告)号：CN118367446A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410469350.6
申请日：2024-04-18
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制造方法、电子器件，该制造方法包括：在第一衬底上依次生长第二布拉格反射镜、有源层和第一布拉格反射镜；其中第一布拉格反射镜、有源层和第二布拉格反射镜被配置为沿垂直于有源层的方向自第一布拉格反射镜的一侧发射激光；在第一布拉格反射镜的背离有源层的出光面键合转移基板；去除第一衬底，以暴露出第二布拉格反射镜的背离有源层的一面；将第二衬底与第二布拉格反射镜键合；以及去除转移基板，以暴露出第一布拉格反射镜的出光面；其中，第二衬底的热导率大于第一衬底的热导率，第二衬底的热导率大于350W/(m·K)。
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公开(公告)号：CN113471812A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110754239.8
申请日：2021-07-02
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01S5/125
摘要： 本发明提供了一种增益器件，包括：顶保护层、窗口层、有源层和双波长分布式布拉格反射区，双波长分布式布拉格反射区包括第一分布式布拉格反射区和第二分布式布拉格反射区；窗口层设置在有源层上；有源层设置在第一分布式布拉格反射区或第二分布式布拉格反射区上，用于吸收通过窗口层的泵浦光的能量并发射激光；第一分布式布拉格反射区用于改变经过有源层后的泵浦光的传播方向，并将传播方向改变后的泵浦光反射至有源层，第二分布式布拉格反射区用于改变依次经过窗口层和有源层后的第一反射激光的传播方向，并将传播方向改变后的第一反射激光反射至有源层。本发明还提供了一种半导体激光器和半导体激光器的制作方法。
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