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公开(公告)号：CN113284790B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110448871.X
申请日：2021-04-25
申请人： 中国科学院半导体研究所 , 北京邮电大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种抑制反相畴与穿透位错生成的硅基III‑V族材料外延方法。该方法包括：A)硅衬底清洗：采用强氧化性的化学试剂或等离子体对硅衬底进行清洗，强化硅衬底表面奇数原子台阶处和偶数原子台阶处化学性质的差异；B)硅衬底热处理：在低于常规温度或在常规温度下对步骤A)清洗后的硅衬底实施热处理；C)硅衬底上外延生长：在经步骤B)热处理后的硅衬底上进行III‑V族材料外延生长。本发明提供的方法能够抑制硅基III‑V族材料外延中反相畴与穿透位错生成，具有操作简便、实用性高的特点。
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公开(公告)号：CN113284790A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110448871.X
申请日：2021-04-25
申请人： 中国科学院半导体研究所 , 北京邮电大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种抑制反相畴与穿透位错生成的硅基III‑V族材料外延方法。该方法包括：A)硅衬底清洗：采用强氧化性的化学试剂或等离子体对硅衬底进行清洗，强化硅衬底表面奇数原子台阶处和偶数原子台阶处化学性质的差异；B)硅衬底热处理：在低于常规温度或在常规温度下对步骤A)清洗后的硅衬底实施热处理；C)硅衬底上外延生长：在经步骤B)热处理后的硅衬底上进行III‑V族材料外延生长。本发明提供的方法能够抑制硅基III‑V族材料外延中反相畴与穿透位错生成，具有操作简便、实用性高的特点。
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公开(公告)号：CN1328347A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN01120078.2
申请日：2001-07-11
申请人： 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明涉及一种特殊的具有平顶和陡边响应的半导体光电探测器及实现方法。本发明半导体光电探测器具有多个高反射镜和由多个高反射镜构成的多个腔,由多个高反射镜构成的多个腔的光学长度都为或者近似为工作中心波长的一半的整数倍。由多个高反射镜构成的多个腔中的某一个腔中有薄吸收层,用来进行光电转换,即把光信号转换为电信号。本发明的结构的探测器可以获得平顶徒边的响应曲线,同时获得高的响应度和高的响应速度。
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公开(公告)号：CN1165086C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01120078.2
申请日：2001-07-11
申请人： 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明涉及一种特殊的具有平顶和陡边响应的半导体光电探测器及实现方法。本发明半导体光电探测器具有多个高反射镜和由多个高反射镜构成的多个腔，由多个高反射镜构成的多个腔的光学长度都为或者近似为工作中心波长的一半的整数倍。由多个高反射镜构成的多个腔中的某一个腔中有薄吸收层，用来进行光电转换，即把光信号转换为电信号。本发明的结构的探测器可以获得平顶徒边的响应曲线，同时获得高的响应度和高的响应速度。
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公开(公告)号：CN114678264A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210220200.2
申请日：2022-03-08
申请人： 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/324
摘要： 本发明提供一种硅基III‑V族半导体材料的制备方法，该方法包括在硅衬底上至少两次重复生长以弱关联晶化为特征的III‑V族半导体基本外延结构单元。每个基本外延结构单元自下而上都包括低温层、中温层和高温层三层，且在高温层生长过程中须插入热循环退火。该方法使得低温层的顶部与底部区域实现彼此弱关联的晶化，同时使得高温层连同中温层的顶部区域与中温层底部区域实现彼此弱关联的晶态纯化，从而实现高温层晶体质量的优化。基于类似的机理，该基本外延结构单元的重复生长可进一步提高目标外延层(即完整结构顶部外延层)的晶体质量。采用本方法可制备穿透位错密度极低的硅基III‑V族半导体材料。
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公开(公告)号：CN2492945Y
公开(公告)日：2002-05-22
申请号：CN01229462.4
申请日：2001-07-11
申请人： 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
摘要： 本实用新型涉及一种特殊的具有平顶和陡边响应的半导体光电探测器。本实用新型半导体光电探测器具有多个高反射镜和由多个高反射镜构成的多个腔,由多个高反射镜构成的多个腔的光学长度都为或者近似为工作中心波长的一半的整数倍。由多个高反射镜构成的多个腔中的某一个腔中有薄吸收层,用来进行光电转换,即把光信号转换为电信号。本实用新型的结构的探测器可以获得平顶徒边的响应曲线,同时获得高的响应度和高的响应速度。
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公开(公告)号：CN117855860A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410051768.5
申请日：2024-01-15
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种挖洞人工磁导体及半波偶极子天线，属于天线领域，按照不同挖洞孔径大小实现对人工磁导体阵列的非周期排列，通过改变人工磁导体的衬底结构，提升人工磁导体的同相反射带宽，并且利用人工磁导体单元的孔径大小对反射相位的影响设计非周期的人工磁导体阵列，提升天线的增益和带宽，与传统的半波偶极子天线以及加载周期结构的普通人工磁导体偶极子天线相比，本非周期性挖洞人工磁导体半波偶极子天线带宽更宽，增益更大。
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公开(公告)号：CN115084291A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210519181.3
申请日：2022-05-12
申请人： 北京邮电大学
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种倒置型光探测器及制备方法，包括自下而上的P型衬底层、P型接触层、掺杂吸收层、本征吸收层、过渡层、N型收集层、N型接触层，其中，所述掺杂吸收层的掺杂浓度沿着自横向中心至横向边缘的方向阶梯式降低。本发明提供的倒置型光探测器及制备方法，掺杂吸收层的掺杂浓度沿着自横向中心至横向边缘的方向阶梯式降低。该横向掺杂分布使得光探测器台面边缘的耗尽区域比光敏面中心的耗尽区域长，可以实现光生载流子的同步输运，缓解了限制高速响应的问题。
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公开(公告)号：CN114036816A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111574701.2
申请日：2021-12-21
申请人： 北京邮电大学
IPC分类号： G06F30/25 , G06N3/12 , G06F111/06
摘要： 本发明提供一种光栅设计方法、光栅及探测器集成结构，其中方法包括：获取设计参数；将所述设计参数输入至光栅设计模型，获取所述光栅设计模型输出的光栅结构，其中，所述光栅设计模型是基于台阶式粒子群算法构建的。本发明提供一种亚波长光栅，采用上述光栅设计方法得到。本发明提供一种探测器集成结构，包括探测器和光栅，所述探测器和所述光栅单片集成，所述光栅是上述光栅设计方法得到的。本发明提供的光栅设计方法基于台阶式粒子群算法，通过电场场强调节对光栅结构进行设计，实现了对具有汇聚增强功能的非周期亚波长光栅进行设计。本发明提供的亚波长光栅具有汇聚增强功能。
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公开(公告)号：CN110544732B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201910807033.X
申请日：2019-08-29
申请人： 北京邮电大学 , 河北光森电子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/109
摘要： 本发明实施例提供一种单行载流子光电二极管，该单行载流子光电二极管通过将传统的收集区中的部分结构进行湿氮氧化工艺，获得部分氧化型收集区。由于经氧化工艺的部分结构形成的氧化物绝缘层的折射率较低，因此降低了单行载流子光电二极管的寄生结电容，减小了RC时间常数，由此提高了单行载流子光电二极管的响应速度。
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