公开(公告)号：CN118366866A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410263971.9

申请日：2024-03-07

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 杨涛 ,  刘浩琦 ,  张月 ,  卢一泓 ,  高建峰 ,  李俊峰 ,  罗军

IPC分类号： H01L21/443 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及一种改善钨金属栅均匀性的方法及晶体管的制备方法，以获得厚度更加一致的钨金属栅结构，提高器件的电学稳定性。一种改善钨金属栅均匀性的方法，其包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面设有绝缘层，所述绝缘层内设有多个栅极沟槽；在所述栅极沟槽内壁沉积栅介质层；利用ALD法在所述栅介质层表面沉积第一钨层，直至填充满所述栅极沟槽；利用CVD法在所述第一钨层表面沉积第二钨层；用同样的刻蚀条件依次回刻第二钨层和第一钨层，直至所述栅极沟槽内的钨与所述绝缘层齐平，最终得到钨金属栅。

公开(公告)号：CN118450704A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410487680.8

申请日：2024-04-22

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 许高博 ,  许子铭 ,  刘思源 ,  刘浩琦 ,  罗军

IPC分类号： H10B41/30 ,  H01L29/15

摘要： 本申请公开了一种存储器和电子设备，该存储器包括衬底以及沿远离衬底方向层叠设置的沟道层、阻挡层、浮栅、量子阱结构层和控制栅极，量子阱结构层包括沿远离衬底方向依次层叠设置的第一势垒层、第一量子阱层、第二势垒层、第二量子阱层和第三势垒层，第一量子阱层与第二量子阱层的厚度不同。本申请提供的存储器具有良好的非易失性且具有较低的功耗。