公开(公告)号：CN114724937A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202110008867.1

申请日：2021-01-05

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 单小婷 ,  赵发展 ,  孙昀 ,  王磊 ,  李博 ,  高见头 ,  罗家俊 ,  滕瑞

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01S5/00

摘要： 本发明公开了一种处理半导体激光器的方法，该方法包括：在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，以提高所述半导体激光器的调制带宽，其中，所述辐照源为粒子辐照源。通过在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，从而实现在不影响半导体激光器其他性能的情况下，以更为简单和低成本的方法，提高半导体激光器的调制带宽，有利于优化半导体激光器的动态性能。

公开(公告)号：CN114823889A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110111279.0

申请日：2021-01-27

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 王磊 ,  李博 ,  单小婷 ,  谷睿 ,  宿晓慧 ,  韩郑生 ,  滕瑞 ,  刘海南 ,  赵发展

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/15 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种半导体功率器件及其制作方法，所述方法包括：自底向上依次设置的衬底、缓冲层、超晶格结构、异质结结构，以及设置在所述异质结结构上的源极、漏极和栅极；其中，所述超晶格结构设置于所述缓冲层和所述异质结结构之间，以实现对辐射诱生的非平衡载流子的弛豫和阻挡。本发明公开的半导体功率器件及其制作方法用以解决现有技术中半导体功率器件抗SEB能力较弱的技术问题，实现了提高器件的抗SEB能力的技术效果。

公开(公告)号：CN114823890A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110116504.X

申请日：2021-01-28

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李博 ,  王磊 ,  谷睿 ,  单小婷 ,  张学文 ,  高见头 ,  宿晓慧 ,  韩郑生 ,  滕瑞 ,  刘海南 ,  赵发展

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种半导体功率器件及其制备方法，制备方法包括：在衬底一侧形成富集层，所述富集层包含有多个载流子复合中心；在所述富集层表面形成外延层，并在所述外延层表面形成电极。本发明可以实现GaNHEMT功率器件以及SiCMOSFET功率器件等半导体功率器件的抗SEB加固。

公开(公告)号：CN114823714A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110116781.0

申请日：2021-01-28

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 王磊 ,  单小婷 ,  李博 ,  张学文 ,  高见头 ,  韩郑生 ,  滕瑞 ,  刘海南 ,  赵发展

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/762

摘要： 本发明公开了一种单片异质集成结构及制备方法，所述结构，包括：自底向上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、化合物半导体层、氧化层及硅层；所述硅层为晶格为100面的硅，以便于在所述硅层上制备器件和电路。在硅层和化合物层之间设置氧化层，可以提高抗信号串扰和抗辐照的能力。所以，解决了现有技术中单片异质集成结构中在Si基晶圆制备器件和电路困难的技术问题，实现了便于半导体器件制备的技术效果。