公开(公告)号：CN114695613A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011634122.8

申请日：2020-12-31

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 谷睿 ,  王磊 ,  李博 ,  高见头 ,  赵发展 ,  韩郑生 ,  罗家俊 ,  滕瑞

IPC分类号： H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

摘要： 本发明公开了一种单光子源器件及其制备方法，通过设置电极层、单光子源层以及场发射微尖结构，其中，单光子源层为通过六方氮化硼材料形成的单光子源层，将单光子源层和场发射微尖结构键合，且场发射微尖结构的场发射区域覆盖所述单光子源层的发光中心，然后通过电极层施加电压，使得场发射微尖结构在电压作用下发射高能电子到单光子源层，使得所述单光子源层的发光中心发射光子，实现了能够在室温下运行的电泵浦的单光子源。

公开(公告)号：CN114823889A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110111279.0

申请日：2021-01-27

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 王磊 ,  李博 ,  单小婷 ,  谷睿 ,  宿晓慧 ,  韩郑生 ,  滕瑞 ,  刘海南 ,  赵发展

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/15 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种半导体功率器件及其制作方法，所述方法包括：自底向上依次设置的衬底、缓冲层、超晶格结构、异质结结构，以及设置在所述异质结结构上的源极、漏极和栅极；其中，所述超晶格结构设置于所述缓冲层和所述异质结结构之间，以实现对辐射诱生的非平衡载流子的弛豫和阻挡。本发明公开的半导体功率器件及其制作方法用以解决现有技术中半导体功率器件抗SEB能力较弱的技术问题，实现了提高器件的抗SEB能力的技术效果。

公开(公告)号：CN114823890A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110116504.X

申请日：2021-01-28

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李博 ,  王磊 ,  谷睿 ,  单小婷 ,  张学文 ,  高见头 ,  宿晓慧 ,  韩郑生 ,  滕瑞 ,  刘海南 ,  赵发展

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种半导体功率器件及其制备方法，制备方法包括：在衬底一侧形成富集层，所述富集层包含有多个载流子复合中心；在所述富集层表面形成外延层，并在所述外延层表面形成电极。本发明可以实现GaNHEMT功率器件以及SiCMOSFET功率器件等半导体功率器件的抗SEB加固。