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公开(公告)号：CN114839168A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110139360.X
申请日：2021-02-01
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本申请公开一种二次谐波测量方法及测量仪器，方法包括：获取第一光信号，所述第一光信号通过滤掉经过待测样品反射回来的反射基波光信号获得；获取第二光信号，所述第二光信号包括经过所述待测样品反射回来的反射基波光信号；根据所述第二光信号，提取膜厚信息光信号，所述膜厚信息光信号包括带有所述待测样品对应位置处的膜厚信息的光信号；将所述第一光信号去除掉所述膜厚信息光信号，得到所述待测样品对应位置处的缺陷二次谐波信号；对所述缺陷二次谐波信号进行缺陷参数提取，得到所述待测样品对应位置处的缺陷参数。能够解决膜厚的波动会影响二次谐波，从而影响二次谐波对于样品缺陷的表征，降低缺陷参数提取的精度的问题。
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公开(公告)号：CN114724937A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110008867.1
申请日：2021-01-05
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/268 , H01S5/00
摘要： 本发明公开了一种处理半导体激光器的方法，该方法包括：在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，以提高所述半导体激光器的调制带宽，其中，所述辐照源为粒子辐照源。通过在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，从而实现在不影响半导体激光器其他性能的情况下，以更为简单和低成本的方法，提高半导体激光器的调制带宽，有利于优化半导体激光器的动态性能。
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公开(公告)号：CN114823479A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110122523.3
申请日：2021-01-28
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种Si基SiC晶圆及其制备方法，该方法包括：提供第一衬底，在所述第一衬底上形成SiO2层；提供第二衬底，在所述第二衬底上形成SiC异质外延层；将所述SiO2层与所述SiC异质外延层连接；将所述第一衬底中除所述SiO2层和目标衬底层之外的区域从所述目标衬底层上剥离，以使剩余的部分形成Si基SiC晶圆，所述目标衬底层为紧靠所述SiO2层且具有预设厚度的硅层，由于本发明中是在SiO2层一侧形成该目标衬底层，使得剩余的硅片从该目标衬底层上完整剥离，不会对SiC异质外延层造成损伤，以使得该SiC异质外延层能够用于制备半导体分立器件，该目标衬底层用于制备集成电路，因此，可以实现Si基集成电路和化合物半导体分立器件的单片集成。
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公开(公告)号：CN114818581A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110110255.3
申请日：2021-01-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G06F30/39
摘要： 本发明提供一种三维单片集成电路单粒子效应的仿真方法及装置，方法包括：创建目标器件对应的三维单片集成电路模型；为每层电路结构模型创建对应的能量沉积模型；基于目标入射粒子对各能量沉积模型进行能量沉积仿真，获得各层电路结构模型对应的目标LET；基于目标入射粒子、各层电路结构模型对应的目标线性能量转移值对三维单片集成电路模型进行单粒子效应仿真；如此，对每层电路结构模型均创建对应的能量沉积模型，对各能量沉积模型进行能量沉积仿真，获得各层电路结构模型对应的目标LET，再对三维单片集成电路模型进行单粒子效应仿真，确保仿真结果精准，根据仿真结果对三维单片集成电路的结构及参数进行调整，提高电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN114818237A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110109498.5
申请日：2021-01-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种层间孔建模方法、抗单粒子效应分析方法及装置，所述三维单片集成电路包括：三维单片集成电路上层、三维单片集成电路下层、位于所述三维单片集成电路上层和所述三维单片集成电路下层之间的中间层电介质，所述中间层电介质中设置有层间孔，所述方法包括：确定所述层间孔的尺寸、所述层间孔材料的电阻率以及所述中间层电介质的属性；基于所述层间孔的尺寸及所述层间孔材料的电阻率，构建所述层间孔的寄生电阻模型；基于所述层间孔的尺寸及所述中间层电介质的属性，构建所述层间孔对应的寄生电容模型。
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公开(公告)号：CN114823889A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110111279.0
申请日：2021-01-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/15 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种半导体功率器件及其制作方法，所述方法包括：自底向上依次设置的衬底、缓冲层、超晶格结构、异质结结构，以及设置在所述异质结结构上的源极、漏极和栅极；其中，所述超晶格结构设置于所述缓冲层和所述异质结结构之间，以实现对辐射诱生的非平衡载流子的弛豫和阻挡。本发明公开的半导体功率器件及其制作方法用以解决现有技术中半导体功率器件抗SEB能力较弱的技术问题，实现了提高器件的抗SEB能力的技术效果。
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公开(公告)号：CN114823715A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110129641.7
申请日：2021-01-29
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及三维集成电路技术领域，具体涉及一种单片三维集成器件和单片三维集成电路。该单片三维集成器件中，配置层中设有一个或多个电子元件；第一埋氧层远离配置层的一侧还设置有金属‑氧化物半导体场效应MOSFET器件和配置层电极组；配置层电极组包括一个或多个电极；第一埋氧层中设有与一个或多个电极一一对应的导电通路；电极通过第一埋氧层中与其对应的导电通路连接配置层中与电极对应的电子元件的一端。本发明提供的单片三维集成器件采用单片堆叠方式，继承了SOI技术，提高了电路的集成度，同时单片三维集成器件设有两层埋氧层实现双层隔离，能够有效抑制衬底层对MOSFET器件的影响，从而提高了三维集成电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN114912334A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183057.X
申请日：2021-02-08
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G06F30/25
摘要： 本发明公开了一种单粒子翻转截面测试方法、装置、电子设备及存储介质，应用于三维集成静态随机存储器SRAM，所述方法包括：获取目标SRAM的结构模型，结构模型包括多个堆叠层；对结构模型进行粒子辐照仿真，得出入射粒子在结构模型中每个堆叠层沉积的能量及粒子电离半径，其中，粒子电离半径为粒子入射到每个堆叠层时产生的经迹的半径；再确定每个堆叠层的灵敏区大小；根据目标SRAM的结构模型和每个堆叠层的灵敏区大小，得到目标SRAM仿真模型；对目标SRAM仿真模型进行粒子辐照仿真，确定目标SRAM在粒子辐照下存在的翻转位数i，以及发生i位翻转的事件数量，基于翻转位数i以及发生i位翻转的事件数量，得到目标SRAM的单粒子翻转截面大小。
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公开(公告)号：CN114823890A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110116504.X
申请日：2021-01-28
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种半导体功率器件及其制备方法，制备方法包括：在衬底一侧形成富集层，所述富集层包含有多个载流子复合中心；在所述富集层表面形成外延层，并在所述外延层表面形成电极。本发明可以实现GaNHEMT功率器件以及SiCMOSFET功率器件等半导体功率器件的抗SEB加固。
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