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公开(公告)号：CN102487104B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010574100.7
申请日：2010-12-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法。该方法采用P离子注入诱导实现多量子阱能带混杂，包括以下过程：在进行III-V族外延时增加一层扩散缓冲层；生长一层氧化硅并进行标准光刻，刻蚀出注入窗口；进行P离子注入工艺；进行第一次快速退火后处理工艺，使注入区产生带隙波长的蓝移；利用标准光刻工艺，刻蚀掉部分区域的扩散缓冲层；进行第二次快速退火后处理工艺，使保留扩散缓冲层在原来的基础上再次产生带隙波长的蓝移，在具有相同量子阱结构的III-V族外延片上形成了具有三种不同带隙波长的区域。本发明为基于硅基异质光电集成技术的芯片内光互连系统中不同III-V族有源器件集成提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN102117820A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910312831.1
申请日：2009-12-31
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种硅基光电异质集成方法及硅基光电异质集成芯片，属于光电异质集成技术领域。所述方法包括：在硅晶片上设置硅基无源光子器件作为光信息传输通道；在III-V族晶片中设置CMOS微电子集成电路；在III-V族晶片上通过一次外延实现有源光子器件和CMOS微电子集成电路的有源区多层量子阱结构；采用整片的晶片键合工艺在硅晶片上键合III-V族晶片；在III-V族晶片中设置光耦合器。本发明在同一III-V族材料层中实现了微电子电路和有源光子器件的集成，为硅基光电异质集成芯片的研制和应用提供了可行性；本发明可广泛应用于研制下一代高密度、大容量、多功能的单片集成光电芯片。
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公开(公告)号：CN100394560C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410058037.6
申请日：2004-08-09
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/3205 , B32B15/01
摘要： 本发明涉及AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Au的合金系统。欧姆接触金属蒸发时采用五层结构的AlTiAlTiAu结构。与AlGaN接触的金属第一金属层为Al，然后顺次为次为Al/Ti/Al/Ti/Au。合金温度的范围为660℃-760℃，合金时间在20-60S的范围内。该技术的合金温度、合金时间有较大的选择范围，降低了工艺难度，扩大了工艺宽容度，提高了工艺的重复性。获得比较理想的合金形貌。
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公开(公告)号：CN114447765A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210087489.5
申请日：2022-01-25
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明公开一种能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片的制备方法及芯片，涉及半导体激光器技术领域。能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片的制备方法包括：采用垂直腔面发射激光器作为激光源；通过控制垂直腔面发射激光器的横向模式分布，制备具有不同激射模式的目标垂直腔面发射激光器作为目标激光源；在目标垂直腔面发射激光器表面集成圆锥透镜，以供圆锥透镜对目标激光源发出的光束进行相位调制，确定不同激射模式对应的贝塞尔光束，得到能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片，可以获得集成度高、体积小、重量轻、结构紧凑、能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片。
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公开(公告)号：CN112563884A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011424684.X
申请日：2020-12-08
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，其中，该垂直腔面发射激光器，按照预设方向，依次包括：衬底、缓冲层、N电极接触层、第一分布布拉格反射镜、第一包层、第一异质结限制层、有源区、第二异质结限制层、第二包层、氧化限制层、第二分布布拉格反射镜、P电极以及N电极，其中，有源区包括多个宽度不同的非均匀压缩应变量子阱；N电极接触层的掺杂浓度高于衬底和第一分布布拉格反射镜的掺杂浓度；N电极设置于N电极接触层上，形成N电极接触层的外延结构。通过该垂直腔面发射激光器的设计，可以实现器件的宽温域工作，且具有制备工艺简单、重复性好、成本低。
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公开(公告)号：CN102107852B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200910312160.9
申请日：2009-12-24
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种半导体纳米结构和制造方法及其应用，属于半导体材料制备技术领域。所述半导体纳米结构包括单晶硅衬底、介质薄膜、第一缓冲层、半导体籽晶材料、第二缓冲层和半导体纳米功能区；所述介质薄膜形成于所述单晶硅衬底上；所述单晶硅衬底上具有图形化窗口，所述第一缓冲层形成于所述图形化窗口中的单晶硅衬底上，所述半导体籽晶材料层形成于所述第一缓冲层上；所述第二缓冲层和半导体纳米功能区形成于所述介质薄膜上。本发明半导体纳米结构在硅衬底上集成生长时，其载流子迁移率、几何特征与异质结构都能满足高性能CMOS技术与硅基光电集成的要求。
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公开(公告)号：CN102117820B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910312831.1
申请日：2009-12-31
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种硅基光电异质集成方法及硅基光电异质集成芯片，属于光电异质集成技术领域。所述方法包括：在硅晶片上设置硅基无源光子器件作为光信息传输通道；在III-V族晶片中设置CMOS微电子集成电路；在III-V族晶片上通过一次外延实现有源光子器件和CMOS微电子集成电路的有源区多层量子阱结构；采用整片的晶片键合工艺在硅晶片上键合III-V族晶片；在III-V族晶片中设置光耦合器。本发明在同一III-V族材料层中实现了微电子电路和有源光子器件的集成，为硅基光电异质集成芯片的研制和应用提供了可行性；本发明可广泛应用于研制下一代高密度、大容量、多功能的单片集成光电芯片。
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公开(公告)号：CN102487024A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010574339.4
申请日：2010-12-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/762 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种采用三维排气孔装置的SOI/III-V整片晶片键合方法，属于硅基光电异质集成技术领域。该三维排气孔装置包括垂直排气孔和水平排气槽两部分组成，垂直排气孔呈圆柱形，深度穿透顶层硅直达埋氧层，它可以使键合过程中产生的H2O和H2气体通过疏松多孔的埋氧层被吸收和扩散。水平排气槽是与孔同心的有一个十字形浅槽，它作为水平的通气装置，起到收集气体，使其快速有效地通过排气孔被吸收和扩散。三维排气孔装置结构的采用大大降低键合界面上的因气泡产生的缺陷，可以有效提高晶片键合质量。
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公开(公告)号：CN101533128A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810239885.5
申请日：2008-12-19
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G02B6/26
摘要： 本发明涉及光集成芯片的耦合封装技术领域的一种硅纳米光波导与光纤的耦合封装方法。为了实现硅纳米光波导与光纤的高效光耦合与简便封装，本发明提供一种硅纳米光波导和光纤的耦合封装方法，利用倒锥型模斑转换器实现硅纳米光波导中的小尺寸模斑向光纤的大尺寸模斑转换，并利用V型光纤定位槽的自对准特性实现硅纳米光波导与光纤的对准耦合和简便封装。本发明中倒锥形模斑转换器高效、宽带光耦合特性和光模场尺寸转换能力与SOI衬底特性、V型光纤定位槽相结合，实现波导与光纤的精确中心对准和高效光耦合，且光纤的固定封装工艺简便，非常适用于实际生产应用。
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公开(公告)号：CN100485886C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200410058033.8
申请日：2004-08-09
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/3205 , B32B15/01
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au的欧姆接触系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au，欧姆接触系统在680℃-760℃的合金温度范围内，20-60S的合金时间范围获得理想的一致的欧姆接触。合金温度、合金时间有较大的的选择范围，降低了工艺难度，提高了工艺的重复性。获得到比较理想的合金形貌，降低了器件研制对设备的要求。这些技术方面的优势是现有其它欧姆接触技术所不具备的。
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