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公开(公告)号:CN110376272A
公开(公告)日:2019-10-25
申请号:CN201910507546.9
申请日:2019-06-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明涉及气体分压的在线测量装置及其在线测量方法,在线测量装置包括待测气源腔室,校准气源腔室,减压腔室,恒压腔室,真空计和质谱分析模块,其中第一进气阀门和减压腔室之间设有高压待测气体进样通道和中压待测气体进样通道,第一进气阀门和恒压腔室之间设有低压待测气体进样通道,第六进气阀门与减压腔室之间设有校准气体进样通道,减压腔室和恒压腔室之间设有气体流通通道,真空计用于测量上述四个腔室的真空度,质谱分析模块用于在线测量恒压腔室的气体;测量方法包括确定标样气体,洁净度检查,获取质谱计灵敏度,抽真空去除残余气体和气体分压的在线测量步骤。本发明的在线测量装置和方法,主要针对粗、低真空气体分析,根据待测气体压力而选择最优的进样通道,分压测量更加准确。
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公开(公告)号:CN109900356A
公开(公告)日:2019-06-18
申请号:CN201910202155.6
申请日:2019-03-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种关联成像方法及装置,方法包括:采用激光照射旋转的毛玻璃形成随机涨落光场,其中,该光场的光强通过求解激光与毛玻璃表面微纳结构的交互结果得到;使用随机涨落光场照明成像目标,形成携带有成像目标振幅和相位信息的光波;探测光波的光强,对随机涨落光场的光强及光波的光强进行关联计算以重建生成成像目标的图像。该方法及装置省去了分光镜与面阵探测器、数字微透镜阵列或者投影系统等复杂的光学模块,简化了成像系统的复杂度,提高了成像速度;直接通过麦克斯韦方程求解入射光波与毛玻璃表面微纳结构的交互结果,得到照明成像目标的随机涨落光场分布,提高了图像重建的分辨率;并且可实现亚波长结构成像,扩大了关联成像的使用范围。
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公开(公告)号:CN110879198B
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN201911171642.7
申请日:2019-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统,该系统包括极紫外光源腔室、光收集腔室、污染样品测试腔室,其中:极紫外光源腔室,用于发出辐照光;光收集腔室,用于将极紫外光源腔室发出的辐照光线反射聚焦进入污染样品测试腔室内;污染样品测试腔室,用于在光收集腔室传入的辐照光线的作用下,实现光刻胶受到极紫外光辐照时放气污染特性对系统部件性能影响的测试。本发明提供的极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统,结构简单,操作方便,不仅可以研究极紫外光刻胶放气特性还可用于光刻胶放气污染对系统部件性能的影响,从而可以更好的评估光刻胶的污染特性。
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公开(公告)号:CN110376272B
公开(公告)日:2022-02-08
申请号:CN201910507546.9
申请日:2019-06-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明涉及气体分压的在线测量装置及其在线测量方法,在线测量装置包括待测气源腔室,校准气源腔室,减压腔室,恒压腔室,真空计和质谱分析模块,其中第一进气阀门和减压腔室之间设有高压待测气体进样通道和中压待测气体进样通道,第一进气阀门和恒压腔室之间设有低压待测气体进样通道,第六进气阀门与减压腔室之间设有校准气体进样通道,减压腔室和恒压腔室之间设有气体流通通道,真空计用于测量上述四个腔室的真空度,质谱分析模块用于在线测量恒压腔室的气体;测量方法包括确定标样气体,洁净度检查,获取质谱计灵敏度,抽真空去除残余气体和气体分压的在线测量步骤。本发明的在线测量装置和方法,主要针对粗、低真空气体分析,根据待测气体压力而选择最优的进样通道,分压测量更加准确。
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公开(公告)号:CN110879198A
公开(公告)日:2020-03-13
申请号:CN201911171642.7
申请日:2019-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统,该系统包括极紫外光源腔室、光收集腔室、污染样品测试腔室,其中:极紫外光源腔室,用于发出辐照光;光收集腔室,用于将极紫外光源腔室发出的辐照光线反射聚焦进入污染样品测试腔室内;污染样品测试腔室,用于在光收集腔室传入的辐照光线的作用下,实现光刻胶受到极紫外光辐照时放气污染特性对系统部件性能影响的测试。本发明提供的极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统,结构简单,操作方便,不仅可以研究极紫外光刻胶放气特性还可用于光刻胶放气污染对系统部件性能的影响,从而可以更好的评估光刻胶的污染特性。
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公开(公告)号:CN110895192A
公开(公告)日:2020-03-20
申请号:CN201911171641.2
申请日:2019-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 一种极紫外光学元件性能参数测试系统,该系统包括极紫外光源腔室、光收集纯化腔室和测量腔室,其中:极紫外光源腔室,用于发出辐照光;光收集纯化腔室,用于对极紫外光源腔室发出的辐照光进行光谱纯化及聚焦,得到中心波长为13.5nm的极紫外光,并将极紫外光反射传输到测量腔室中;测量腔室,用于装载待测光学元件,使极紫外光照射到所述待测光学元件的表面,实现对待测光学元件特性参数的测试。本发明提供的极紫外光学元件性能参数测试系统,结构简单,操作方便,可以在不破坏真空环境条件下,实现极紫外探测器光谱响应率、反射镜反射率、滤光片透过率等光学元件的不同性能的测试。
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公开(公告)号:CN109900355B
公开(公告)日:2020-02-07
申请号:CN201910202151.8
申请日:2019-03-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种成像方法,应用于光学成像技术领域,包括:将激光照射旋转的毛玻璃形成随机涨落光场,使用该随机涨落光场照明成像目标,形成携带有成像目标振幅和相位信息的光波,并探测该光波的光强,然后,计算随机涨落光场中所有像素的光强值,当随机涨落光场中连续多个像素的光强值相同时,重建随机涨落光场,对重建后的随机涨落光场的光强和光波的光强进行关联计算,得到对重建后的随机涨落光场的光强和光波的光强的强度关联项,根据该强度关联项,生成成像目标的图像。本发明还公开了一种成像装置,提高了图像的重建速度及分辨率。
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公开(公告)号:CN109900356B
公开(公告)日:2021-07-27
申请号:CN201910202155.6
申请日:2019-03-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种关联成像方法及装置,方法包括:采用激光照射旋转的毛玻璃形成随机涨落光场,其中,该光场的光强通过求解激光与毛玻璃表面微纳结构的交互结果得到;使用随机涨落光场照明成像目标,形成携带有成像目标振幅和相位信息的光波;探测光波的光强,对随机涨落光场的光强及光波的光强进行关联计算以重建生成成像目标的图像。该方法及装置省去了分光镜与面阵探测器、数字微透镜阵列或者投影系统等复杂的光学模块,简化了成像系统的复杂度,提高了成像速度;直接通过麦克斯韦方程求解入射光波与毛玻璃表面微纳结构的交互结果,得到照明成像目标的随机涨落光场分布,提高了图像重建的分辨率;并且可实现亚波长结构成像,扩大了关联成像的使用范围。
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公开(公告)号:CN110879199A
公开(公告)日:2020-03-13
申请号:CN201911171755.7
申请日:2019-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种极紫外光辐照致材料氢脆的测试系统,该系统包括极紫外光源子系统、光路转换子系统和样品测试子系统,其中:极紫外光源子系统,用于发出辐照光;光路转换子系统,用于对极紫外光源子系统发出的辐照光进行反射和聚焦,将辐照光反射聚焦至样品测试子系统;样品测试子系统,用于装载待测样品并调节待测样品所处的位置,辐照光反射聚焦至样品测试子系统的焦点处后继续传播至待测样品的表面,实现对待测样品的检测。本发明提供的极紫外光辐照致氢脆测试系统通过极紫外光源子系统、光路转换子系统和样品测试子系统模拟了极紫外光刻机中的动态低压氢气环境,结构简单,便于实现在极紫外光辐照以及低压氢气环境中材料氢脆性能的试验。
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公开(公告)号:CN109752844B
公开(公告)日:2020-01-17
申请号:CN201910196450.5
申请日:2019-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于随机光强涨落的成像方法和系统,所述方法包括:光源(1)照射毛玻璃(2)并在所述毛玻璃(2)表面形成随机涨落光场,所述随机涨落光场照明成像目标(3)后被单像素探测器(4)收集,得到总光强;旋转N次所述毛玻璃(2),获取N个总光强值,其中N≥1;建立所述成像目标(3)的分布函数表达式,根据所述随机涨落光场、所述N个总光强值和所述分布函数表达式之间的预设关系,确定所述成像目标(3)的分布函数和位置信息;根据所述成像目标(3)的分布函数和位置信息,重建成像目标(3)的像。在无需获取随机涨落光场分布实际值的条件下,实现对成像目标的重建。
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