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公开(公告)号：CN109920759A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910108642.6
申请日：2019-02-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/78 , H01L21/3065 , B23K10/00 , B23K26/38
Abstract: 本申请提供了一种芯片的切割方法，该切割方法包括：采用激光在芯片背面的预定区域进行切割，得到切割凹槽；采用等离子体刻蚀法在芯片正面的预定区域进行刻蚀，得到多个芯片单元，其中，芯片正面的预定区域在芯片背面的投影与芯片背面的预定区域重合。该切割方法中，只从背面对芯片的部分厚度进行激光切割，激光切割产生的热量较少，对芯片的性能基本不会造成影响，对芯片的包括正面的部分厚度采用损伤更小的等离子体进行刻蚀，使得晶圆的有效利用面积增大，该方法避免只用激光切割法将芯片切割为多个单元切割芯片导致的芯片的性能发生改变甚至失效的问题，保证了切割形成的各个芯片单元的性能较好。
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公开(公告)号：CN107658215A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710880833.5
申请日：2017-09-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/046 , H01L29/1033 , H01L29/66068 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种碳化硅器件制作方法，其中包括：步骤一、提供N+-SiC衬底，在N+-SiC衬底上形成N--SiC外延层，在N--SiC外延层两端离子注入形成P阱；步骤二、在器件表面外延N型沟道层；步骤三、在器件两端进行离子注入，形成相邻的N+源区和P+源区；步骤四、在器件表面生长栅氧化层，在栅氧化层上方生长多晶硅层并进行刻蚀，得到栅电极；步骤五、在栅氧化层表面淀积层间介质并刻蚀层间介质以及栅氧化层，用于形成源电极与N+源区和P+源区的接触窗口；步骤六、在器件的正面和反面形成源电极和漏电极。本发明还提供一种碳化硅器件。本发明能够保证导电沟道深度，抑制注入工艺带来的接触界面粗糙，并且简化器件制备工艺流程。
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公开(公告)号：CN109920759B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201910108642.6
申请日：2019-02-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/78 , H01L21/3065 , B23K10/00 , B23K26/38
Abstract: 本申请提供了一种芯片的切割方法，该切割方法包括：采用激光在芯片背面的预定区域进行切割，得到切割凹槽；采用等离子体刻蚀法在芯片正面的预定区域进行刻蚀，得到多个芯片单元，其中，芯片正面的预定区域在芯片背面的投影与芯片背面的预定区域重合。该切割方法中，只从背面对芯片的部分厚度进行激光切割，激光切割产生的热量较少，对芯片的性能基本不会造成影响，对芯片的包括正面的部分厚度采用损伤更小的等离子体进行刻蚀，使得晶圆的有效利用面积增大，该方法避免只用激光切割法将芯片切割为多个单元切割芯片导致的芯片的性能发生改变甚至失效的问题，保证了切割形成的各个芯片单元的性能较好。
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公开(公告)号：CN107731905A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710881586.0
申请日：2017-09-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/40
CPC classification number: H01L29/404
Abstract: 本发明提供一种碳化硅功率器件终端结构，其中包括：N+-SiC衬底；位于N+-SiC衬底上的N--SiC外延层；位于N--SiC外延层上的P+型掺杂区，以及由部分P+型掺杂区刻蚀形成的刻蚀型JTE终端区域；在刻蚀型JTE终端区域上形成的场板结构；覆盖在刻蚀型JTE终端区域表面的钝化层；以及位于终端结构顶面的阳极和底面的阴极；其中，场板结构被包含在钝化层之中。本发明还提供一种碳化硅功率器件终端结构制作方法。本发明能够降低终端结构对台面刻蚀深度与钝化层界面电荷的敏感度，且工艺简单、工艺偏差容量大，能够提高器件的稳定性和可靠性。
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