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公开(公告)号：CN110739206B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201911021383.X
申请日：2019-10-25
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L29/10
摘要： 本发明实施例提供一种基板及其制备方法，涉及半导体领域，可使阻挡层中各个阻挡部的高度差减小，从而有利于后续形成栅极。一种基板的制备方法，包括：在衬底上形成包括多个绝缘条的第一绝缘层；所有绝缘条中宽度最小的绝缘条为第一绝缘条、其余绝缘条为第二绝缘条；在第一绝缘层背离衬底一侧形成刻蚀保护层；沿第二方向，刻蚀保护层露出至少部分第二绝缘条的一侧边沿；对第一绝缘层进行部分刻蚀；在第二绝缘层背离衬底一侧形成第三绝缘层；去除第二绝缘层，并依次在第三绝缘层背离衬底一侧沉积阻挡薄膜和辅助平坦薄膜；对辅助平坦薄膜进行刻蚀，形成辅助平坦层；利用辅助平坦层作为硬掩模，对阻挡薄膜进行刻蚀，形成阻挡层。
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公开(公告)号：CN111258172A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010068083.3
申请日：2020-01-21
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本申请公开一种用于制造显示面板的新型掩模版及其参数确定方法，该新型掩模版中，透光区域中包括衍射过渡区域，衍射过渡区域与遮光区域连接，衍射过渡区域中包括一组或多组间隔排列的过渡图形；过渡图形与透光区域和遮光区域相接的临界线平行；衍射过渡区域中被过渡图形覆盖的区域不透光。本申请在掩模版边缘的衍射过渡区域中设置不透光的过渡图形，过渡图形能增加掩模版的衍射区域宽度，调节多曝光区域的曝光量，使掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。通过增加过渡图形和边缘距离调整，达到较好的曝光剂量分布，同时还可以达到削弱设备步进精度3σ值对拼接影响的效果，提升了面板的显示效果。
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公开(公告)号：CN111258172B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010068083.3
申请日：2020-01-21
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本申请公开一种用于制造显示面板的新型掩模版及其参数确定方法，该新型掩模版中，透光区域中包括衍射过渡区域，衍射过渡区域与遮光区域连接，衍射过渡区域中包括一组或多组间隔排列的过渡图形；过渡图形与透光区域和遮光区域相接的临界线平行；衍射过渡区域中被过渡图形覆盖的区域不透光。本申请在掩模版边缘的衍射过渡区域中设置不透光的过渡图形，过渡图形能增加掩模版的衍射区域宽度，调节多曝光区域的曝光量，使掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。通过增加过渡图形和边缘距离调整，达到较好的曝光剂量分布，同时还可以达到削弱设备步进精度3σ值对拼接影响的效果，提升了面板的显示效果。
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公开(公告)号：CN111258171A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010068079.7
申请日：2020-01-21
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本申请公开一种用于制造显示面板的新型掩模版及其制备方法，该新型掩模版的透光区域中包括与遮光区域连接的多曝光区域，多曝光区域为制造显示面板过程中进行拼接曝光的多个曝光区域之间的重叠区域；多曝光区域中划分有一个或多个单元子区域，单元子区域中填充有冗余图形，单元子区域中被冗余图形覆盖的区域不透光。本申请的新型掩模版边缘的多曝光区域中填充有不透光的冗余图形，冗余图形能减少多曝光区域的曝光量，使多曝光区域内的曝光量分布趋近于其他区域的曝光量分布，使掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。对于面板制造光刻设备精度不允许对掩模版的移动距离做精细调整的情况下，采用该新型掩模版能使曝光量分布更加均匀。
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公开(公告)号：CN110739206A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911021383.X
申请日：2019-10-25
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L29/10
摘要： 本发明实施例提供一种基板及其制备方法，涉及半导体领域，可使阻挡层中各个阻挡部的高度差减小，从而有利于后续形成栅极。一种基板的制备方法，包括：在衬底上形成包括多个绝缘条的第一绝缘层；所有绝缘条中宽度最小的绝缘条为第一绝缘条、其余绝缘条为第二绝缘条；在第一绝缘层背离衬底一侧形成刻蚀保护层；沿第二方向，刻蚀保护层露出至少部分第二绝缘条的一侧边沿；对第一绝缘层进行部分刻蚀；在第二绝缘层背离衬底一侧形成第三绝缘层；去除第二绝缘层，并依次在第三绝缘层背离衬底一侧沉积阻挡薄膜和辅助平坦薄膜；对辅助平坦薄膜进行刻蚀，形成辅助平坦层；利用辅助平坦层作为硬掩模，对阻挡薄膜进行刻蚀，形成阻挡层。
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