公开(公告)号：CN103985647A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410218948.4

申请日：2014-05-22

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 刘文龙 ,  于中尧

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种制备铜柱凸点的方法，采用局部金属种子层技术以及多层感光干膜技术，包括：在介质层上制备一层导电的金属种子层；在金属种子层上制备焊盘、外层线路图形和一条电镀引线；对金属种子层进行刻蚀，留下焊盘所处的凸点区域的局部金属种子层，凸点区域之外的金属种子层全部去除，得到第一基片；在第一基片上制备一层绿油层，并将凸点区域的绿油层除去，得到第二基片；在第二基片上依次制备多层干膜，然后对凸点区域的焊盘之上的多层干膜进行光刻，直至露出凸点区域的焊盘，在焊盘上形成刻蚀盲孔，得到第三基片；对第三基片进行电镀，在焊盘之上的刻蚀盲孔中镀铜，然后去除多层干膜和焊盘周边的局部金属种子层，于焊盘上形成铜柱凸点。

公开(公告)号：CN103985647B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201410218948.4

申请日：2014-05-22

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 刘文龙 ,  于中尧

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种制备铜柱凸点的方法，采用局部金属种子层技术以及多层感光干膜技术，包括：在介质层上制备一层导电的金属种子层；在金属种子层上制备焊盘、外层线路图形和一条电镀引线；对金属种子层进行刻蚀，留下焊盘所处的凸点区域的局部金属种子层，凸点区域之外的金属种子层全部去除，得到第一基片；在第一基片上制备一层绿油层，并将凸点区域的绿油层除去，得到第二基片；在第二基片上依次制备多层干膜，然后对凸点区域的焊盘之上的多层干膜进行光刻，直至露出凸点区域的焊盘，在焊盘上形成刻蚀盲孔，得到第三基片；对第三基片进行电镀，在焊盘之上的刻蚀盲孔中镀铜，然后去除多层干膜和焊盘周边的局部金属种子层，于焊盘上形成铜柱凸点。

公开(公告)号：CN104185363A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410409971.1

申请日：2014-08-19

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 刘文龙

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K3/46 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

摘要： 本发明涉及一种复合型超薄无芯基板及其制作方法，包括PI芯板，PI芯板由PI基板和位于PI基板正反面的铜箔组成，铜箔分别通过胶粘剂层粘接在PI基板的正反面，铜箔经蚀刻形成芯层图形；在所述PI芯板上设置PTH孔，PI芯板正反面的芯层图形通过PTH孔连接；在所述PI芯板的正反面分别压合一层或多层PP介质层，在PP介质层上具有外层线路图形、并且外层线路图形与铜箔连接。本发明采用PI基板作为芯层，制作内层图形，然后通过增层工艺来实现多层基板的制备。此方法不仅大大提高了芯层的强度，增加了基板整体的强度，同时PI基板工艺成熟，且厚度也能满足要求，还能与一般基板工艺兼容，不需要额外的辅助工艺及设备。

公开(公告)号：CN104183567B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410409998.0

申请日：2014-08-19

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 刘文龙

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

摘要： 本发明涉及一种薄型封装基板的制作工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）在支撑板正反面固定铜箔层，铜箔层包括支撑铜箔和超薄铜箔，支撑铜箔与支撑板接触；（2）在超薄铜箔表面制作第一外层线路图形；（3）在第一外层线路图形表面压合半固化片，得到介质层；（4）在介质层上制作导通盲孔，导通盲孔金属化并生成金属层；（5）蚀刻金属层得到内层线路图形；（6）重复步骤（3）～（5），得到所需的介质层、内层线路图形和第二外层线路图形；（7）将超薄铜箔从支撑铜箔上剥离下来、除去超薄铜箔；（8）在第一外层线路图形和第二外层线路图形的外表面制作绿油层。本发明利用铜箔层以及采用支撑板的方法提高基板的强度，提高生产效率和良率。

公开(公告)号：CN103489794B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201310456986.9

申请日：2013-09-29

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 刘文龙

IPC分类号： H01L21/48

摘要： 本发明涉及一种提高QFN封装引线框架制备工艺中引线框架硬度的方法，其包括如下步骤：a、提供基板及金属连接层，金属连接层内设有隔离空隙；b、在上述基板的正面上设置支撑介质层；c、在基板的背面设置掩膜层，并得到贯通所述掩膜层的刻蚀孔；d、利用上述刻蚀孔对基板进行刻蚀，形成所需的分离孔；e、去除基板上的掩膜层，并在基板的背面设置第一表面处理层；f、在基板背面的中心区设置封装芯片，封装芯片通过连接线与封装芯片外圈的引脚电连接；g、对封装芯片进行塑封，得到塑封体；h、对基板正面的支撑介质层进行减薄，直至金属连接层的表面裸露。本发明能提高引线框架的硬度，工艺简单方便，成本低，加工精度及加工效率高。

公开(公告)号：CN104037094B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201410288921.2

申请日：2014-06-24

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 刘文龙

IPC分类号： H01L21/48

摘要： 本发明涉及一种封装基板上凸点的制备方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）在基板上制作一根电镀引线；（2）在基板的上表面制作绿油层，绿油层避开基板中心的局部种子层区域；（3）在局部种子层区域制作电镀种子层，电镀种子层位于局部种子层区域的焊盘之间；（4）在基板的表面贴多层感光性干膜，感光性干膜的总厚度大于所需制备的凸点的高度；贴膜后进行光刻，在局部种子层区域形成多个通孔，通孔分别与焊盘一一对应，由感光性干膜的上表面延伸至焊盘的表面；（5）在通孔中进行电镀铜金属，形成凸点；电镀完成后去除感光性干膜和电镀种子层，完成封装基板上凸点的制备。本发明大大减少数电镀引线的数量，降低工艺复杂程度。

公开(公告)号：CN104037094A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410288921.2

申请日：2014-06-24

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 刘文龙

IPC分类号： H01L21/48

CPC分类号： H01L21/4853

摘要： 本发明涉及一种封装基板上凸点的制备方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）在基板上制作一根电镀引线；（2）在基板的上表面制作绿油层，绿油层避开基板中心的局部种子层区域；（3）在局部种子层区域制作电镀种子层，电镀种子层位于局部种子层区域的焊盘之间；（4）在基板的表面贴多层感光性干膜，感光性干膜的总厚度大于所需制备的凸点的高度；贴膜后进行光刻，在局部电镀种子层区域形成多个通孔，通孔分别与焊盘一一对应，由感光性干膜的上表面延伸至焊盘的表面；（5）在通孔中进行电镀铜金属，形成凸点；电镀完成后去除感光性干膜和电镀种子层，完成封装基板上凸点的制备。本发明大大减少数电镀引线的数量，降低工艺复杂程度。

公开(公告)号：CN103871907B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410117826.6

申请日：2014-03-26

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 刘文龙

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/14

摘要： 本发明公开了一种基板的制作工艺，该制作工艺包括层压步骤、钻孔步骤、导通及线路制作步骤、多板压合步骤、剥离步骤、形成表层步骤与分离步骤，本发明采用支撑板来提高超薄基板的强度；本发明由于支撑板的使用减小了超薄基板的翘曲变形，使其可以与常规的基板工艺兼容；本发明由于采用了支撑板，可以有效的控制基板的涨缩，提高了对位精度，为后续的工艺减小了难度。

公开(公告)号：CN104037095B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410290447.7

申请日：2014-06-24

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 刘文龙

IPC分类号： H01L21/48

摘要： 本发明涉及一种在引线上制备凸点的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）在制作好内层图形的基板的表面制作外层种子层；（2）在外层种子层上制作外层图形；制作好外层图形的基板表面有一根电镀引线，基板中心区域为凸点制作区域；（3）去除基板中心凸点制作区域以外、暴露于基板表面的外层种子层；（4）在基板的上表面制作绿油层，再将基板中心区域凸点制作区域的绿油层去除；（5）在基板的表面贴多层感光性干膜，贴膜后进行光刻，在局部种子层的区域形成多个通孔；（6）在通孔中进行电镀铜金属，形成凸点；（7）去除感光性干膜和暴露于外部的局部种子层。本发明采用局部种子层，大大减少了电镀引线的数量，降低了工艺复杂程度。

公开(公告)号：CN103491732B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310463172.8

申请日：2013-10-08

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 于中尧 ,  孙瑜 ,  崔志勇 ,  方志丹 ,  石桂涵 ,  刘文龙

IPC分类号： H05K3/46

CPC分类号： H05K3/4644 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/0055 ,  H05K3/108 ,  H05K2203/0353 ,  H05K2203/143 ,  Y10T29/49167

摘要： 本发明提供了一种电路板增层结构的制造方法，能够实现线宽小于50um的精细线路的制造，避免使用高成本的绝缘层材料，降低基板的工艺成本，从而降低基板成本。其包括以下步骤：（1）、内层线路制作；（2）、压合铜箔和半固化片并固化；（3）、激光钻孔；（4）、除胶渣；（5）、去掉面铜；（6）、等离子活化处理电路板表面；（7）、化学镀铜；（8）、光刻；（9）、电镀；（10）、剥膜；（11）、闪蚀。本发明采用通用的介质材料半固化片PP，在其上通过改进SAP的工艺方法，通过提高其表面的化学活性，在PP表面直接进行化学镀铜，提高化学镀铜层的结合力，以满足精细线路SAP加工需要，同时还可以大幅度降低基板的工艺成本。