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公开(公告)号：CN103929874B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410138879.6
申请日：2014-04-09
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人： 于中尧
摘要： 本发明属于印刷线路板技术领域，公开了一种PCB线路板铜线路加工方法，包括以下步骤：将PCB基板浸入经有机溶剂稀释的有机材料单体溶液中；控干PCB基板，加热固化PCB基板，在其表面形成均匀的底层有机薄膜；在有机薄膜表面依次进行化学镀铜、图形电镀以及闪蚀形成带铜线路的PCB基板；将带铜线路的PCB基板浸入经有机溶剂高度稀释的有机材料单体溶液中；控干带铜线路的PCB基板，加热固化在其表面形成均匀的上层有机薄膜；在上层有机薄膜层上压合绝缘材料形成绝缘层。本发明通过生成有机薄膜在保证铜线路与基板稳定结合的同时，大大提升了铜线路表面的光滑程度，从而铜线路的高密度铺设的同时，降低高频信号的传输损耗。
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公开(公告)号：CN104091794A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410337188.9
申请日：2014-07-15
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/48
CPC分类号： H01L2224/11
摘要： 本发明属于集成电路封装技术领域，公开了一种封装基板的凸点制造方法；包括：在封装基板上制作内层线路；在封装基板表面进行化学镀铜；在内层线路正上方的化学镀铜层上电镀形成筒状凸点；蚀刻凸点范围外以及凸点内腔底部的化学镀铜层；在凸点内墙内填充低熔点焊料。本发明通过直接在内层铜线路上制作凸点，降低操作复杂性，简化工艺流程；同时筒状凸点高度易于控制，一致性好；焊料容量大，具备较好的焊接性能。
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公开(公告)号：CN104064531A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410293000.5
申请日：2014-06-25
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/94 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种焊球控制封装高度的器件封装结构及制造方法，涉及半导体制造技术领域，本发明通过在所述基板的第一面上设置所述芯片，其中所述芯片距离所述基板具有第一距离；所述限高凸点设置于所述基板的第一面上，其中所述限高凸点距离基板具有第二距离，其中，所述第一距离小于所述第二距离；封装中填充树脂的高度与限高凸点相同。本发明通过使用不同高度的限高凸点即可制作不同封装高度的封装结构，具有无须制造不同的高精度模具，成本低的技术效果。
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公开(公告)号：CN103985647A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410218948.4
申请日：2014-05-22
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/05556 , H01L2924/351 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种制备铜柱凸点的方法，采用局部金属种子层技术以及多层感光干膜技术，包括：在介质层上制备一层导电的金属种子层；在金属种子层上制备焊盘、外层线路图形和一条电镀引线；对金属种子层进行刻蚀，留下焊盘所处的凸点区域的局部金属种子层，凸点区域之外的金属种子层全部去除，得到第一基片；在第一基片上制备一层绿油层，并将凸点区域的绿油层除去，得到第二基片；在第二基片上依次制备多层干膜，然后对凸点区域的焊盘之上的多层干膜进行光刻，直至露出凸点区域的焊盘，在焊盘上形成刻蚀盲孔，得到第三基片；对第三基片进行电镀，在焊盘之上的刻蚀盲孔中镀铜，然后去除多层干膜和焊盘周边的局部金属种子层，于焊盘上形成铜柱凸点。
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公开(公告)号：CN103929890A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310753292.1
申请日：2013-12-31
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种电路板内层电路的制造方法，包括如下步骤：在基板上进行机械钻孔，形成双面互连用的通孔；对机械钻孔后的基板进行除胶渣处理；将基板双面的铜箔去掉；在树脂芯板的表面进行化学镀铜，使树脂芯板表面形成化学镀铜层；在树脂芯板表面通过光刻制作电镀掩膜，使被光刻胶掩蔽住的区域不电镀；在没有被光刻胶掩蔽的区域电镀铜；将用于电镀掩膜的光刻胶去除，使整个电镀的基板表面暴露出来；将被光刻胶掩蔽的化学镀铜层腐蚀掉，形成内层线路板。本发明在化学镀铜的工艺中，对树脂芯板表面只进行蓬松处理，不经过除胶渣处理，蓬松后的树脂表面有更大的比表面积，可以结合更多的钯金属，从而提高了化学镀铜层的结合力。
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公开(公告)号：CN103929878A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410138878.1
申请日：2014-04-09
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人： 于中尧
摘要： 本发明属于印刷线路板技术领域，公开了一种PCB基板塞孔制造方法，包括以下步骤：在双面覆铜板上钻通孔，并进行通孔金属化；双面覆铜板上完成内层线路加工；在双面覆铜板两侧铜层上压合绝缘材料，通过高温真空压合将绝缘材料压入通孔中；在通孔两端的绝缘材料上开设盲孔，清除通孔两端的绝缘材料；在双面覆铜板两面进行化学镀铜生成电镀种子层；在电镀种子层上进行图形电镀；清除未图形电镀的电镀种子层。本发明改进了塞孔工艺，精简了叠孔基板流程。
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公开(公告)号：CN103929874A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410138879.6
申请日：2014-04-09
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人： 于中尧
摘要： 本发明属于印刷线路板技术领域，公开了一种PCB线路板铜线路加工方法，包括以下步骤：将PCB基板浸入经有机溶剂高度稀释的有机材料单体溶液中；控干PCB基板，加热固化PCB基板，在其表面形成均匀的底层有机薄膜；在有机薄膜表面依次进行化学镀铜、图形电镀以及闪蚀形成带铜线路的PCB基板；将带铜线路的PCB基板浸入经有机溶剂高度稀释的有机材料单体溶液中；控干带铜线路的PCB基板，加热固化在其表面形成均匀的上层有机薄膜；在上层有机薄膜层上压合绝缘材料形成绝缘层。本发明通过生成有机薄膜在保证铜线路与基板稳定结合的同时，大大提升了铜线路表面的光滑程度，从而铜线路的高密度铺设的同时，降低高频信号的传输损耗。
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公开(公告)号：CN103929890B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201310753292.1
申请日：2013-12-31
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种电路板内层电路的制造方法，包括如下步骤：在基板上进行机械钻孔，形成双面互连用的通孔；对机械钻孔后的基板进行除胶渣处理；将基板双面的铜箔去掉；在树脂芯板的表面进行化学镀铜，使树脂芯板表面形成化学镀铜层；在树脂芯板表面通过光刻制作电镀掩膜，使被光刻胶掩蔽住的区域不电镀；在没有被光刻胶掩蔽的区域电镀铜；将用于电镀掩膜的光刻胶去除，使整个电镀的基板表面暴露出来；将被光刻胶掩蔽的化学镀铜层腐蚀掉，形成内层线路板。本发明在化学镀铜的工艺中，对树脂芯板表面只进行蓬松处理，不经过除胶渣处理，蓬松后的树脂表面有更大的比表面积，可以结合更多的钯金属，从而提高了化学镀铜层的结合力。
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公开(公告)号：CN103997862B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410246593.X
申请日：2014-06-05
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人： 于中尧
IPC分类号： H05K3/46
摘要： 本发明公开了一种制作低应力低翘曲度超薄奇数层无芯板的方法，包括：在半固化片双面各贴附一层铜箔，制作低温压合双面覆铜半固化片；对该双面覆铜半固化片双面进行光刻、显影和刻蚀，形成双面具有电路的半固化片；将该半固化片、第二半固化片和第二铜箔由上至下叠加进行低温真空压合，形成复合基板结构；对该复合基板结构底层的第二铜箔进行光刻、显影和刻蚀，形成具有3层电路的复合半固化片；对该复合半固化片进行高温真空压合，形成带有3层金属电路2层树脂的无芯基板结构；对该无芯基板结构进行激光钻孔形成通孔，对该通孔进行金属化处理形成导电过孔，双面制作绿油并绿油开窗，对露出的金属电路表面涂敷或喷锡，形成3层金属电路无芯板。
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公开(公告)号：CN103985647B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410218948.4
申请日：2014-05-22
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/05556 , H01L2924/351 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种制备铜柱凸点的方法，采用局部金属种子层技术以及多层感光干膜技术，包括：在介质层上制备一层导电的金属种子层；在金属种子层上制备焊盘、外层线路图形和一条电镀引线；对金属种子层进行刻蚀，留下焊盘所处的凸点区域的局部金属种子层，凸点区域之外的金属种子层全部去除，得到第一基片；在第一基片上制备一层绿油层，并将凸点区域的绿油层除去，得到第二基片；在第二基片上依次制备多层干膜，然后对凸点区域的焊盘之上的多层干膜进行光刻，直至露出凸点区域的焊盘，在焊盘上形成刻蚀盲孔，得到第三基片；对第三基片进行电镀，在焊盘之上的刻蚀盲孔中镀铜，然后去除多层干膜和焊盘周边的局部金属种子层，于焊盘上形成铜柱凸点。
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