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公开(公告)号：CN104682910A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510104697.1
申请日：2015-03-10
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H03H7/09
摘要： 本发明公开了一种互感耦合滤波器，其互感结构单元具有两个或多个相互交叠但不短路的电感。本发明的滤波器基于IPD技术，通过合理的仿真计算，来实现一种集成度高、性能好的互感耦合滤波器。本发明采用高阻硅为基材，具有较好的高频特性；采用半导体工艺完成所有工艺制程，可以精确控制每一层金属和介质的尺寸，保证产品的质量和可靠性；实现了两个或多个电感相互交叠又不短路的结构，获得了较大的交叠耦合，将电感采用部分重叠的方式布局可以简单获得较大的互感值，从而实现损耗较小的滤波器，同时减小滤波器的尺寸；此外，基于互感结构可以在滤波器中引入多个可调的传输零点。
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公开(公告)号：CN104037105A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410240428.3
申请日：2014-05-30
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种硅通孔绝缘层淀积工艺检测方法，待检测的硅通孔结构包括：硅通孔、硅衬底、氧化物层、填充金属、第一金属电极以及第二金属电极；硅衬底为重掺杂硅衬底；硅通孔位于硅衬底上；氧化物层位于硅通孔内壁上；填充金属填充在以氧化物层为侧壁的硅通孔内；第一金属电极与填充金属相连，并外露于硅通孔结构的封装外壳，第二金属电极与硅衬底形成欧姆连接，并外露于硅通孔结构的封装外壳，硅通孔结构自身形成MOS结构；测量漏电流；测量MOS结构的击穿电压。本发明通过革新硅通孔结构，在硅通孔的结构基础上形成MOS结构，从而实现高效，简洁的硅通孔绝缘层淀积工艺检测。
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公开(公告)号：CN103956326A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410179187.6
申请日：2014-04-29
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人： 王惠娟
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/538
CPC分类号： H01L21/486 , H01L23/5384
摘要： 本发明公开了一种无源集成转接板的制作方法及所对应的无源集成转接板。本发明通过先采用前道工艺在转接板的第一表面侧制作无源模块及无源模块的第一互联结构，由于前道工艺的光刻参数精准，工艺严格，可以制作出精度高和可靠性好的无源模块，同时采用高阻的转接板材料，制作的无源模块可以满足高Q低损耗；再通过采用后道工艺在转接板的第一表面侧制作用于与外部连接的第一凸点以及在转接板的第二表面侧完成通孔的制作和用于与外部连接的第二凸点，这种集成无源模块和通孔连接的方法既可以保证无源模块的性能优良，又可以降低集成成本。
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公开(公告)号：CN103399225A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310320763.X
申请日：2013-07-26
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人： 王惠娟
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明提供一种包含转接板的测试结构，包括转接板；测试芯片键合在转接板的正面；测试芯片与转接板之间分布有微凸点，以使得测试芯片与转接板间形成电连接；转接板中设置有填充了导电材料的硅通孔；转接板的正面和/或背面上设置有一级测试点。进一步地，所述包含转接板的测试结构，还包括基板；转接板的背面和基板的正面键合；转接板与基板之间分布有微凸点，以使得转接板与基板间形成电连接；基板中设置有过孔；基板的正面和/或背面上设置有二级测试点。更进一步地，所述包含转接板的测试结构，还包括测试板。本发明能够实时监测各个工艺过程，可以有效评估转接板的性能，也可检测封装结构的整体性能。
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公开(公告)号：CN103956326B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410179187.6
申请日：2014-04-29
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人： 王惠娟
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/538
摘要： 本发明公开了一种无源集成转接板的制作方法及所对应的无源集成转接板。本发明通过先采用前道工艺在转接板的第一表面侧制作无源模块及无源模块的第一互联结构，由于前道工艺的光刻参数精准，工艺严格，可以制作出精度高和可靠性好的无源模块，同时采用高阻的转接板材料，制作的无源模块可以满足高Q低损耗；再通过采用后道工艺在转接板的第一表面侧制作用于与外部连接的第一凸点以及在转接板的第二表面侧完成通孔的制作和用于与外部连接的第二凸点，这种集成无源模块和通孔连接的方法既可以保证无源模块的性能优良，又可以降低集成成本。
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公开(公告)号：CN102751094B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110101584.8
申请日：2011-04-22
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
摘要： 本发明涉及微电子器件以及系统级封装集成技术领域，具体涉及一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容。所述铁电薄膜电容包括：下部电极；设置于所述下部电极上的硅基底；设置于所述硅基底上的铁电薄膜电介质层；设置于所述铁电薄膜电介质层上的上部电极；所述下部电极与所述硅基底之间形成欧姆接触。本发明还提供一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容的制备方法。本发明在硅基底上形成铁电薄膜电介质层，具有较高的介电常数及较低的厚度，从而获得较大的电容密度，可实现分立式埋入电容；此外，本发明在下部电极和硅基底之间形成欧姆接触，便于电极的引出和连接，提高了同电路板工艺的兼容性。
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公开(公告)号：CN103474429A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310429946.5
申请日：2013-09-18
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种电容阵列，包括基体、第一电极和第二电极。所述第一电极和第二电极均呈梳状，设于所述基体的上表面；第一电极的齿部和第二电极的齿部相互交错分布，第一电极的根部和第二电极的根部相对而设于基体上表面；在第一电极和第二电极的齿部与齿部之间，以及齿部与根部之间均设有绝缘介质条；在第二电极的每一条齿部下方的基体中均设有一个或多个间隔的单体电容；各单体电容的两个电极分别引接至第一电极和第二电极，形成电容并联结构。各单体电容为沟槽电容。本发明提供了高电容值、低寄生电感的电容阵列，第一电极和第二电极形成互相叉指的结构，可以减小高频的临近效应，使电容的高频性能更好。
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公开(公告)号：CN102820268B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110156362.6
申请日：2011-06-10
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/768
摘要： 本发明实施例公开了一种键合结构及其制备方法。所述键合结构包括：其内具有连接孔的本体层；位于所述连接孔内的导电物质填充体；位于本体层正面、导电物质填充体之上、且宽度大于所述导电物质填充体宽度的第一导电凸块；位于所述第一导电凸块上的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层上的第一钎料层。本发明所提供的键合结构，在第一导电凸块与第一钎料层之间存在第一缓冲层，所述第一缓冲层在低温条件下可阻止第一钎料层向第一导电凸块内扩散，在高温条件下又可融入所述第一钎料层中，因此，本发明所提供的键合结构只需采用小剂量的钎料即可实现键合，且键合后键合界面的结合强度较高，可大大提高键合良率。
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公开(公告)号：CN102117768A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910244525.9
申请日：2009-12-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，通过一系列理论的论证和假设，将原来半导体PN结电容器加以改进，使改进后的电容具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺简单等特点，特别是可实现串联电感大大降低，这样可使电容工作在更高的频率内。该电容可广泛用于高频高速功率电子系统中的退耦，滤波，匹配，静电和电涌防护等功能。
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公开(公告)号：CN102104009B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200910242766.X
申请日：2009-12-16
申请人： 中国科学院微电子研究所
CPC分类号： H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
摘要： 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法，包括：利用成熟的深度反应离子刻蚀、淀积、键合等微电子加工工艺，通过对单层硅基电容芯片刻蚀，形成大的深宽比通孔，并淀积铜，制作金凸点，并将相同的多层硅基电容对准，键合，使之形成多层堆叠三维硅基电容。该电容可取代传统的贴片电容应用于高频高速电路中，其特点是结构简单，电容量大，容值可调，与现有微电子工艺兼容。
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