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公开(公告)号：CN113948381B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010692556.7
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种纳米栅的制备方法，还提供了通过该方法制备的纳米栅和应用。本发明的方法可以简化纳米尺度的栅的制备，精确控制栅长尺寸，并实现纳米栅器件的制备，进而提升电子器件的性能。
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公开(公告)号：CN114743925A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110020079.4
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供了一种纳米图形的制备方法，还提供了通过该方法制备的纳米图形和器件。本发明的方法可以简化纳米尺度的图形的制备，精确控制图形长尺寸，并实现纳米图形器件的制备，进而提升电子器件的性能。
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公开(公告)号：CN114743866A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110020058.2
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明提供了一种纳米图形的制备方法，所述方法通过薄膜沉积技术制备纳米图形，所述方法可以简化纳米尺度的栅的制备，精确控制栅长尺寸，并实现纳米图形器件的制备，进而提升电子器件的性能。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN114496752A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011269807.7
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种纳米栅结构，所述纳米栅结构包括晶圆(1)及在晶圆上水平相间排列的第一介质隔离层(3C)与第二介质隔离层(4C)和第三介质隔离层(5C)以及第四介质隔离层(6)形成第一复合介质隔离层、纳米栅(10)、第一介质隔离层(3C)以及第二介质隔离层(4B)形成的第二复合介质隔离层、纳米栅(10)、第五介质隔离层(7B)、纳米栅(10)、第五介质隔离层(7A)与第六介质隔离层(8C)以及第七介质隔离层(9)形成的第三复合隔离层，还提供了其制备方法和应用。本发明的方法可以简化纳米尺度的栅的制备，精确控制栅长尺寸，并实现纳米栅器件的制备，进而提升电子器件的性能。
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公开(公告)号：CN113948379A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010691398.3
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种纳米栅的制备方法，还提供了通过该方法制备的纳米栅和应用。本发明的方法可以简化纳米尺度的栅的制备，精确控制栅长尺寸，并实现纳米栅器件的制备，进而提升电子器件的性能。
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公开(公告)号：CN111933513A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910392871.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种制备氮化物半导体材料的方法，包括如下步骤：(1)在衬底的一表面上形成高吸收层；(2)在所述高吸收层上或在与所述高吸收层相对的衬底的另一表面上，借助于微波加热，沉积氮化物半导体材料；所述高吸收层由介电损耗因数不低于0.01的材料形成。通过本发明的方法，能够实现对氮化物半导体材料的均匀热传导。同时，本发明的方法能量利用效率更高。在本发明的方法中，能量集中被所需加热的材料吸收，不会加热真空沉积设备的腔体，有利于延长设备的保养和使用。
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