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公开(公告)号：CN119208431B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411705901.0
申请日：2024-11-26
Applicant: 长三角物理研究中心有限公司 , 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明实施例涉及一种CMOS图像传感器的光电三极管及光电三极管单元。光电三极管的外延结构包括：衬底、集电极层、第一基极层、第二基极层、发射极层和高掺杂层；集电极层设置在衬底之上，集电极层的厚度为100nm‑1000nm，掺杂浓度为5×1013/cm3‑1×1016/cm3；第一基极层设置在集电极层之上，第一基极层的掺杂类型与集电极层的掺杂类型相反；第二基极层设置在第一基极层之上；发射极层设置在第二基极层之上，发射极层的掺杂类型与集电极层的掺杂类型相同；高掺杂层设置在发射极层之上，高掺杂层的掺杂类型与发射极层的掺杂类型相同；在小于6V的外加电压下，所述光电三极管的集电极层内部平均电场强度为5×104V/cm‑3×105V/cm。
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公开(公告)号：CN119002101B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411479456.0
申请日：2024-10-23
Applicant: 松山湖材料实验室 , 中国科学院物理研究所
Abstract: 本申请提供一种基于量子点光刻胶的超表面动态显示器件及制备方法，通过结合超表面与量子点光刻胶，该器件能够实现对显示颜色的动态调控。超表面本身能够显示结构色，而量子点光刻胶在UV光照射下能够发出特定颜色的光，两者结合能够增强特定颜色或改变原有颜色，创造出更加丰富多变的颜色显示效果，满足多样化的视觉需求。量子点光刻胶对UV光的响应是可逆的，意味着颜色的变化可以通过控制UV光的开关或强度来反复调节，且这一过程对材料本身无损伤，保证了器件的长期稳定性和耐用性。
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公开(公告)号：CN118281088A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211711728.6
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供了一种硅基薄膜太阳能电池结构、其制备方法及太阳能电池。所述硅基薄膜太阳能电池结构自下而上依次包括基板、N型重掺杂层、N型掺杂层、本征吸收层、P型掺杂层、P型重掺杂层和金属电极。本发明利用磁控溅射设备制备高质量、高电导、宽带隙多晶碳化硅作为电池的掺杂功能层，降低了电池串联电阻和寄生吸收；同时，多晶碳化硅横向电导性好，作为透明导电电极与金属电极接触，省去/减少了薄膜电池制造工艺中透明导电氧化物和金属浆料的大面积使用，大幅度降低原材料成本，利于产业化应用。
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公开(公告)号：CN117276360B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311557916.2
申请日：2023-11-22
Applicant: 长三角物理研究中心有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明实施例涉及一种新型晶硅异质结太阳能电池结构及制备方法和应用，本发明的新型晶硅异质结太阳能电池结构利用磁控溅射沉积碳化硅材料，可以实现光生载流子的高效抽取和输运，降低串联电阻，并且碳化硅材料的折射率在空气与非晶硅之间，又可以作为导电减反层替代透明导电氧化物降低入射光反射率，同时减少大面积金属栅线的使用；本发明提供的基于非绒面平面结构N型单晶硅片的晶硅异质结太阳能电池结构，采用碳化硅叠层减反结构取代制绒步骤，实现降低电池片的表面入射光反射率，简化工艺流程、降低后续沉积难度，提高电池质量和产能。
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公开(公告)号：CN117038754B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311286461.5
申请日：2023-10-08
Applicant: 长三角物理研究中心有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例涉及一种柔性薄膜硅基太阳能电池，柔性薄膜太阳能电池的结构自下而上依次为基板、金属过渡层、第一重掺杂层、第一掺杂层、吸收层、第二掺杂层、第二重掺杂层、减反保护层和金属电极；其中，第一重掺杂层和第二重掺杂层为重掺杂多晶碳化硅材料或重掺杂多晶碳化硅和透明导电氧化物TCO组合的复合材料，且第二重掺杂层与第一重掺杂层的掺杂类型相反。第一、第二重掺杂层利用了多晶碳化硅材料的宽带隙、高电导和低缺陷的优点，可以替代透明导电氧化物与金属电极直接接触，实现载流子的传输与收集；并且由于多晶碳化硅高折射的特点，在电池正面形成减反膜，增强了太阳光的透过率，提升了光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117276360A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311557916.2
申请日：2023-11-22
Applicant: 长三角物理研究中心有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明实施例涉及一种新型晶硅异质结太阳能电池结构及制备方法和应用，本发明的新型晶硅异质结太阳能电池结构利用磁控溅射沉积碳化硅材料，可以实现光生载流子的高效抽取和输运，降低串联电阻，并且碳化硅材料的折射率在空气与非晶硅之间，又可以作为导电减反层替代透明导电氧化物降低入射光反射率，同时减少大面积金属栅线的使用；本发明提供的基于非绒面平面结构N型单晶硅片的晶硅异质结太阳能电池结构，采用碳化硅叠层减反结构取代制绒步骤，实现降低电池片的表面入射光反射率，简化工艺流程、降低后续沉积难度，提高电池质量和产能。
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公开(公告)号：CN117038754A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311286461.5
申请日：2023-10-08
Applicant: 长三角物理研究中心有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例涉及一种柔性薄膜硅基太阳能电池，柔性薄膜太阳能电池的结构自下而上依次为基板、金属过渡层、第一重掺杂层、第一掺杂层、吸收层、第二掺杂层、第二重掺杂层、减反保护层和金属电极；其中，第一重掺杂层和第二重掺杂层为重掺杂多晶碳化硅材料或重掺杂多晶碳化硅和透明导电氧化物TCO组合的复合材料，且第二重掺杂层与第一重掺杂层的掺杂类型相反。第一、第二重掺杂层利用了多晶碳化硅材料的宽带隙、高电导和低缺陷的优点，可以替代透明导电氧化物与金属电极直接接触，实现载流子的传输与收集；并且由于多晶碳化硅高折射的特点，在电池正面形成减反膜，增强了太阳光的透过率，提升了光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115692462A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110870553.2
申请日：2021-07-30
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种纳米级线宽的垂直结构半导体器件及其制备方法。本发明提供的方法可以通过传统的薄膜制备工艺，实现纳米级线宽的垂直结构的半导体器件，不仅可以避开高端光刻机的使用，同时提供了一种制备器件的新思路。
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公开(公告)号：CN114743877A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110018555.9
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/033
Abstract: 本发明提供了一种纳米图形的制备方法，还提供了通过该方法制备的纳米图形和器件。本发明的方法可以简化纳米尺度的图形的制备，精确控制图形长尺寸，并实现纳米图形器件的制备，进而提升电子器件的性能。
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公开(公告)号：CN111628022A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910149206.3
申请日：2019-02-28
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0232 , H01L31/024 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种GaAs基光电器件及GaAs基光电器件阵列的制备方法，GaAs基光电器件从下至上依次包括：金属基板组件；背电极层；背电极欧姆接触层；间道腐蚀阻挡层；GaAs有源层；顶电极欧姆接触层；顶电极层。制备方法包括步骤：1)，提供一个GaAs基光电器件外延片，其包括衬底，衬底腐蚀阻挡层，背电极欧姆接触层，间道腐蚀阻挡层，GaAs有源层，顶电极欧姆接触层；2)，在顶电极欧姆接触层上制备顶电极层；3)，形成间道沟槽；4)，将过渡基板粘附在顶电极层上；5)，移除衬底和衬底腐蚀阻挡层；6)，在背电极欧姆接触层上制备背电极层；7)，在背电极层上制备金属基板组件；8)，移除过渡基板。GaAs基光电器件散热能力好，制备方法提高了成品率。
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