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公开(公告)号：CN118992970A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411479454.1
申请日：2024-10-23
Applicant: 松山湖材料实验室 , 中国科学院物理研究所
Abstract: 本申请提供一种集成温度检测的压电式MEMS加速度计及制备方法，压电式MEMS加速度计集成原位温度检测，其是一种芯片级集成，通过在同一芯片上集成电阻Pt层作为温度检测元件，实现了加速度计的原位温度检测功能，这有助于实时感知加速度计工作环境中的温度变化，进而通过软件算法或硬件电路对温度引起的误差进行实时校准和补偿，显著提升测量精度。并且，对同一金属铂层进行图形化，能够同时得到用于测量加速度的底电极Pt层和用于原位温度检测的电阻Pt层，减少了制造过程中的步骤，简化了工艺流程，还节省了芯片上的空间。
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公开(公告)号：CN118016749B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410418054.3
申请日：2024-04-09
Applicant: 长三角物理研究中心有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC: H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及一种CMOS图像传感器的光电二极管及光电二极管单元，该光电二极管的外延结构包括：衬底、n型掺杂半导体层、吸收层和p型掺杂半导体层；n型掺杂半导体层设置在衬底之上；吸收层设置在n型掺杂半导体层之上，吸收层的厚度为20nm‑1500nm，掺杂方式为非故意掺杂；p型掺杂半导体层设置在吸收层之上。本发明的光电二极管，基于非平衡吸收理论，在强场和pn结的条件下，通过对吸收层的厚度的调整和掺杂类型的调整，实现不降低CMOS图像传感器中光电二极管量子效率的目的的前提下，从根本上降低了隔离槽的刻蚀难度和光电二极管的暗电流，提升了光电二极管的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118658837A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202310227871.6
申请日：2023-03-07
Applicant: 长三角物理研究中心有限公司 , 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明实施例涉及一种集成电路用硅衬底及其制备方法。所述制备方法包括：在本征硅衬底上外延生长掺杂阻挡层，高掺杂低阻硅剥离层、非掺杂保护层和硅外延层，得到待键合圆片；将所述待键合圆片的硅外延层与第一硅衬底的表面进行键合，得到键合片；将所述键合片进行电化学腐蚀，通过所述电化学腐蚀去除所述高掺杂低阻硅剥离层，使得所述本征硅衬底及所述本征硅衬底上的掺杂阻挡层由所述键合片上剥离，得到硅基外延片；通过化学机械抛光去除所述硅基外延片上的所述非掺杂保护层，得到所述集成电路用硅衬底。
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公开(公告)号：CN118658774A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202310213126.6
申请日：2023-03-07
Applicant: 长三角物理研究中心有限公司 , 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明实施例涉及一种高性能GaN衬底及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在GaN衬底上外延生长杂质阻挡层，高掺杂GaN腐蚀剥离层、非掺杂保护层和GaN外延层，得到待键合圆片；将所述待键合圆片的GaN外延层与氮化硅衬底的表面进行键合，得到键合片；将所述键合片进行电化学腐蚀，通过所述电化学腐蚀去除所述高掺杂GaN腐蚀剥离层，使得所述GaN衬底及所述GaN衬底上的杂质阻挡层由所述键合片上剥离，得到GaN衬底基片；通过化学机械抛光去除所述GaN衬底基片上的所述非掺杂保护层，得到所述高性能GaN衬底。
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公开(公告)号：CN118472081A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310072757.0
申请日：2023-01-31
Applicant: 长三角物理研究中心有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC: H01L31/072 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例涉及一种无栅线的柔性砷化镓太阳能电池，结构从下到上依次为从下到上依次为铜钼铜金属基板、金属键合层、砷化镓太阳能电池、碳化硅接触层、正面金属电极。本发明使用高掺多晶或微晶碳化硅作为电池接触层，利用其宽带隙、高电导、高折射率的性能作为透明导电电极，代替正面栅线电极，从而增大了表面透光面积，提高光电转换效率，同时减少了电极金属使用量，降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118281103A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211711668.8
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01L31/076 , H01L31/0312 , H01L31/0368 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种硅基叠层薄膜太阳能电池结构、其制备方法及太阳能电池。所述硅基叠层薄膜太阳能电池结构包括：基板、N型重掺杂层、光电转换层、P型重掺杂层和金属电极；所述光电转换层由子电池和隧穿结串联而成。其中，结构中的P型掺杂层和N型掺杂层采用高质量、高电导、宽带隙的多晶碳化硅材料，P型重掺杂层和N型重掺杂层采用重掺杂多晶碳化硅材料作为透明导电电极，大幅度降低TCO靶材与金属浆料的使用导致的高生产成本，克服使用非晶硅材料所引起的寄生吸收和串联电阻大的问题，为双结和多结薄膜太阳能电池在产业利用提供有效的结构。
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公开(公告)号：CN118281101A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211711723.3
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01L31/0745 , H01L31/0312 , H01L31/0368 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种晶硅异质结太阳能电池结构、其制备方法及太阳能电池。所述晶硅异质结太阳能电池结构包括金属电极、N型重掺杂层、N型掺杂层、本征钝化层、N型单晶硅片、P型掺杂层和P型重掺杂层。相比现有技术，本发明利用磁控溅射工艺沉积宽带隙、高电导、高质量的多晶碳化硅材料，它既可以作为掺杂功能层实现载流子的抽取，又可以作为导电电极替代透明导电氧化物与大面积金属栅线的使用。本发明优化了晶硅异质结电池结构，简化了制备流程，有利于实现电池的降本增效和产业化应用。
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公开(公告)号：CN113948381B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010692556.7
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种纳米栅的制备方法，还提供了通过该方法制备的纳米栅和应用。本发明的方法可以简化纳米尺度的栅的制备，精确控制栅长尺寸，并实现纳米栅器件的制备，进而提升电子器件的性能。
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公开(公告)号：CN117594685A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311561652.8
申请日：2023-11-21
Applicant: 长三角物理研究中心有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC: H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例涉及一种新型晶硅异质结叠层太阳能电池结构及制备方法和应用，新型晶硅异质结叠层太阳能电池结构是基于非绒面平面结构的N型单晶硅片的晶硅异质结叠层太阳能电池结构，从下至上依次包括底电池、隧穿结和顶电池；本发明利用多晶碳化硅和/或微晶碳化硅改善了电池中载流子输运，减小电池串联电阻，降低寄生吸收和入射光的反射比例，提升电池光电转换效率；另外，本发明提供的基于非绒面平面结构N型单晶硅片的新型晶硅异质结叠层太阳能电池采用碳化硅叠层减反结构取代制绒步骤，简化工艺流程，降低后续沉积难度，提高电池片质量、良率和产能。
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公开(公告)号：CN111834206B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201910307554.9
申请日：2019-04-17
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01L21/203 , H01L21/205 , C09K11/66 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种外延GeSi量子点的方法，包括如下步骤：步骤1)在硅衬底上采用光刻结合湿法腐蚀技术制备截顶倒置金字塔图形，得到图形衬底；所述截顶倒置金字塔的四个侧面的晶面为(111)面；步骤2)去除所述图形衬底上湿法腐蚀的掩膜并清洗所述图形衬底；步骤3)将所述图形衬底置于外延生长装置中，在所述截顶倒置金字塔图形衬底上直接异质外延GeSi量子点；步骤4)在所述GeSi量子点上外延硅盖层。本发明提供的方法同时规避了干法刻蚀会损伤衬底表面以及湿法腐蚀制备图形衬底的特征尺寸过大导致生长的量子点特征尺寸过大的缺点。采用本发明提供的方法所生长的量子点大小一致，同时量子点的位置高度对称，实现了量子点生长的四倍频。
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