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公开(公告)号：CN104347226A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310311148.2
申请日：2013-07-23
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供了一种基于磁性斯格明子层的磁性多层膜，包括依次设置的衬底、缓冲层、钉扎层、隔离层、自由层、覆盖层，其中，所述自由层为磁性斯格明子层或者其钉扎层具有磁性斯格明子钉扎层，并将此基于磁性斯格明子层的磁性多层膜为基础制作隧穿磁电阻磁性隧道结、巨磁电阻纳米多层膜和巨磁电阻纳米柱。能够在较低临界电流密度下实现自由层磁矩的翻转，并实现磁性多层膜体系在高电阻态和低电阻态之间的转变；磁性多层膜的自由层和钉扎层均为磁性斯格明子层，能够在较低临界电流密度下实现自由层磁矩的翻转，从而操控磁性多层膜体系在高电阻态和低电阻态间变化，从而实现“0”和“1”的数据存储及相关的磁性传感器功能。
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公开(公告)号：CN102856488B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110305257.4
申请日：2011-09-30
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/22 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2213/51 , G11C2213/52 , G11C2213/53 , G11C2213/55 , H01F10/193 , H01F10/1936 , H01F10/3218 , H01F10/3272 , H01L27/22 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： 本发明提供一种基于铁电及多铁材料可逆电致电阻效应的纳米多层膜逻辑器件。由单功能层制备的逻辑器件，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能；由双功能层制备的逻辑器件，在双输入的情况下，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能；由双功能层制备的逻辑器件，在三输入(其中一个输入作为控制输入)的情况下，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能。
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公开(公告)号：CN104347226B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310311148.2
申请日：2013-07-23
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供了一种基于磁性斯格明子层的磁性多层膜，包括依次设置的衬底、缓冲层、钉扎层、隔离层、自由层、覆盖层，其中，所述自由层为磁性斯格明子层或者其钉扎层具有磁性斯格明子钉扎层，并将此基于磁性斯格明子层的磁性多层膜为基础制作隧穿磁电阻磁性隧道结、巨磁电阻纳米多层膜和巨磁电阻纳米柱。能够在较低临界电流密度下实现自由层磁矩的翻转，并实现磁性多层膜体系在高电阻态和低电阻态之间的转变；磁性多层膜的自由层和钉扎层均为磁性斯格明子层，能够在较低临界电流密度下实现自由层磁矩的翻转，从而操控磁性多层膜体系在高电阻态和低电阻态间变化，从而实现“0”和“1”的数据存储及相关的磁性传感器功能。
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公开(公告)号：CN102856488A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110305257.4
申请日：2011-09-30
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/22 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2213/51 , G11C2213/52 , G11C2213/53 , G11C2213/55 , H01F10/193 , H01F10/1936 , H01F10/3218 , H01F10/3272 , H01L27/22 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： 本发明提供一种基于铁电及多铁材料可逆电致电阻效应的纳米多层膜逻辑器件。由单功能层制备的逻辑器件，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能；由双功能层制备的逻辑器件，在双输入的情况下，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能；由双功能层制备的逻辑器件，在三输入(其中一个输入作为控制输入)的情况下，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能。
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公开(公告)号：CN104009151A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410228817.4
申请日：2014-05-27
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供了一种闭合形状的磁性隧道结。包括磁性固定层、磁性自由层以及设置在磁性固定层和磁性自由层之间的阻挡层；磁性自由层包括至少一组复合子层；复合子层由第一磁性层/非磁性层/第二磁性层组成。通过在磁性隧道结中设置具有至少一组复合子层的磁性自由层，由于该磁性自由层与参考层的磁矩成闭合状且磁性自由层包括至少一组复合子层，可消除层间和相邻单元的杂散磁场、避免层间和相邻单元间的磁性耦合干扰，增强了铁磁耦合自由层的形状各向异性，提高了热稳定性，降低了临界电流密度，避免了使用外磁场或者由较大脉冲电流产生的合成磁场来操控磁化状态所带来的结构和工艺上的复杂性，满足大规模产品化的要求。
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公开(公告)号：CN203932116U
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201420275983.5
申请日：2014-05-27
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本实用新型提供了一种闭合形状的磁性隧道结。包括磁性固定层、磁性自由层以及设置在磁性固定层和磁性自由层之间的阻挡层；磁性自由层包括至少一组复合子层；复合子层由第一磁性层/非磁性层/第二磁性层组成。通过在磁性隧道结中设置具有至少一组复合子层的磁性自由层，由于该磁性自由层与参考层的磁矩成闭合状且磁性自由层包括至少一组复合子层，可消除层间和相邻单元的杂散磁场、避免层间和相邻单元间的磁性耦合干扰，增强了铁磁耦合自由层的形状各向异性，提高了热稳定性，降低了临界电流密度，避免了使用外磁场或者由较大脉冲电流产生的合成磁场来操控磁化状态所带来的结构和工艺上的复杂性，满足大规模产品化的要求。
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