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公开(公告)号：CN104335284B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201380027469.8
申请日：2013-05-24
申请人： 科洛斯巴股份有限公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/419 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0097 , G11C2013/0042 , G11C2013/0052 , G11C2213/53 , G11C2213/74 , G11C2213/78 , G11C2213/79
摘要： 本发明提供一种具有高读取速度的电阻型随机存取存储器(RRAM)。在一实例中，RRAM存储器可以在一端子处通过一位线上电，并且在另一端子处连接到具有较低栅极电容(相对于该位线的电容)的晶体管的栅极。按照此布置，施加到该位线的信号能够响应于RRAM存储器处于导电状态而快速切换晶体管的栅极的状态。被配置为测量该晶体管的感测电路可以检测该晶体管的电流、电压等的变化并且从测量中确定RRAM存储器的状态。此外，由于晶体管栅极的电容较低，所以这种测量可以快速进行，大幅提高RRAM的读取速度。
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公开(公告)号：CN103403905B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280009970.7
申请日：2012-03-21
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L29/792 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/53 , H01L29/16 , H01L29/42348 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L51/0077 , H01L51/0092 , H01L51/0098 , H01L51/0591
摘要： 一个实施方案的有机分子存储器包含第一导电层、第二导电层和置于第一导电层与第二导电层之间的有机分子层，其中有机分子层包含电阻变化型分子链或电荷储存分子链，电阻变化型分子链或电荷储存分子链具有吸电子取代基。
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公开(公告)号：CN104335284A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380027469.8
申请日：2013-05-24
申请人： 科洛斯巴股份有限公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/419 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0097 , G11C2013/0042 , G11C2013/0052 , G11C2213/53 , G11C2213/74 , G11C2213/78 , G11C2213/79
摘要： 本发明提供一种具有高读取速度的电阻型随机存取存储器(RRAM)。在一实例中，RRAM存储器可以在一端子处通过一位线上电，并且在另一端子处连接到具有较低栅极电容(相对于该位线的电容)的晶体管的栅极。按照此布置，施加到该位线的信号能够响应于RRAM存储器处于导电状态而快速切换晶体管的栅极的状态。被配置为测量该晶体管的感测电路可以检测该晶体管的电流、电压等的变化并且从测量中确定RRAM存储器的状态。此外，由于晶体管栅极的电容较低，所以这种测量可以快速进行，大幅提高RRAM的读取速度。
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公开(公告)号：CN102487124B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201110290063.1
申请日：2011-09-21
申请人： 中国科学院物理研究所
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/22 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2213/51 , G11C2213/52 , G11C2213/53 , G11C2213/55 , H01F10/193 , H01F10/1936 , H01F10/3218 , H01F10/3272 , H01L27/22 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： 一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法，以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、中间导电层、覆盖层，中间导电层为磁性金属、磁性合金或者磁性金属复合层时，缓冲层和绝缘层可以根据实际需要选择性的添加。当中间导电层为非磁性金属层或反铁磁性金属层时，缓冲层和绝缘层必须添加，以便获得较高的信噪比。本发明通过变化的电场对铁电或多铁性材料的电极化特性进行调制，从而达到影响和改变金属层的电导的作用，调控器件电阻的变化，获得不同的电场下对应不同的电阻态，实现电致电阻效应。
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公开(公告)号：CN102694122A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210193421.1
申请日：2005-09-01
申请人： 统一半导体公司
CPC分类号： H01L45/08 , G06F17/5045 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0009 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2013/005 , G11C2013/009 , G11C2213/11 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/53 , G11C2213/54 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625
摘要： 本发明涉及两端可重写非易失性离子传输RRAM器件。该器件包括：可重写非易失性存储元件（ME），所述ME正好具有两个端子并且包括与所述两个端子电相连的：具有第一电导率的隧道势垒和离子贮存器，所述离子贮存器包括可移动离子并且具有高于所述第一电导率的第二电导率，所述离子贮存器和所述隧道势垒彼此电相连。
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公开(公告)号：CN108109650A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710363904.4
申请日：2017-05-22
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 辛善惠
CPC分类号： G11C11/419 , G06F1/26 , G11C5/02 , G11C5/148 , G11C7/22 , G11C8/08 , G11C11/4063 , G11C11/4087 , G11C11/4093 , G11C11/4094 , G11C11/413 , G11C13/0069 , G11C2207/005 , G11C2207/2227 , G11C2213/53
摘要： 可以提供一种半导体器件。半导体器件可以包括字线选择器，其被配置为基于行地址来产生用于选择字线的激活信号。激活信号可以被划分为基于读取命令而产生的读取激活信号以及基于写入命令而产生的写入激活信号。
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公开(公告)号：CN107017339A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611085215.3
申请日：2016-11-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2454 , G11C7/04 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092 , G11C2213/53 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/148 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , H01L45/04 , H01L45/14 , H01L45/16
摘要： 一种半导体装置结构的形成方法，其包括基板及储存单元结构于基板之上，此外，储存单元结构包含第一电极层于基板之上，及一变电阻材料层于第一电极层之上。储存单元结构更包含第二电极层于变电阻材料层之上。此外，变电阻材料层包含半金属及半金属合金。
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公开(公告)号：CN102959750B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180033400.7
申请日：2011-06-03
申请人： 于利奇研究中心有限公司
CPC分类号： H01L39/223 , G11C13/0007 , G11C13/04 , G11C2213/17 , G11C2213/53 , H01L39/145 , H01L39/228 , H01L45/08 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/1266 , H01L45/147
摘要： 本发明涉及一种可通过离子运动来开关的三栅极器件。该三栅极器件具有源电极（3）、漏电极（3）以及连接在所述源电极与所述漏电极之间的沟道（2），所述沟道由其电导率能够通过输入和/或输出离子来改变的材料制成。根据本发明，所述三栅极器件包括与栅电极（6）接触的离子池（5），所述离子池与所述沟道连接得使得在给所述栅电极施加电势时所述离子池能够与所述沟道交换离子。已经认识到，在将一起存在于离子池和沟道中的离子在离子池和沟道上分布时，在三栅极器件中可以存储信息。离子在沟道上和在离子池上的分布当且仅当给栅电极施加相应驱动电势时才改变。因此与RRAM不同，不存在“时间－电压困境”。
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公开(公告)号：CN105304126A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510450091.3
申请日：2015-07-28
申请人： 财团法人交大思源基金会
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2013/005 , G11C2013/009 , G11C2213/53 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L29/51 , H01L29/517 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
摘要： 本发明揭示一种记忆体阵列电路。记忆体阵列电路包括多个记忆体单元，其中记忆体单元每一者包含储存装置及场效晶体管。储存装置包括顶部电极、底部电极及氧化物介电层。顶部电极由金属或金属氧化物介电质形成，连接至字符线。底部电极由金属形成，氧化物介电层置于顶部电极与底部电极之间。场效晶体管包括：栅极端子，经连接至底部电极；源极端子，经连接至接地线；以及漏极端子，经连接至位线。储存装置的电阻值可根据施加于字符线上的第一电压以及施加于位线上的第二电压加以调整。记忆体结构的简单使其更容易被整合至现有逻辑互补式金属氧化物半导体场效晶体管制程中且对嵌入式应用更为实用。
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公开(公告)号：CN102856488B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110305257.4
申请日：2011-09-30
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/22 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2213/51 , G11C2213/52 , G11C2213/53 , G11C2213/55 , H01F10/193 , H01F10/1936 , H01F10/3218 , H01F10/3272 , H01L27/22 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： 本发明提供一种基于铁电及多铁材料可逆电致电阻效应的纳米多层膜逻辑器件。由单功能层制备的逻辑器件，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能；由双功能层制备的逻辑器件，在双输入的情况下，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能；由双功能层制备的逻辑器件，在三输入(其中一个输入作为控制输入)的情况下，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能。
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