-
公开(公告)号：CN117518276A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311489973.1
申请日：2023-11-09
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： G01V3/10
摘要： 本发明揭示了一种三维磁源反演装置及系统，包括：磁屏蔽桶、激励线圈、补偿线圈、支撑杆、若干磁性探测器及移动台。其中，激励线圈，沿磁屏蔽桶轴向固定安装于磁屏蔽桶中，用于产生位于激励线圈内部空间的激励磁场和位于激励线圈外部空间的外围磁场；补偿线圈，固定安装于磁屏蔽桶中，用于产生补偿磁场以抵消外围磁场及地磁场对激励线圈内部空间的影响；支撑杆，至少部分沿磁屏蔽桶轴向穿设于激励线圈内部空间中，支撑杆的端部固定安装有磁性载体；若干磁性探测器，设于磁屏蔽桶内壁上，用于探测磁性载体的三维磁场信号；移动台，移动台包括与支撑杆联动安装的直线驱动机构。本发明提供可使得磁性探测器探测采集到的磁场信号数据更加准确。
-
公开(公告)号：CN115586634A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211255965.6
申请日：2022-10-13
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本申请公开了一种大尺寸单轴的MEMS振镜，包括框架呈环形；振镜位于框架内部，振镜包括中心轴；一对扭转轴对称设置在振镜两侧，一对扭转轴与中心轴同轴设置，且扭转轴一端与框架固定，另一端与振镜的外环面固定；一对驱动单元，对称设置在振镜两侧，驱动单元与对应侧的扭转轴固定，且驱动单元用于驱动扭转轴扭转以带动振镜绕中心轴旋转。本申请能够根据工况自由设计驱动件的大小，调节驱动力，满足大尺寸MEMS振镜的驱动需求；能够在驱动力下发生较大角度的偏转，同时具有优良的抗冲击性能及合适的工作频率；可根据谐振频率进行设计，保证振镜工作在谐振频率下，有效提高扫描效果。
-
公开(公告)号：CN113008220A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110223123.1
申请日：2021-02-26
申请人： 上海大学 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种压电式磁性调谐盘型陀螺仪及其制备方法与应用。所述盘型陀螺仪包括具有空腔的支承结构、悬空设置于空腔上的谐振盘和连接谐振盘与支承结构的多个弹性连接件。其中，谐振盘上对称分布有至少一对驱动电极和至少一对敏感电极，驱动电极和敏感电极均包括依次叠设在谐振盘上的第一电极、压电层和第二电极，且所述谐振盘上还分布有第一磁性层，或者，驱动电极和敏感电极均包括依次叠设在谐振盘上的第一电极、压电层和导电的第一磁性层。该盘型陀螺仪通过逆压电效应驱动，压电效应检测，并通过磁致伸缩效应和磁电耦合效应调谐频率，避免了微电容的使用，减小了加工难度，提高了进一步减小器件尺寸的可能性以及器件灵敏度。
-
公开(公告)号：CN110534478A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201810510213.7
申请日：2018-05-24
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04
摘要： 本发明公开了一种传感器件，所述传感器件包括：传感部，包括第一半导体衬底、第一电极层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层设置于所述第一半导体衬底上，所述第一电极层和所述第二电极层之间具有间隔；检测部，独立于所述传感部，所述检测部包括第二衬底以及设置于所述第二衬底上的检测电极层；电连接部，连接所述检测电极层并通过所述间隔与所述第一半导体衬底连接。本发明还公开了一种传感器件器的制作方法。本发明的传感器件，设置检测部，通过电连接部将第一半导体衬底与检测电极层连接起来，通过检测部去检测样本，可以有效保护传感器件不被检测样本污染、降解，从而大大提高传感器件的可靠性，延长使用寿命，提高传感器件的抗干扰能力。
-
公开(公告)号：CN110488247A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910767193.6
申请日：2019-08-20
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： G01S7/481
摘要： 本发明属于激光雷达探测领域，为扩大接收视场角、提高信噪比提出一种二维MEMS扫描振镜激光雷达系统；二维MEMS扫描振镜作为扫描机构，由控制系统控制激光器发出高频脉冲激光，返回的激光信号光线依次经过滤光片、大相对孔径光学镜头成像在传像纤维光锥入射端面上，传像纤维光锥进一步将光线传递到APD阵列探测器表面。传像纤维光锥由锥形光纤束排列而成，APD阵列探测器根据二维MEMS扫描振镜的扫描角度和对应回波光线在所述传像纤维光锥输出的光斑位置，选通对应的APD探测器单元采集信号。实现了接收光学系统口径和焦距及探测器面积一定时，扩大MEMS激光雷达的视场，降低环境背景光对系统的干扰，提高信号接收的信噪比。
-
公开(公告)号：CN104466617B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201410479293.6
申请日：2014-09-18
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01S1/02
摘要： 本发明提供一种太赫兹光源芯片、光源器件、光源组件及其制造方法，光源芯片包括：二维电子气台面；形成在二维电子气台面上的用于激发等离子体波的电极；形成在二维电子气台面下方的太赫兹谐振腔，谐振腔底面设置有全反射镜；以及光栅，其形成在二维电子气台面上，用于将等离子体波模式与太赫兹谐振腔腔模相耦合，以产生太赫兹波发射。本发明利用太赫兹谐振腔腔模与光栅下二维电子气内的等离子体波模式的强耦合形成等离极化激元，通过等离极化激元的电学激发产生太赫兹波发射，避免了依靠单个电子的高频振荡或单个电子的量子跃迁产生太赫兹发射存在频率低或工作温度低的问题，扩大了发射频率范围和工作温度范围。
-
公开(公告)号：CN106586940A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510684215.4
申请日：2015-10-20
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC分类号： B81B3/0094 , B81C1/0015 , G01L25/00
摘要： 本发明公开了一种硅基力值探针及其制作方法，所述探针包括主体支撑结构、悬臂梁和针尖等。而所述的制作方法包括：提供双层顶层硅(100)型SOI硅片，所述硅片包括从上向下依次设置的第一层顶层硅、第一层二氧化硅埋层、第二层顶层硅、第二层二氧化硅埋层和底层硅，其中第一层、第二层顶层硅的厚度分别与所述探针的针尖高度及悬臂梁厚度相等；在所述硅片的第一层、第二层顶层硅上加工形成所述探针的针尖结构和悬臂梁结构；以及对所述硅片的底层硅进行加工，形成所述探针的主体支撑结构。本发明的硅基力值探针能实现准确定位，同时其制作方法简单易行，能够实现硅基力值探针的可控制备，且能有效提高力值标准件的成品率及性能。
-
公开(公告)号：CN102914872B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210472452.0
申请日：2012-11-20
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种半导体激光器椭圆光斑整形和准直装置，包括设置于半导体激光器所发射光束的传播路径上的至少一非旋转对称的透镜，其中，所述透镜包括：用于实现对在快轴方向传播的光束进行准直的第一面；以及，用于实现对在慢轴方向传播的光束进行扩束和准直的第二面。本发明的优点至少采用的光学元件少，且尺寸小，同时还能够实现椭圆光斑的整形和准直，充分满足了MEMS振镜微投影仪光学系统的应用需求。
-
公开(公告)号：CN102279476B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110198257.9
申请日：2011-07-15
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： G02F1/015
摘要： 本发明公开了一种高速电调控太赫兹调制器，包括介质基板(4)，所述介质基板(4)是对太赫兹波透明的材料，且所述介质基板表面分布高电子迁移率晶体管(3)形成的阵列，该介质基板表面以及高电子迁移率晶体管阵列表面还附着有频率选择表面结构(2)，所述频率选择表面结构是具有带通滤波结构的图形化导电薄膜，所述导电薄膜对应于每一高电子迁移率晶体管局部分别构成该高电子迁移率晶体管的源极(b)、漏极(c)和栅极(a)；所述高电子迁移率晶体管的电子迁移率在1500cm2/Vs以上。本发明实现了以电调制方式对太赫兹波幅值的高速调制效应，调制速度可大于10MHz，相对调制深度大于50％。
-
公开(公告)号：CN102169837B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201110059597.3
申请日：2011-03-12
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L21/336 , B82B3/00
摘要： 本发明涉及一种室温单电子晶体管的制备方法。该方法为：在衬底表面上加工形成单电子晶体管的源极、漏极和栅极，并通过不同试剂的修饰处理令该衬底表面上的电极区域和非电极区域分别负载异种电荷，从而在衬底上形成静电漏斗结构；至少将该衬底表面置于纳米粒子的分散液中，令纳米粒子在静电漏斗的引导下排布在单电子晶体管的源极与漏极之间；对衬底进行干燥处理，并在该衬底表面上覆设绝缘层。本发明的优点至少在于：克服了当前单电子晶体管量子点尺寸过大、量子点排列无序及不具备大规模制备单电子晶体管的能力等方面的问题，同时降低了单电子晶体管的生产成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
66 条记录 (耗时 0.073 秒)
