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公开(公告)号：CN112736176B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN201910975239.3
申请日：2019-10-14
申请人： 中国科学院金属研究所(CN)
摘要： 本发明涉及发光二极管的制作领域，具体为一种通过增透型掺杂剂薄膜提高发光二极管发光效率的方法。该方法在透明电极与发光层之间引入增透型掺杂剂薄膜，通过增透型掺杂剂薄膜同时改善透明电极的光外耦合效率和电荷注入效率，从而提升发光二极管的发光效率：在透明电极的表面形成增透型掺杂剂薄膜，利用薄膜的光学增透效应促进波导模式耦合进入透明电极，从而提高发光二极管的出光率；同时利用薄膜的表面电荷转移作用对透明电极进行掺杂以改善其功函数，从而提高电极的电荷注入效率。该方法无需使用复杂的微纳结构，与发光二极管的制作工艺兼容性高，为发展高性能发光二极管提供了简单有效的技术途径。
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公开(公告)号：CN107039588B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610080444.X
申请日：2016-02-04
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及高性能石墨烯基透明导电薄膜的设计、制备与应用领域，具体为一种氧化石墨烯/石墨烯叠层透明导电薄膜及其制备和应用。透明导电薄膜由透明基体和导电层组成，导电层由石墨烯和氧化石墨烯相互堆叠而成。首先通过转移在透明基体表面制作石墨烯薄膜，然后通过选择性氧化顶层、转移或者喷涂氧化石墨烯的方法获得氧化石墨烯/石墨烯叠层异质结构透明导电薄膜，最后通过重复以上过程和控制堆叠的次序获得具有不同堆叠结构的氧化石墨烯/石墨烯叠层异质结构透明导电薄膜。本发明的薄膜结构和制备方法简单，所得薄膜具有较高透明性、导电性、功函数和表面浸润性，广泛应用于有机发光二极管、有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池等光电器件领域。
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公开(公告)号：CN105585728A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510845618.2
申请日：2015-11-26
申请人： 中国科学院金属研究所 , 深圳TCL工业研究院有限公司
摘要： 本发明涉及异方性导电胶领域，具体为一种碳纳米管包覆聚合物微球的方法，利用碳纳米管分散液将碳纳米管包裹在聚合物微球的外表面上，适用于异方性导电胶中导电微粒的制备。该方法主要包括：1)利用表面活性剂制备碳纳米管分散液；2)将聚合物微球放入所得到的碳纳米管分散液中进行混合，形成混合溶液；3)离心分离去掉多余的碳纳米管分散液；4)利用水洗或溶剂清洗的方法去除残留的表面活性剂；5)干燥，得到被碳纳米管均匀包覆的聚合物微球粉末样品。本发明工艺简单、快捷高效，解决现有金属镍(Ni)、金(Au)及镍上镀金等材料制备导电微球方法中存在的资源短缺、价格昂贵和设备复杂等难题。
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公开(公告)号：CN116761486A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310542958.2
申请日：2023-05-15
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： H10K71/60 , H10K71/00 , H10K59/12 , H10K59/80 , H10K59/123 , H10K50/805
摘要： 本发明涉及一种石墨烯像素电极限域载流子传输及其柔性有源矩阵发光二极管的制备方法，属于透明导电膜应用与柔性显示技术领域。利用绝缘性聚合物材料使石墨烯像素电极间绝缘同时提高电荷的垂直注入与输运及其柔性有源矩阵发光二极管的制备方法。首先将不同基体上生长的石墨烯薄膜转移至转印基体上，并对其进行激光刻蚀制备出石墨烯像素电极。然后将石墨烯像素电极矩阵转移至薄膜晶体管阵列上，进而在石墨烯矩阵表面沉积一层超薄的聚合物层。最后，在聚合物改性的石墨烯电极上构建发光二极管，获得有源矩阵发光二极管器件。该方法制备的有源矩阵发光二极管器件具有像素清晰、柔性可弯折，在柔性显示器及智能穿戴设备等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109205594B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201710516037.3
申请日：2017-06-29
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C01B32/184 , H01L41/37 , H01L35/22 , H01L35/34 , H01B1/04
摘要： 本发明涉及石墨烯导电球的制备与应用领域，具体为一种利用氧化石墨烯包覆微球再经还原制备石墨烯导电微球的方法及其应用。该石墨烯导电微球主要由无机、有机或无机/有机复合微球作为支撑结构，其外包覆石墨烯导电层组成，其制备方法主要包括：(1)在氧化石墨烯水溶液中加入表面活性剂，超声至混合均匀；(2)将微球加入到上述溶液中，超声混合的同时加入还原剂；(3)加热、搅拌将包覆在微球表面的氧化石墨烯还原；(4)离心分离、清洗、干燥得到均匀包覆的石墨烯导电球。本发明工艺简单、操作快捷、产率高、适于工业化生产，所制备的石墨烯导电球可替代传统的包覆了金、镍等导电球作为导电、导热填料应用于压敏、热敏、导电元件中。
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公开(公告)号：CN111446306A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201910044567.1
申请日：2019-01-17
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01B5/14 , H01B13/00
摘要： 本发明涉及透明导电膜及其应用领域，具体为一种凝胶型聚合物电解质修饰透明导电膜调控其功函数的方法。首先通过“共聚-稀释”的方法，制备得到无机金属盐/柠檬酸-正硅酸乙酯凝胶型聚合物电解质溶液，然后利用旋涂等方法将其涂覆在ITO、FTO等透明导电膜表面，再经一定温度干燥后即可实现凝胶型聚合物电解质对透明导电膜的修饰。从而，通过改变无机金属盐的种类、在凝胶型聚合物基体中的浓度及其成膜厚度来调控透明导电膜的功函数。所得凝胶型聚合物电解质修饰的透明导电膜不仅功函数可调，而且具有较好的表面浸润性、粘附性和稳定性，可广泛应用于有机发光二极管和有机太阳能电池等光电器件的透明电极。
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公开(公告)号：CN112736166B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201910974613.8
申请日：2019-10-14
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及发光二极管的制作领域，具体为一种通过非周期性纳米结构掺杂剂提高发光二极管发光效率的方法。该方法在透明电极与发光层之间引入非周期性纳米结构掺杂剂，通过非周期性纳米结构掺杂剂同时改善透明电极的光外耦合效率和电荷注入效率，从而提升发光二极管的发光效率：在透明电极的表面形成非周期性纳米结构掺杂剂，利用其非周期性的纳米结构减少出射光的全内反射，从而提高发光二极管的出光率；同时，利用掺杂剂的表面电荷转移作用对透明电极进行掺杂以改善其功函数，从而提高电极的电荷注入效率。该方法工艺简单，与发光二极管的制作工艺兼容性高，为发展高性能发光二极管提供了有效的技术途径。
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公开(公告)号：CN111446306B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201910044567.1
申请日：2019-01-17
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01B5/14 , H01B13/00
摘要： 本发明涉及透明导电膜及其应用领域，具体为一种凝胶型聚合物电解质修饰透明导电膜调控其功函数的方法。首先通过“共聚‑稀释”的方法，制备得到无机金属盐/柠檬酸‑正硅酸乙酯凝胶型聚合物电解质溶液，然后利用旋涂等方法将其涂覆在ITO、FTO等透明导电膜表面，再经一定温度干燥后即可实现凝胶型聚合物电解质对透明导电膜的修饰。从而，通过改变无机金属盐的种类、在凝胶型聚合物基体中的浓度及其成膜厚度来调控透明导电膜的功函数。所得凝胶型聚合物电解质修饰的透明导电膜不仅功函数可调，而且具有较好的表面浸润性、粘附性和稳定性，可广泛应用于有机发光二极管和有机太阳能电池等光电器件的透明电极。
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公开(公告)号：CN109205594A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710516037.3
申请日：2017-06-29
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C01B32/184 , H01L41/37 , H01L35/22 , H01L35/34 , H01B1/04
摘要： 本发明涉及石墨烯导电球的制备与应用领域，具体为一种利用氧化石墨烯包覆微球再经还原制备石墨烯导电微球的方法及其应用。该石墨烯导电微球主要由无机、有机或无机/有机复合微球作为支撑结构，其外包覆石墨烯导电层组成，其制备方法主要包括：(1)在氧化石墨烯水溶液中加入表面活性剂，超声至混合均匀；(2)将微球加入到上述溶液中，超声混合的同时加入还原剂；(3)加热、搅拌将包覆在微球表面的氧化石墨烯还原；(4)离心分离、清洗、干燥得到均匀包覆的石墨烯导电球。本发明工艺简单、操作快捷、产率高、适于工业化生产，所制备的石墨烯导电球可替代传统的包覆了金、镍等导电球作为导电、导热填料应用于压敏、热敏、导电元件中。
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公开(公告)号：CN105199641B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510662918.7
申请日：2015-10-14
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司 , 中国科学院金属研究所 , 深圳TCL工业研究院有限公司
IPC分类号： C09J163/00 , C09J11/04
CPC分类号： C09J9/02 , B01J2/006 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0273 , C01B32/174 , C01B2202/22 , C08K3/041 , C08K3/36 , C08K7/18 , C08K2201/001 , C08L25/06 , C09J163/00 , H01B1/04 , H01B1/18 , H01B1/24 , H01B13/0036 , H01B13/30 , H01L51/0048 , Y10S977/742 , Y10S977/842 , Y10S977/892 , Y10S977/932 , C08K9/12
摘要： 本发明提供一种碳纳米管导电球的制备方法与碳纳米管球导电胶的制备方法。本发明的碳纳米管导电球的制备方法，结合聚合物微球、SiO2微球的稳定性和碳纳米管的高导电性优势，以聚合物微球、或SiO2微球为基体，包裹碳纳米管材料，得到球状的碳纳米管导电球，其制备工艺简单，设备要求低，原料丰富，成本低廉，效率高，所制得的碳纳米管导电球粒径可控，材料稳定性高，导电性能优异，环境友好；本发明的碳纳米管球导电胶的制备方法，采用碳纳米管导电球作为导电粒子，代替目前导电胶中常用的导电金球而应用于TFT‑LCD中，克服了传统导电胶中导电填料的含量过高、价格昂贵、制备工艺复杂、对环境污染性高等缺点，此外，所制备的碳纳米管球导电胶在超细电路连接中也有着巨大的应用前景。
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