一种用于钢带尺单面涂胶的弯月面涂胶装置

    公开(公告)号:CN103272734A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201310207070.X

    申请日:2013-05-30

    摘要: 一种用于钢带尺单面涂胶的弯月面涂胶装置属于用于制作光栅尺的钢带尺涂胶装置领域,其包括从动钢带盘、两个钢带盘支架、钢带尺水平定位装置、狭缝镀杆、输胶管、输送泵、盛胶器皿、胶液固化装置、主动钢带盘、抽真空系统和传动装置。狭缝镀杆位于从动钢带盘和主动钢带盘之间,并置于钢带运行平面的下方。输送泵的两端均与输胶管连接,盛胶器皿通过输胶管、输送泵与狭缝镀杆连接。该装置能够使弯月面涂胶法应用于钢带尺这种宽幅、大表面柔性材料的一次性涂胶过程,其镀膜胶液利用率和回收率都相对较高,胶液所形成的薄膜厚度可以精确控制、膜厚均匀,此外,该涂胶装置所需镀膜胶液易于制备,因此能很好地适应钢带尺的镀膜涂胶需求。

    一种新型焦平面阵列电互连工艺

    公开(公告)号:CN102881607A

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:CN201210375290.9

    申请日:2012-09-27

    IPC分类号: H01L21/603 H01L21/768

    CPC分类号: H01L2224/11

    摘要: 一种新型焦平面阵列电互连工艺,属于光电成像技术领域,为了解决焦平面探测器在冷压焊过程中铟柱产生形变而导致热导增大的问题,本发明一种新型焦平面阵列电互连工艺,包括以下步骤:一:焦平面探测器读出电路上的光刻工艺;二:金属膜层的沉积工艺,首先进行镍或铜金属膜的沉积,然后进行铟金属膜的沉积,且镍或铜金属膜层的厚度大于铟金属膜层的厚度;三:读出电路上的光刻胶剥离工艺;四:读出电路上的铟柱回流成球工艺;五:焦平面芯片上的电极制作工艺;六:焦平面芯片与读出电路的冷压焊互连工艺;本发明利用镍或铜作为铟柱支撑和电气连通金属,避免了冷压焊互连过程中由于铟柱变形导致的热导增大问题,从而提高焦平面阵列探测器的性能。

    一种用于钢带尺单面涂胶的弯月面涂胶装置

    公开(公告)号:CN103272734B

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201310207070.X

    申请日:2013-05-30

    摘要: 一种用于钢带尺单面涂胶的弯月面涂胶装置属于用于制作光栅尺的钢带尺涂胶装置领域,其包括从动钢带盘、两个钢带盘支架、钢带尺水平定位装置、狭缝镀杆、输胶管、输送泵、盛胶器皿、胶液固化装置、主动钢带盘、抽真空系统和传动装置。狭缝镀杆位于从动钢带盘和主动钢带盘之间,并置于钢带运行平面的下方。输送泵的两端均与输胶管连接,盛胶器皿通过输胶管、输送泵与狭缝镀杆连接。该装置能够使弯月面涂胶法应用于钢带尺这种宽幅、大表面柔性材料的一次性涂胶过程,其镀膜胶液利用率和回收率都相对较高,胶液所形成的薄膜厚度可以精确控制、膜厚均匀,此外,该涂胶装置所需镀膜胶液易于制备,因此能很好地适应钢带尺的镀膜涂胶需求。

    一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法

    公开(公告)号:CN103399465B

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201310342944.2

    申请日:2013-08-08

    IPC分类号: G03F7/20 G03F9/00

    摘要: 一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法,属于光电技术及微纳加工技术领域,设计掩模板A和掩模板B,分别对应基片的表面a和表面b所需图形,在掩模板A上设计中心对称的内外两层对准标记,内层对准标记在基片尺寸范围内,首先利用掩模板A在基片的表面a进行光刻,接下来利用掩模板A在透明衬底表面进行光刻,将透明衬底上已做好光刻图形的表面与基片做好光刻图形的表面a相对,基片与衬底粘合后,利用掩模板B在基片表面b进行光刻,最后利用加热或溶解的方法将基片与透明衬底分离,得到具有双面对准图形的基片。借助透明衬底完成双面对准,实现利用普通的单面曝光机来实现双面光刻的问题,降低了双面光刻工艺成本。

    一种新型焦平面阵列电互连工艺

    公开(公告)号:CN102881607B

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201210375290.9

    申请日:2012-09-27

    IPC分类号: H01L21/603 H01L21/768

    CPC分类号: H01L2224/11

    摘要: 一种新型焦平面阵列电互连工艺,属于光电成像技术领域,为了解决焦平面探测器在冷压焊过程中铟柱产生形变而导致热导增大的问题,本发明一种新型焦平面阵列电互连工艺,包括以下步骤:一:焦平面探测器读出电路上的光刻工艺;二:金属膜层的沉积工艺,首先进行镍或铜金属膜的沉积,然后进行铟金属膜的沉积,且镍或铜金属膜层的厚度大于铟金属膜层的厚度;三:读出电路上的光刻胶剥离工艺;四:读出电路上的铟柱回流成球工艺;五:焦平面芯片上的电极制作工艺;六:焦平面芯片与读出电路的冷压焊互连工艺;本发明利用镍或铜作为铟柱支撑和电气连通金属,避免了冷压焊互连过程中由于铟柱变形导致的热导增大问题,从而提高焦平面阵列探测器的性能。

    基于等离子体透镜阵列的非制冷红外焦平面探测器

    公开(公告)号:CN103335728A

    公开(公告)日:2013-10-02

    申请号:CN201310251677.8

    申请日:2013-06-24

    IPC分类号: G01J5/12 G01J5/08 H01L27/16

    摘要: 本发明公开了一种基于等离子体透镜阵列的非制冷红外焦平面探测器,属于红外探测器制备技术领域,解决了现有技术中非制冷红外探测器灵敏度低,而基于折射型微透镜阵列的非制冷红外探测器制作工艺复杂,不利于实际应用的技术问题。本发明的非制冷红外焦平面探测器,包括读出电路,所述读出电路上的铟柱,所述铟柱上的传感器阵列,所述传感器阵列上的红外谐振腔吸收器,所述红外谐振腔吸收器上的金属光栅等离子体透镜阵列,所述金属光栅等离子体透镜阵列由紧密排列的等离子体透镜构成,每个等离子体透镜由被刻蚀的中心小孔和多个同心圆环组成。本发明的非制冷红外焦平面探测器具有高灵敏度、高信噪比、高效率,且制备工艺简单,利于实际应用。

    一种平面高精度平行度的检测装置

    公开(公告)号:CN102538714A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201110451097.4

    申请日:2011-12-29

    IPC分类号: G01B11/26

    摘要: 一种平面高精度平行度的检测装置,包括:平面干涉测量装置,其可以对第一待测面与第二待测面之间的平行度进行激光平面干涉测量;移相装置,其可以将所述第二待测面在光路方向上移动;所述第一待测面为半反半透的待测面,所述第二待测面为全反射的待测面,在光路上,所述第一待测面位于所述第二待测面之前。本发明的平面高精度平行度的检测装置,利用将激光平面干涉测量技术与移相干涉技术相结合,大幅度的提高激光平面干涉测量技术的精确度,从而可以对平面高精度平行度进行检测。

    渐变焦距透镜阵列的曲面仿生复眼成像装置

    公开(公告)号:CN105467477A

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201510872649.7

    申请日:2015-12-03

    IPC分类号: G02B3/00 G02B27/00

    摘要: 渐变焦距透镜阵列的曲面仿生复眼成像装置属于按曲面阵列的透镜仿生复眼成像装置领域,该装置在玻璃球壳的曲面上布置由多个层级的单眼所共同构成的透镜阵列,其位于不同层级上的单眼透镜的曲率和焦距逐级变化,但所有的单眼透镜均聚焦于唯一的平面图像传感器表面,使得位于视场边缘的单眼透镜依然可以有效对焦,避免了离焦状态的发生。该装置还通过筛孔状金属孔洞阵列覆盖于图像传感器表面,并使其每一个筛孔均与一个独立的单眼透镜光路唯一对应,起到分割视场的作用,进而实现各个单眼透镜图像的整体拼接并防止临近单眼透镜的光路彼此干扰和影响。此外该装置还具有分辨率高、实时性强,容易小型化、轻量化及等便于制造和维护诸多优点。

    二维光纤精密定位耦合器

    公开(公告)号:CN103605197B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201310613753.5

    申请日:2013-11-26

    IPC分类号: G02B7/00 G02B6/26

    摘要: 二维光纤精密定位耦合器及其制作方法,属于光纤耦合连接器件制造领域,为解决现有技术借助机械夹具固定光纤的位置,限制了光纤的定位精度的问题,本发明将光纤逐根插入两片光纤精密定位镍片,且与镍片定位片、定位柱和耦合器封装保护外壳进行装配,并向保护外壳内及裸露光纤端头灌装树脂类材料进行封装;光纤定位微孔的精度可以达到亚微米级甚至更高,利用多组定位片实现高精密定位二维光纤阵列的轴向角定位精度,借助树脂封装固化使得二维光纤阵列得到永久固定,光纤阵列端面经过抛光处理后可达到光学级别的平整度;该方法制作的二维光纤阵列耦合器可以满足与二维点阵光源等高精密光学设备耦合连接的要求,且制造工艺简单,易于实现标准化制作。