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公开(公告)号：CN103642495B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310682826.6
申请日：2013-12-13
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供一种核壳结构的发光材料，以稀土发光材料为核，以半导体Cd1-xZnxS为壳；所述稀土发光材料以稀土离子为发光中心；半导体Cd1-xZnxS中Zn的组分范围为0≤X＜1。半导体材料对于高于带隙的光子具有强烈的吸收，准连续的能带结构允许半导体在很宽的光谱范围内都具有很高的吸收系数，并且高能光子激发的电子能够有效的弛豫到导带底来向下跃迁发光。因此制备得到了核壳结构的发光材料具有出色的光转换性能发光效率高。本发明采用热压烧结和高温退火相结合的全固态反应方法，整个过程中不添加任何溶剂，避免引入含有C-H,C-O键的化合物杂质，保证了较高的发光效率。
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公开(公告)号：CN111364006A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010258990.4
申请日：2020-04-03
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所 , 长春理工大学
摘要： 本发明提供一种用真空或气相沉积方法制备具有多价态金属氧化物的方法，金属氧化物具有多个氧化态，通过引入电负性小于氧的非惰性气体在生长表面与氧形成吸附竞争，进而调控氧化物生长表面氧的化学势，实现对氧化物中金属元素化合价及相的控制。
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公开(公告)号：CN107838402A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711141341.0
申请日：2017-11-16
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了一种复杂镁合金结构件的制造方法，包括：首先采用激光快速成型机对UG软件制得的图进行打印成型，得到树脂模型；然后将得到的树脂模型的表面刷涂锆溶胶，然后撒上刚玉砂，固化得到固化白玉砂的模型；然后将固化白玉砂的模型放入砂箱，浇灌石膏浆料，得到石膏模型；最后将稀土镁合金通过真空差压铸造机在石膏模型中浇铸成型，得到复杂镁合金结构件；与现有制造工艺相比，本发明工艺流程短，无需制作金属型模具；相比于砂型铸造，铸件表面质量光滑，尺寸精度好；采用3D打印技术制造蜡模，可做到近终成形；采用差压铸造工艺制备稀土镁合金铸件，性能较好，特别适合于复杂结构的镁合金部件的试制及小批量生产。
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公开(公告)号：CN103627399A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310682779.5
申请日：2013-12-13
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了一种半导体/荧光粉异质结构及其制备方法，包括以下步骤：在保护气体氛围下，将荧光粉和半导体混合后研磨，得到混合物，在保护气体或真空氛围下，将上述步骤得到的混合物在脉冲电流和压力的作用下，进行烧结得到半导体/荧光粉异质结构；所述荧光粉的摩尔数占荧光粉和半导体总摩尔数的百分比为10%～40%。本发明采用放电等离子体热压烧结方法制备半导体/荧光粉异质结构，本发明制备的半导体/荧光粉异质结构，利用半导体的能带特征，实现了稀土离子宽带激发的光转换。
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公开(公告)号：CN101886243B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010225691.7
申请日：2010-07-14
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明实施例公开了一种铁薄膜的制备方法，该制备方法以Fe2O3陶瓷靶为溅射靶，利用磁控溅射沉积设备，用Ar与H2的混合气体为溅射及还原气体，通过选择合适的H2与Ar比例、沉积温度及生长室压力，制备了铁薄膜。由于Fe2O3靶材不是铁磁性材料，因此溅射源可以采用普通的永磁型溅射源，无需采用特殊的溅射源；同时，Fe2O3比单质铁更容易获得高纯度；此外，Fe2O3靶材的生产成本较低，有利于工业化生产。实验结果表明，本发明制备的铁薄膜结晶质量高，重复性好。
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公开(公告)号：CN101886243A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010225691.7
申请日：2010-07-14
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明实施例公开了一种铁薄膜的制备方法，该制备方法以Fe2O3陶瓷靶为溅射靶，利用磁控溅射沉积设备，用Ar与H2的混合气体为溅射及还原气体，通过选择合适的H2与Ar比例、沉积温度及生长室压力，制备了铁薄膜。由于Fe2O3靶材不是铁磁性材料，因此溅射源可以采用普通的永磁型溅射源，无需采用特殊的溅射源；同时，Fe2O3比单质铁更容易获得高纯度；此外，Fe2O3靶材的生产成本较低，有利于工业化生产。实验结果表明，本发明制备的铁薄膜结晶质量高，重复性好。
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公开(公告)号：CN103627399B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310682779.5
申请日：2013-12-13
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了一种半导体/荧光粉异质结构及其制备方法，包括以下步骤：在保护气体氛围下，将荧光粉和半导体混合后研磨，得到混合物，在保护气体或真空氛围下，将上述步骤得到的混合物在脉冲电流和压力的作用下，进行烧结得到半导体/荧光粉异质结构；所述荧光粉的摩尔数占荧光粉和半导体总摩尔数的百分比为10%～40%。本发明采用放电等离子体热压烧结方法制备半导体/荧光粉异质结构，本发明制备的半导体/荧光粉异质结构，利用半导体的能带特征，实现了稀土离子宽带激发的光转换。
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公开(公告)号：CN107354357B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710509847.6
申请日：2017-06-28
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了一种变形镁合金，成分为：4～5wt％的Sm；0.75～3wt％的Yb；0.5～0.8wt％的Zn；0.4～0.6wt％的Zr；余量为Mg及不可避免的杂质。本发明在Mg、Zn、Zr成分的变形镁合金中添加Sm和Yb，Sm和Yb具有协同作用能够降低彼此的固溶度，起到细化晶粒、固溶强化和沉淀析出第二相强化的效果，而且还能够形成具有相对熔点高、热稳定性良好的金属间化合物Mg3Sm、Mg24(Sm,Yb)5、Mg5(Sm,Yb)。这些稳定性良好的第二相在高温条件下能够有效阻碍位错运动和晶界活动，从而提升变形镁合金的力学性能和耐热性能。本发明还提供了一种上述技术方案所述变形镁合金的制备方法。
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公开(公告)号：CN107354357A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710509847.6
申请日：2017-06-28
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了一种变形镁合金，成分为：4～5wt％的Sm；0.75～3wt％的Yb；0.5～0.8wt％的Zn；0.4～0.6wt％的Zr；余量为Mg及不可避免的杂质。本发明在Mg、Zn、Zr成分的变形镁合金中添加Sm和Yb，Sm和Yb具有协同作用能够降低彼此的固溶度，起到细化晶粒、固溶强化和沉淀析出第二相强化的效果，而且还能够形成具有相对熔点高、热稳定性良好的金属间化合物Mg3Sm、Mg24(Sm,Yb)5、Mg5(Sm,Yb)。这些稳定性良好的第二相在高温条件下能够有效阻碍位错运动和晶界活动，从而提升变形镁合金的力学性能和耐热性能。本发明还提供了一种上述技术方案所述变形镁合金的制备方法。
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公开(公告)号：CN103642495A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310682826.6
申请日：2013-12-13
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供一种核壳结构的发光材料，以稀土发光材料为核，以半导体Cd1-xZnxS为壳；所述稀土发光材料以稀土离子为发光中心；半导体Cd1-xZnxS中Zn的组分范围为0≤X＜1。半导体材料对于高于带隙的光子具有强烈的吸收，准连续的能带结构允许半导体在很宽的光谱范围内都具有很高的吸收系数，并且高能光子激发的电子能够有效的弛豫到导带底来向下跃迁发光。因此制备得到了核壳结构的发光材料具有出色的光转换性能发光效率高。本发明采用热压烧结和高温退火相结合的全固态反应方法，整个过程中不添加任何溶剂，避免引入含有C-H,C-O键的化合物杂质，保证了较高的发光效率。
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