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公开(公告)号：CN111071986B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201911394242.2
申请日：2019-12-30
申请人： 北京航空航天大学 , 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所
摘要： 本发明涉及半导体加工技术领域，提供了一种激光改性辅助制备碳化硅多级微结构的方法及一种加速度传感器。本发明在碳化硅基底表面制备图案化掩膜，对具有图案化掩膜的碳化硅基底进行局部激光辐照，激光辐照区域内无掩膜遮蔽的碳化硅发生改性，改性后的碳化硅刻蚀速率远高于未经激光辐照的单晶碳化硅，利用二者的刻蚀速率差，实现碳化硅多级微结构的一次性同步刻蚀。本发明提供的方法工艺简单，可操作性强，利用该方法能够制备出具有碳化硅多级微结构的传感元件和带有光纤孔的碳化硅传感基板，二者通过键合能够实现耐高温光学式碳化硅加速度传感器的制备，解决常规加速度传感器无法在高温恶劣环境下工作的问题。
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公开(公告)号：CN111933623A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010607233.3
申请日：2020-06-29
IPC分类号： H01L25/065
摘要： 本发明提供了一种基于基板侧面焊盘的封装互连结构及方法，包括塑封层(1)、元器件(2)、基板层(3)、基板侧面焊盘(4)、焊球(5)、侧面引脚(6)、PCB板(7)。制作基板时在其侧面制作相应的焊盘，封装互连时根据封装体的具体尺寸及高度设计引脚尺寸，实现从基板侧面进行电信号的引出，可以提高IO密度，在多层封装互连时，根据封装结构的尺寸，采用本方法可以直接实现顶层基板信号与PCB的连接。本发明提出一种基于侧面pad结构的设计，将部分pad由基板背面布线移至基板侧面，单一产品可以增加IO密度，还可以解决多层基板之间跨层互连问题，同时为POP互连提供便捷方案。
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公开(公告)号：CN111128913A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911353667.9
申请日：2019-12-24
摘要： 本发明涉及一种芯片的倒装焊接封装结构，封装结构包括芯片、塑封、焊料和基板；所述芯片底面由焊料形成微凸点，微凸点开有盲孔；基板设置有铜柱，所述导电柱插接在所述盲孔中，导电柱的内径与所述盲孔的外径相适配；所述芯片和微凸点均被塑封包覆。本发明利用传统半导体加工方法解决了现有芯片倒装焊接时不易对准、润湿不好、容易错位，连接强度不高等问题出现，具有工艺简单，容易操作等优点。
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公开(公告)号：CN114355064A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111593170.1
申请日：2021-12-23
IPC分类号： G01R29/24
摘要： 本发明属于电量属于测试技术领域，公开了一种一体式移动物体电量检测传感器，包括：中心探头、硬质夹层、填充物或初级电路、分体壳套以及引线，可以对经过传感器的带电物体的电量进行探测，获得的响应信号幅值与电量成正相关关系。其中，中心探头采用高电导率材料并与引线连接；中心探头外包裹有高电阻率硬质夹层；硬质夹层外装有分体壳套，引线由分体壳套中引出，引线带有屏蔽外壳并与分体壳套连接，硬质夹层和分体壳套中空间部分通过填充物填充，空间中也可放置初级电路，对信号起转化和放大作用。本发明在实现移动物体带电量探测的同时，提高了传感器与电缆连接的可靠性、耐温性、屏蔽性。
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公开(公告)号：CN111128913B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201911353667.9
申请日：2019-12-24
摘要： 本发明涉及一种芯片的倒装焊接封装结构，封装结构包括芯片、塑封、焊料和基板；所述芯片底面由焊料形成微凸点，微凸点开有盲孔；基板设置有铜柱，所述导电柱插接在所述盲孔中，导电柱的内径与所述盲孔的外径相适配；所述芯片和微凸点均被塑封包覆。本发明利用传统半导体加工方法解决了现有芯片倒装焊接时不易对准、润湿不好、容易错位，连接强度不高等问题出现，具有工艺简单，容易操作等优点。
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公开(公告)号：CN111060715B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201911353292.6
申请日：2019-12-24
IPC分类号： G01P15/03
摘要： 本发明涉及一种基于热电堆的加速度传感器，该加速度传感器包括封装体、键合层、基板、左热电堆、右热电堆和发热单元；所述发热单元产生热量，其热量会通过质量块与发热单元之间的空气传递给左右热电堆，当有加速度时，两个热电堆感受到的热量为稳态，当存在加速度时，质量块的移动会导致质量块与发热单元之间的间隙发生变化或质量块与左右热电堆的间隙发生变化，从而影响间隙空间中的空气量，进而导致热量传递的变化，使得左右热电堆的热结果发生变化，通过所述变化计算、推算或映射获得加速度。本发明结构简单，成本低，易于加工，原理简单，体积小，集成性好，灵敏度高，不易受到电磁环境的干扰，可采用微加工工艺进行大批量生产。
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公开(公告)号：CN109030544B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810574177.0
申请日：2018-06-06
IPC分类号： G01N25/00 , G01N23/207 , G01K7/02
摘要： 本发明是一种基于微型晶体晶格参数变化的最高温度测量方法，该方法是在不破坏工件表面状态，且不影响工件正常工作的条件下，通过检测微型晶体晶格参数变化、获取被测工件最高温度的特种测温技术。对中子辐照后的掺氮3C‑SiC晶体进行微型化切割加工，再对微型晶体进行不同温度、不同时间的高温退火处理后测量其晶格参数，并绘制“温度—时间—晶格体积膨胀率”测温标定曲线。使用时，将微型晶体安装于被测工件表面，待工件正常工作结束后，将微型晶体温度传感器取出并测量其晶格参数，通过查找测温标定曲线中在该加热时间、晶格体积膨胀率下所对应的温度，即可得到被测点所经历的最高温度。进一步地，通过在重点测温区域安装多个微型晶体温度传感器，可得到工件表面最高温度场的测量结果。
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公开(公告)号：CN111071986A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911394242.2
申请日：2019-12-30
申请人： 北京航空航天大学 , 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所
摘要： 本发明涉及半导体加工技术领域，提供了一种激光改性辅助制备碳化硅多级微结构的方法及一种加速度传感器。本发明在碳化硅基底表面制备图案化掩膜，对具有图案化掩膜的碳化硅基底进行局部激光辐照，激光辐照区域内无掩膜遮蔽的碳化硅发生改性，改性后的碳化硅刻蚀速率远高于未经激光辐照的单晶碳化硅，利用二者的刻蚀速率差，实现碳化硅多级微结构的一次性同步刻蚀。本发明提供的方法工艺简单，可操作性强，利用该方法能够制备出具有碳化硅多级微结构的传感元件和带有光纤孔的碳化硅传感基板，二者通过键合能够实现耐高温光学式碳化硅加速度传感器的制备，解决常规加速度传感器无法在高温恶劣环境下工作的问题。
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公开(公告)号：CN110057463A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910183758.6
申请日：2019-03-11
IPC分类号： G01K11/00
摘要： 本发明是一种微型晶体温度传感器的封装及埋植方法，该方法是在需要安放传感器(1)的被测物表面(6)上，沿被测物表面(6)的方向或垂直被测物表面(6)的方向，加工一个外凹槽(2)和内凹槽(3)，外凹槽(2)的口径大于内凹槽(3)的口径，将传感器(1)粘贴于衬底(4)上，再将衬底(4)放置在外凹槽(2)和内凹槽(3)交接处的台阶面(5)上，使传感器(1)处于内凹槽(3)中且不与内凹槽(3)的内壁接触，用粘结剂填充外凹槽(2)和内凹槽(3)并与被测物表面(6)平整。该方法实现了在高速飞行器表面的传感器的可靠粘结固定，避免了测温过程中传感器脱落问题，并有利于传感器的剥离，从而进一步提高了传感器的适用性和测温的成功率。
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公开(公告)号：CN110006587A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910183714.3
申请日：2019-03-11
IPC分类号： G01L25/00
摘要： 本发明是一种用于高温高压传感器的标定装置，该装置包括一个通过中空管(2)与高压釜(3)连接的高压计量泵(1)，在高压釜(3)设置待标定传感器(6)，其特征在于：在高压釜(3)内设置一个有于加热待标定传感器(6)的电阻片(4)，电阻片(4)包裹在待标定传感器(6)周围，在高压釜(3)内设置一个绝热罩(5)，电阻片(4)和待标定传感器(6)放置在绝热罩(5)内。标定时需要使用高压计量泵通过中空管对高压釜进行加压，待压力稳定到设置值时，然后给电阻片通直流电实现在高压斧中的局部快速加热，通过数据采集器读出的压力数据，便可绘制出温度-压力曲线，通过与高压计量泵显示的压力釜中的压力作对比，就可以在不同温度下对高温压力传感器进行标定。
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