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公开(公告)号：CN114236178B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111472846.1
申请日：2021-12-03
IPC分类号： G01P15/125 , G01C21/16 , B81B7/02
摘要： 本发明属于加速度计领域，涉及一种全对称的MEMS全硅摆式加速度计及惯性导航系统。加速度计为上下对称结构，包括：底支撑硅层、中间硅层、顶支撑硅层，以及介于中间硅层与底支撑硅层的底层隔离硅层，介于中间硅层与和顶支撑硅层之间的顶层隔离硅层；各硅层通过硅硅键合方式固连，通过氧化绝缘层进行电气绝缘；底支撑硅层和顶支撑硅层结构相同且镜像对称的硅层，底层隔离硅层和顶层隔离硅层结构相同且镜像对称的隔离硅层；隔离硅层用于隔离中间硅层和硅层之间的寄生电容，底支撑硅层、底层隔离硅层、顶层隔离硅层和顶支撑硅层都为中心对称结构；中间硅层沿自身的两个弹性梁的中垂线对称。
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公开(公告)号：CN110806498A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910998709.8
申请日：2019-10-18
IPC分类号： G01P15/125 , G01P1/00
摘要： 本发明公开一种梳齿电容式微机电加速度计结构。结构包括梳齿组、质量块、挠性梁、挠性梁支撑杆和梳齿支撑杆。质量块为“日”字型框体结构，梳齿组为变间隙的梳齿组，构成梳齿组的单根梳齿为交叠区齿宽渐变的5边形齿。梳齿组交叉分布在质量块框体的内外两侧组成差分电容，梳齿组的可动齿与质量块相连，然后通过质量块框体四个角上的4根挠性梁悬挂在结构最外两侧的挠性梁支撑杆两端，梳齿组的固定齿与梳齿支撑杆相连。5边形齿可以在保持齿间隙比的同时增加齿对数，有利于提高加速度计的灵敏度。交叉分布的梳齿组可弥补刻蚀工艺不均匀带来的电容差异，提高电容对称性；还可以补偿差分电容受环境温度变化的影响，提高加速度计刻度系数的稳定性。
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公开(公告)号：CN110806498B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201910998709.8
申请日：2019-10-18
IPC分类号： G01P15/125 , G01P1/00
摘要： 本发明公开一种梳齿电容式微机电加速度计结构。结构包括梳齿组、质量块、挠性梁、挠性梁支撑杆和梳齿支撑杆。质量块为“日”字型框体结构，梳齿组为变间隙的梳齿组，构成梳齿组的单根梳齿为交叠区齿宽渐变的5边形齿。梳齿组交叉分布在质量块框体的内外两侧组成差分电容，梳齿组的可动齿与质量块相连，然后通过质量块框体四个角上的4根挠性梁悬挂在结构最外两侧的挠性梁支撑杆两端，梳齿组的固定齿与梳齿支撑杆相连。5边形齿可以在保持齿间隙比的同时增加齿对数，有利于提高加速度计的灵敏度。交叉分布的梳齿组可弥补刻蚀工艺不均匀带来的电容差异，提高电容对称性；还可以补偿差分电容受环境温度变化的影响，提高加速度计刻度系数的稳定性。
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公开(公告)号：CN114236178A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111472846.1
申请日：2021-12-03
IPC分类号： G01P15/125 , G01C21/16 , B81B7/02
摘要： 本发明属于加速度计领域，涉及一种全对称的MEMS全硅摆式加速度计及惯性导航系统。加速度计为上下对称结构，包括：底支撑硅层、中间硅层、顶支撑硅层，以及介于中间硅层与底支撑硅层的底层隔离硅层，介于中间硅层与和顶支撑硅层之间的顶层隔离硅层；各硅层通过硅硅键合方式固连，通过氧化绝缘层进行电气绝缘；底支撑硅层和顶支撑硅层结构相同且镜像对称的硅层，底层隔离硅层和顶层隔离硅层结构相同且镜像对称的隔离硅层；隔离硅层用于隔离中间硅层和硅层之间的寄生电容，底支撑硅层、底层隔离硅层、顶层隔离硅层和顶支撑硅层都为中心对称结构；中间硅层沿自身的两个弹性梁的中垂线对称。
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公开(公告)号：CN107656562B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201610594242.7
申请日：2016-07-26
IPC分类号： G05D23/30
摘要： 本发明属于传感器技术领域，具体涉及一种用于MEMS器件的温度控制系统。在MEMS器件的上下基板表面布置有温度检测电极和加热电极；温度检测电路将通过温度检测电极检测到的电信号传输至信号处理电路，信号处理电路判断MEMS器件上下基板表面的工作温度是否适宜，信号处理电路通过控制输入至加热电极的控制电信号的强度，控制MEMS器件的上下基板表面的工作温度。提供了一种能够消除MEMS器件温度性能和温度迟滞的温度控制系统。
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公开(公告)号：CN107656562A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201610594242.7
申请日：2016-07-26
IPC分类号： G05D23/30
CPC分类号： G05D23/30
摘要： 本发明属于传感器技术领域，具体涉及一种用于MEMS器件的温度控制系统。在MEMS器件的上下基板表面布置有温度检测电极和加热电极；温度检测电路将通过温度检测电极检测到的电信号传输至信号处理电路，信号处理电路判断MEMS器件上下基板表面的工作温度是否适宜，信号处理电路通过控制输入至加热电极的控制电信号的强度，控制MEMS器件的上下基板表面的工作温度。提供了一种能够消除MEMS器件温度性能和温度迟滞的温度控制系统。
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公开(公告)号：CN211712620U
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201921764153.8
申请日：2019-10-18
摘要： 本实用新型公开一种MEMS传感器封装结构，包括多层陶瓷基板电路(11)，侧壁(12)和盖板(13)，侧壁(12)固定在多层陶瓷基板电路(11)上形成元件安装腔，盖板(13)安装在侧壁(12)上实现安装腔的气密封装，所述多层陶瓷基板电路(11)包含顶层(21)和底层(23)，MEMS传感器的表头、伺服电路芯片、无源器件装配在顶层(21)，MEMS传感器的安装焊盘印制在底层(23)。本实用新型基于多层陶瓷基板电路技术，省去标准陶瓷管壳四周陶瓷台阶上的金丝键合焊盘，芯片的引出金丝直接键合在顶层上芯片四周的临近位置，可直接或者通过中间层导出到底层的传感器安装焊盘处，实现了伺服电路-封装管壳的一体化。
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