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公开(公告)号：CN109545953B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201811587627.6
申请日：2018-12-24
IPC分类号： H10N30/30 , H10N30/01 , H10N30/072 , H10N30/082
摘要： 本发明属于微型传感器技术领域，涉及一种高温压力传感器芯片的制备方法。该方法采用两次硅硅键合技术分别将压阻层与压力敏感膜、压力敏感膜和衬底硅连接起来，形成一个整体。其中压阻层采用高温硼扩散掺杂方式制备，与压力敏感膜采用氧化绝缘层隔离。本发明的方法采用硼扩散辅助键合方式，在制备压阻的同时，实现压阻层与压力敏感膜可靠键合。同时避免了传统直接用SOI片扩散制备高温压力传感器，可能存在硼原子进入氧化层而带来的漏电流增加，稳定性变差的风险，有效实现高温压力传感器的高稳定性。
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公开(公告)号：CN110806498B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201910998709.8
申请日：2019-10-18
IPC分类号： G01P15/125 , G01P1/00
摘要： 本发明公开一种梳齿电容式微机电加速度计结构。结构包括梳齿组、质量块、挠性梁、挠性梁支撑杆和梳齿支撑杆。质量块为“日”字型框体结构，梳齿组为变间隙的梳齿组，构成梳齿组的单根梳齿为交叠区齿宽渐变的5边形齿。梳齿组交叉分布在质量块框体的内外两侧组成差分电容，梳齿组的可动齿与质量块相连，然后通过质量块框体四个角上的4根挠性梁悬挂在结构最外两侧的挠性梁支撑杆两端，梳齿组的固定齿与梳齿支撑杆相连。5边形齿可以在保持齿间隙比的同时增加齿对数，有利于提高加速度计的灵敏度。交叉分布的梳齿组可弥补刻蚀工艺不均匀带来的电容差异，提高电容对称性；还可以补偿差分电容受环境温度变化的影响，提高加速度计刻度系数的稳定性。
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公开(公告)号：CN109545953A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811587627.6
申请日：2018-12-24
IPC分类号： H01L41/113 , H01L41/22 , H01L41/312 , H01L41/332
摘要： 本发明属于微型传感器技术领域，涉及一种高温压力传感器芯片的制备方法。该方法采用两次硅硅键合技术分别将压阻层与压力敏感膜、压力敏感膜和衬底硅连接起来，形成一个整体。其中压阻层采用高温硼扩散掺杂方式制备，与压力敏感膜采用氧化绝缘层隔离。本发明的方法采用硼扩散辅助键合方式，在制备压阻的同时，实现压阻层与压力敏感膜可靠键合。同时避免了传统直接用SOI片扩散制备高温压力传感器，可能存在硼原子进入氧化层而带来的漏电流增加，稳定性变差的风险，有效实现高温压力传感器的高稳定性。
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公开(公告)号：CN110806498A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910998709.8
申请日：2019-10-18
IPC分类号： G01P15/125 , G01P1/00
摘要： 本发明公开一种梳齿电容式微机电加速度计结构。结构包括梳齿组、质量块、挠性梁、挠性梁支撑杆和梳齿支撑杆。质量块为“日”字型框体结构，梳齿组为变间隙的梳齿组，构成梳齿组的单根梳齿为交叠区齿宽渐变的5边形齿。梳齿组交叉分布在质量块框体的内外两侧组成差分电容，梳齿组的可动齿与质量块相连，然后通过质量块框体四个角上的4根挠性梁悬挂在结构最外两侧的挠性梁支撑杆两端，梳齿组的固定齿与梳齿支撑杆相连。5边形齿可以在保持齿间隙比的同时增加齿对数，有利于提高加速度计的灵敏度。交叉分布的梳齿组可弥补刻蚀工艺不均匀带来的电容差异，提高电容对称性；还可以补偿差分电容受环境温度变化的影响，提高加速度计刻度系数的稳定性。
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公开(公告)号：CN211712620U
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201921764153.8
申请日：2019-10-18
摘要： 本实用新型公开一种MEMS传感器封装结构，包括多层陶瓷基板电路(11)，侧壁(12)和盖板(13)，侧壁(12)固定在多层陶瓷基板电路(11)上形成元件安装腔，盖板(13)安装在侧壁(12)上实现安装腔的气密封装，所述多层陶瓷基板电路(11)包含顶层(21)和底层(23)，MEMS传感器的表头、伺服电路芯片、无源器件装配在顶层(21)，MEMS传感器的安装焊盘印制在底层(23)。本实用新型基于多层陶瓷基板电路技术，省去标准陶瓷管壳四周陶瓷台阶上的金丝键合焊盘，芯片的引出金丝直接键合在顶层上芯片四周的临近位置，可直接或者通过中间层导出到底层的传感器安装焊盘处，实现了伺服电路-封装管壳的一体化。
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