一种双层贴片的双频圆盘微带天线

    公开(公告)号:CN105098342A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201510513497.1

    申请日:2015-08-20

    IPC分类号: H01Q1/38 H01Q1/50 H01Q13/08

    摘要: 本发明公开一种双层贴片的双频圆盘微带天线,包括上层部分和下层部分,其中所述上层部分包括第一介质基板和位于第一介质基板上表面的金属贴片;所述第一介质基板和金属贴片呈圆形,且半径相等;金属贴片的圆心与第一介质基板的圆心重合;所述下层部分包括第二介质基板、位于第二介质基板上表面的开槽圆形贴片、位于第二介质基板下表面的金属接地板和同轴线;所述第二介质基板成呈圆形,且圆心与开槽圆形贴片的圆心重合,第二介质基板的圆心处开设有放置同轴线的馈电孔,所述天线馈电方式为同轴馈电。该天线能够激发出2个谐振点,相对带宽能达到19%或更高,从而改善天线的工作带宽。

    一种三族氮化物肖特基势垒二极管的生长及制备方法

    公开(公告)号:CN104795324A

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201510064188.0

    申请日:2015-02-06

    申请人: 中山大学

    发明人: 张佰君 陈杰 刘扬

    IPC分类号: H01L21/329 H01L29/872

    摘要: 本发明公开了一种厚膜、低缺陷密度、高耐压的三族氮化物肖特基势垒二极管(SBD)的制备方法,该三族氮化物SBD利用了选择区域外延生长的方法,其结构由下到上依次包括:底层衬底,带有选择区域生长窗口的介质层,以及利用选择性外延生长获得的三族氮化物三维结构,用于防止漏电的侧壁阻挡层,肖特基接触层和欧姆接触层。本发明利用选择性外延生长方法获得的三维三族氮化物结构具有大的厚度和更低的缺陷密度,使得SBD具有更低的反向漏电流和更高的反向击穿电压,同时,本发明结构简单,易于实现多器件的并联封装,在大电流高耐压SBD器件方面具有广泛前景。

    一种双层贴片的双频圆盘微带天线

    公开(公告)号:CN205016667U

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201520630531.9

    申请日:2015-08-20

    IPC分类号: H01Q1/38 H01Q1/50 H01Q13/08

    摘要: 本实用新型公开一种双层贴片的双频圆盘微带天线,包括上层部分和下层部分,其中所述上层部分包括第一介质基板和位于第一介质基板上表面的金属贴片;所述第一介质基板和金属贴片呈圆形,且半径相等;金属贴片的圆心与第一介质基板的圆心重合;所述下层部分包括第二介质基板、位于第二介质基板上表面的开槽圆形贴片、位于第二介质基板下表面的金属接地板和同轴线;所述第二介质基板成呈圆形,且圆心与开槽圆形贴片的圆心重合,第二介质基板的圆心处开设有放置同轴线的馈电孔,所述天线馈电方式为同轴馈电。该天线能够激发出2个谐振点,相对带宽能达到19%或更高,从而改善天线的工作带宽。