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公开(公告)号：CN107086260A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710251224.3
申请日：2017-04-18
申请人： 中山大学 , 佛山市中山大学研究院
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/007
摘要： 本发明提供了一种倒装LED芯片结构及其制作方法。倒装LED芯片结构包括：三维图形结构、蓝宝石衬底、半导体材料层、N电极、接触反射层、绝缘隔离层、P电极和焊接电极10；所述半导体材料层包括N型半导体材料、发光层和P型半导体材料。在蓝宝石衬底表面形成掩膜材料，再用光刻蚀刻的方法将光刻胶图案制作在掩膜上，蚀刻掩膜，去除光刻胶，在衬底表面形成三维图形结构掩膜层，再用蚀刻的方法在衬底表面形成三维图形结构，最后清除掩膜。本发明可以根据特定应用场景的光源要求，对倒装LED芯片的蓝宝石衬底出光面进行光学设计与加工，制作出单个的、周期性的或者非周期性的三维光学图形，从而实现所需的光源要求。
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公开(公告)号：CN106373910A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610806112.5
申请日：2016-09-05
申请人： 中山大学 , 佛山市中山大学研究院
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/467
CPC分类号： H01L21/467 , H01L21/67 , H01L21/6708
摘要： 本发明涉及湿法刻蚀技术领域，公开了一种用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法，用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备包括：人工上片工位，蚀刻液喷涂工位，反应工位，清洗工位，风干工位，取料工位，空盘回收工位和输送装置。ZnO片放在人工上片工位的工装盘后，依次经过蚀刻液喷涂工位，反应工位，清洗工位，风干工位，取料工位，取料后空的工装盘由空盘回收工位输送至人工上片工位供下次使用。此外，本发明还提供了一种湿法刻蚀方法。采用本发明技术方案，可以有效的缓解ZnO薄膜的侧向腐蚀问题，提高了产品生产的合格率和蚀刻液的利用率，可适用于大规模批量连续生产。
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公开(公告)号：CN106373910B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610806112.5
申请日：2016-09-05
申请人： 中山大学 , 佛山市中山大学研究院
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/467
摘要： 本发明涉及湿法刻蚀技术领域，公开了一种用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法，用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备包括：人工上片工位，蚀刻液喷涂工位，反应工位，清洗工位，风干工位，取料工位，空盘回收工位和输送装置。ZnO片放在人工上片工位的工装盘后，依次经过蚀刻液喷涂工位，反应工位，清洗工位，风干工位，取料工位，取料后空的工装盘由空盘回收工位输送至人工上片工位供下次使用。此外，本发明还提供了一种湿法刻蚀方法。采用本发明技术方案，可以有效的缓解ZnO薄膜的侧向腐蚀问题，提高了产品生产的合格率和蚀刻液的利用率，可适用于大规模批量连续生产。
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公开(公告)号：CN106848040A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710201132.4
申请日：2017-03-30
申请人： 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
CPC分类号： H01L33/504 , B82Y20/00 , H01L33/505
摘要： 本发明公开了一种基于3D打印技术的LED用量子点薄膜的制备方法，其将作为色转换介质的纳米级的量子点均匀混入光固化树脂中并在基板上利用3D打印技术打印量子点薄膜。所述方法基于目前发展程度很高的3D打印技术，其具有自动化控制精度高、技术适用范围广、成膜均匀和物料节约的特点，且特别适用于基于量子点的色转换LED器件的制备。
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