一种基于立方氮化硼(c-BN)单晶材料的肖特基二极管

    公开(公告)号:CN118198148A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410300515.7

    申请日:2024-03-15

    发明人: 郑伟 林卓耿 位星

    摘要: 本发明公开了一种基于立方氮化硼(c‑BN)单晶材料的肖特基二极管,其制备方法包括以下步骤:将清洗后的块状c‑BN单晶四周用胶带覆盖住,只漏出待镀电极的区域,在块状c‑BN单晶一侧表面沉积Au金属电极,然后撕下胶带;在手套箱中把锂片表面氧化层刮掉,再放置到PCB板表面镀有Ag的一侧,将块状c‑BN单晶中没有镀Au的一侧紧贴在锂片上;采用金属细线将PCB板的Ag电极与块状c‑BN单晶的Au电极连接起来,固定;完成电化学掺杂后,在c‑BN晶体的锂掺杂一侧沉积Au金属电极。本发明中,在c‑BN表面引入锂原子,其能级定位于浅能级,从而有效改善了金属与c‑BN之间的界面接触质量。这种改进通过减少界面态密度,进一步降低了c‑BN单晶与金属间的接触势垒ΦB。

    一种针对13.5nm无需滤波片的窄带EUV光电探测器

    公开(公告)号:CN116525693A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310574923.7

    申请日:2023-05-22

    申请人: 中山大学

    发明人: 郑伟 张乃霁

    摘要: 本发明涉及窄带半导体光电探测器件技术领域,具体涉及一种针对13.5nm无需滤波片的窄带EUV光电探测器。本发明的探测器的结构从上到下依次为:Nb或Mo作为透明金属导电窗口层、p‑GaN光子吸收层、n‑SiC导电衬底和欧姆接触层。该探测器的最佳工作范围为5‑16nm波段,具有仅11nm的窄带响应窗口,除此以外的波段几乎无响应。该器件对13.5nm EUV光具有窄带选择响应,并且在13.5nm附近具有极高的量子效率和非常低的暗电流水平,与目前已报道的EUV器件相比性能参数得到巨大提升。本发明为制造高性能的EUV探测器提供了新的思路,在13.5nm窄带光电探测器领域具有良好的应用前景。

    一种用光谱学标定SiC单晶载流子浓度的方法

    公开(公告)号:CN116482046A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310492795.1

    申请日:2023-05-05

    申请人: 中山大学

    发明人: 郑伟

    摘要: 本发明涉及半导体载流子浓度测量技术领域,具体涉及一种用光谱学标定SiC单晶载流子浓度的方法。本发明分别使用拉曼光谱与红外反射光谱两种光谱学方法测定了不同掺杂类型的4H‑SiC单晶的载流子浓度,在拉曼光谱分析中根据LOPC模式的拉曼曲线拟合方程后得到了载流子浓度,在红外反射光谱分析中通过反射率和介电函数之间的关系提取出了载流子浓度。本发明两种光谱学方法获得的结果均与霍尔测量结果一致,这表明了LOPC的拉曼光谱和红外反射谱可以作为一种有效的非接触性和非破坏性、且具有工业推广前景的4H‑SiC材料电学性能在线实时测量方法。

    RbCu2Br3单晶的合成与应用
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114934310A

    公开(公告)日:2022-08-23

    申请号:CN202210435872.5

    申请日:2022-04-24

    申请人: 中山大学

    摘要: 本发明涉及晶体化学技术领域,具体涉及RbCu2Br3单晶的合成与应用,包括以下步骤:S1.将RbBr和CuBr按照摩尔比为1:2混合溶于体积比为1~3:1的HBr酸和去离子水中;形成RbBr的浓度为0.5~2mmol/mL;S2.向步骤S1的混合溶液中加入次磷酸,在95~105℃条件下保温1~3h;S3.将步骤S2的混合溶液,以0.5~3℃/h的降温速率降温至室温,结晶;S4.将步骤S3形成的晶体烘干,即得。本发明随温度下降光致发光从蓝光向橙光转变,并且长时间大剂量辐照和高电场强度工作下,探测器性能稳定。因此,RbCu2Br3材料在闪烁体领域、光电探测器及X射线探测领域有所作为。

    一种利用X射线激发荧光和磷光鉴别培育钻石和天然钻石的方法

    公开(公告)号:CN114689633A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202210256410.7

    申请日:2022-03-16

    申请人: 中山大学

    发明人: 郑伟 程璐 朱思琪

    IPC分类号: G01N23/223 G01N23/2202

    摘要: 本发明公开了一种利用X射线激发荧光和磷光鉴别培育钻石和天然钻石的方法,包括待检测的钻石,其中,还包括用于拍摄的相机、用于激发的X射线发生器与控制系统,所述方法包括以下步骤:将被测试钻石清理擦拭干净固定放置于X射线发生器前;在远程控制下开启X射线,拍照记录此时钻石的荧光发光情况;在远程控制下关闭X射线,当X射线关闭若干秒后,拍照记录此时钻石的磷光发光情况;通过步骤S2记录的被测试钻石的荧光情况和步骤S3记录的被测试钻石的磷光情况,判定被测试的钻石属于热压钻石、天然钻石或CVD钻石。通过本发明可以快速、大批量鉴别出热压、CVD和天然钻石,且效率和准确性高。

    超硬纯同位素10BP半导体微纳米线的制备

    公开(公告)号:CN114314505A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111651342.6

    申请日:2021-12-30

    申请人: 中山大学

    摘要: 本发明属于磷化硼材料制备技术领域,具体涉及超硬纯同位素10BP半导体微纳米线的制备,本发明利用VLS生长机制成功合成了超长超硬同位素纯10BP微纳米线,克服了硼的高熔点与磷的低升华温度之间的热力学矛盾。具体是以镍粉为催化剂,以富含红磷和同位素的10B粉为前驱体,合成得到超长超硬10BP微纳米线。与在较低温度下合成的超硬材料相比,10BP微纳米线表现出优异的性能,其长度达到1.1cm,硬度相当高,达到了40GPa的超硬阈值(41GPa)。此外,将10BP微纳米线集成到探测器中,器件表现出良好的光响应和压电特性,证明了该材料在光电、应变传感和固态半导体核辐射检测中的应用前景。

    一种钙钛矿复合闪烁体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112852414A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110043731.4

    申请日:2021-01-13

    申请人: 中山大学

    摘要: 本发明公开了一种钙钛矿复合闪烁体及其制备方法和应用,本发明采用一定配比的金属掺杂CsI和低维电子结构类钙钛矿材料复合得到钙钛矿复合闪烁体,通过调整配比,材料展现出高效率辐射致可见光荧光,所制得的钙钛矿复合闪烁体具有高的光致发光量子效率(PLQY)、高辐射吸收系数、高稳定性低成本等特点,可进一步用于X射线高效探测,在低剂量情况下获得具有高质量、高分辨率的X射线成像检测性能,减少对人体的伤害,可广泛应用于X射线医疗影像探测、工业探测应用等领域。

    一种真空紫外光探测器的开关响应标定系统及测试方法

    公开(公告)号:CN110895167A

    公开(公告)日:2020-03-20

    申请号:CN201911121223.2

    申请日:2019-11-15

    申请人: 中山大学

    IPC分类号: G01J1/42 G01J1/02 G01J1/08

    摘要: 本发明公开了一种真空紫外光探测器的开关响应标定系统,包含193nm ArF激光器,真空腔体和示波器或数字源表;所述真空腔体中设有探针台,探针台上设有若干个探针,所述真空腔体上设有可透过193nm光的蓝宝石窗口,ArF激光器通过蓝宝石窗口将脉冲提供给探测器;探针台的正负极分别连接数字源表,用于检测探测器的电流变化,或连接示波器,用于检测探测器的电压变化。本发明真空紫外光探测器的开关响应标定系统,能够准确测量真空紫外光探测器的响应时间,对各种类型点的光电探测器的开关响应标定具有普遍适用性,并且可以实现不同温度下的标定,操作简单方便,具有较大的应用前景。

    一种零功率消耗的真空紫外光伏探测器

    公开(公告)号:CN107611216B

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201710725620.5

    申请日:2017-08-22

    申请人: 中山大学

    IPC分类号: H01L31/109 H01L31/0336

    CPC分类号: H01L31/0336 H01L31/109

    摘要: 本发明公开了石墨烯(Graphene)在真空紫外光伏探测器中的应用以及一种零功率消耗的真空紫外光伏探测器。本发明首次发现石墨烯对真空紫外光的透过率大于90%,并首次在高结晶质量的AlN材料上组装上了p‑type掺杂的Graphene作为透明电极收集空穴,AlN作为吸光层产生光生载流子,构建了一个具有PN特性的异质结光伏器件。该器件实现了人们期望已久的零功率消耗真空紫外光伏探测器的制备,该器件还表现出优秀的真空紫外响应特性,光电转换外量子效率比传统器件高13.7倍,具有80 ns的超快响应时间(比现有光电导型真空紫外器件快104~106倍)和高的外量子效率,具有很好的应用前景。

    一种金刚石浸润式探测器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116448240A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310344117.0

    申请日:2023-04-03

    申请人: 中山大学

    发明人: 郑伟 程璐

    摘要: 本发明涉及光电探测技术领域,具体涉及一种金刚石浸润式探测器。本发明以超宽带隙硼掺杂p型金刚石单晶(p‑typediamondsinglecrystal,PDSC)为光电极,构建PDSC‑超纯水‑Pt结构的真空紫外浸润式光电探测器。本发明所制备的PDSC浸润式光电探测器在零偏压和193nm激发波长条件下的响应度高达87.8mA/W,与标准商用Si探测器显示的光响应度接近;另外在低光功率激发下,PDSC浸润式探测器的响应度可高达670mA/W。本发明的浸润式探测器是一种低成本和具有良好稳定性的自供电、高灵敏度的真空紫外光探测器,在深紫外光光源光刻机中对193nm的功率监测方面具有良好的应用前景。