公开(公告)号：CN106676499A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201510747873.3

申请日：2015-11-06

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 刘英斌 ,  杜志游

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4557

摘要： 一种对MOCVD气体喷淋头预处理的方法，包括提供一反应腔，位于反应腔底部的抽气系统和固定在反应腔顶部的气体喷淋头，所述气体喷淋头内包括位于底部的冷却板和位于顶部的进气管道系统，处理步骤包括向反应腔内充入高压的预处理气体——排出预处理气体——充入空气——排出空气等多个步骤，循环执行上述步骤直到完成对反应腔内气体喷淋头及其它暴露部件的预处理。

公开(公告)号：CN102534567B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210077039.4

申请日：2012-03-21

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 田保峡 ,  李天笑 ,  刘英斌 ,  郭泉泳

IPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/52

CPC分类号： F27D19/00 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  F27D21/0014 ,  F27D21/04 ,  F27D2019/0025

摘要： 一种控制化学气相沉积腔室内的基底加热的装置及方法，尤其适用于MOCVD反应室。装置包括：位于腔室内的加热器；位于腔室内加热器附近且与加热器相间隔开的托盘，用于承载基底；第一温度控制单元，与承载基底的托盘表面耦接，用于测量该托盘表面温度，基于设定温度和托盘表面温度输出第一控制信号；第二温度控制单元，与第一温度控制单元相连，用于测量托盘和加热器之间区域的中间温度，还用于根据第一控制信号和中间温度输出第二控制信号；加热器，与第二温度控制单元耦接，用于根据第二控制信号进行加热。相应地，本发明还提供一种控制化学气相沉积腔室内的基底加热的方法。本发明可以获得稳定的基底温度。

公开(公告)号：CN102534567A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210077039.4

申请日：2012-03-21

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 田保峡 ,  李天笑 ,  刘英斌 ,  郭泉泳

IPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/52

CPC分类号： F27D19/00 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  F27D21/0014 ,  F27D21/04 ,  F27D2019/0025

摘要： 一种控制化学气相沉积腔室内的基底加热的装置及方法，尤其适用于MOCVD反应室。装置包括：位于腔室内的加热器；位于腔室内加热器附近且与加热器相间隔开的托盘，用于承载基底；第一温度控制单元，与承载基底的托盘表面耦接，用于测量该托盘表面温度，基于设定温度和托盘表面温度输出第一控制信号；第二温度控制单元，与第一温度控制单元相连，用于测量托盘和加热器之间区域的中间温度，还用于根据第一控制信号和中间温度输出第二控制信号；加热器，与第二温度控制单元耦接，用于根据第二控制信号进行加热。相应地，本发明还提供一种控制化学气相沉积腔室内的基底加热的方法。本发明可以获得稳定的基底温度。