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公开(公告)号：CN106876236B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201510910234.4
申请日：2015-12-10
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开一种监测等离子体工艺制程的方法，将一基片放置在一等离子体处理腔室内进行等离子体处理，所述等离子体处理装置连接一入射光源和一光谱仪；等离子体在对所述基片进行处理的过程中发射背景光信号，所述背景光信号中包括波长已知的参考光信号；启动所述入射光源向所述基片发射入射光信号；启动所述光谱仪接收经基片反射后的入射光信号及所述背景光信号，利用所述参考光信号实现对所述光谱仪的校准；利用校准后的光谱仪对读取的入射光信号的波长进行校准，得到准确的入射光信号波长；利用该准确的入射光信号波长计算基片的处理速率，实现对基片处理工艺的监测。
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公开(公告)号：CN106876236A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510910234.4
申请日：2015-12-10
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32972
摘要： 本发明公开一种监测等离子体工艺制程的方法，将一基片放置在一等离子体处理腔室内进行等离子体处理，所述等离子体处理装置连接一入射光源和一光谱仪；等离子体在对所述基片进行处理的过程中发射背景光信号，所述背景光信号中包括波长已知的参考光信号；启动所述入射光源向所述基片发射入射光信号；启动所述光谱仪接收经基片反射后的入射光信号及所述背景光信号，利用所述参考光信号实现对所述光谱仪的校准；利用校准后的光谱仪对读取的入射光信号的波长进行校准，得到准确的入射光信号波长；利用该准确的入射光信号波长计算基片的处理速率，实现对基片处理工艺的监测。
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公开(公告)号：CN103628046B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210305989.8
申请日：2012-08-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种在化学气相沉积反应器或者外延层生长反应器内调节基片表面温度的控温系统，所述控温系统包括至少两个加热部件，每个加热部件至少连接一个加热电源输出；将预先测得的反应器内的基片表面温度和其他影响温度的参数以及为了实现基片表面温度均匀，加热电源输出的温度调节参数储存在一控制器内，在反应器实际工作时，通过温度测量装置、气体流速测量装置、压力测量装置以及转速控制装置测量反应器内部相应的工艺参数，将测得的工艺参数输入所述控制器内，与预先储存在控制器内的工艺条件参数进行比对，找到相同或最相似的工艺条件下对应的加热电源输出的温度调节参数，从而控制对应加热部件的温度，实现基片表面温度的均匀分布。
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公开(公告)号：CN103628046A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210305989.8
申请日：2012-08-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种在化学气相沉积反应器或者外延层生长反应器内调节基片表面温度的控温系统，所述控温系统包括至少两个加热部件，每个加热部件至少连接一个加热电源输出；将预先测得的反应器内的基片表面温度和其他影响温度的参数以及为了实现基片表面温度均匀，加热电源输出的温度调节参数储存在一控制器内，在反应器实际工作时，通过温度测量装置、气体流速测量装置、压力测量装置以及转速控制装置测量反应器内部相应的工艺参数，将测得的工艺参数输入所述控制器内，与预先储存在控制器内的工艺条件参数进行比对，找到相同或最相似的工艺条件下对应的加热电源输出的温度调节参数，从而控制对应加热部件的温度，实现基片表面温度的均匀分布。
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