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公开(公告)号：CN106939746A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201511026740.3
申请日：2015-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
CPC classification number: E05F15/00 , E05F15/40 , E05Y2201/422 , E05Y2201/43 , E05Y2900/602
Abstract: 本发明提供了一种避免真空腔腔门过冲的启闭装置及真空腔室，包括具有线性驱动轴的线性驱动部件和接头部件，接头部件一端固定于腔门边缘，接头部件另一端具有一连接孔；线性驱动部件的一端活动连接于真空腔的外壁上，另一端和接头部件另一端通过连接孔进行活动连接；通过线性驱动部件的旋转来驱动接头部件旋转从而打开或关闭腔门；环绕在线性驱动轴的端部的挡板套筒；位于接头部件的连接孔上的挡板，其具有靠近线性驱动部件的截止端；一栓销穿过连接孔，将挡板与挡板套套筒固定连接，且将挡板与接头部件之间活动连接；位于接头部件上的挡板阻件，其靠近挡板的截止端设置，且当挡板的截止端与挡板阻件接触后，接头部件被挡板卡住而不能继续旋转。
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公开(公告)号：CN104124128A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201310143617.4
申请日：2013-04-24
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/244
Abstract: 本发明提供了一种多腔室等离子处理装置，其中，所述等离子处理装置包括至少两个子腔室，在两个子腔室之间的隔离壁上具有开口，在每个子腔室内部的基台上都放置有基片进行制程，其中，所述等离子处理腔室上设置有一压力测试装置，其分别连接于所述每个子腔室，在所述压力测试装置和每个子腔室之间还分别串联有一个阀门。本发明还提供了用于上述多腔室等离子处理装置的压力测试方法。本发明的测试机制能够单独对多腔室等离子处理装置的每个子腔室进行单独测试，准确度得到了提高，并且能够延长压力测试装置的使用寿命。
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公开(公告)号：CN106939746B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201511026740.3
申请日：2015-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种避免真空腔腔门过冲的启闭装置及真空腔室，包括具有线性驱动轴的线性驱动部件和接头部件，接头部件一端固定于腔门边缘，接头部件另一端具有一连接孔；线性驱动部件的一端活动连接于真空腔的外壁上，另一端和接头部件另一端通过连接孔进行活动连接；通过线性驱动部件的旋转来驱动接头部件旋转从而打开或关闭腔门；环绕在线性驱动轴的端部的挡板套筒；位于接头部件的连接孔上的挡板，其具有靠近线性驱动部件的截止端；一栓销穿过连接孔，将挡板与挡板套套筒固定连接，且将挡板与接头部件之间活动连接；位于接头部件上的挡板阻件，其靠近挡板的截止端设置，且当挡板的截止端与挡板阻件接触后，接头部件被挡板卡住而不能继续旋转。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104124128B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201310143617.4
申请日：2013-04-24
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/244
Abstract: 本发明提供了一种多腔室等离子处理装置，其中，所述等离子处理装置包括至少两个子腔室，在两个子腔室之间的隔离壁上具有开口，在每个子腔室内部的基台上都放置有基片进行制程，其中，所述等离子处理腔室上设置有一压力测试装置，其分别连接于所述每个子腔室，在所述压力测试装置和每个子腔室之间还分别串联有一个阀门。本发明还提供了用于上述多腔室等离子处理装置的压力测试方法。本发明的测试机制能够单独对多腔室等离子处理装置的每个子腔室进行单独测试，准确度得到了提高，并且能够延长压力测试装置的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104602435B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201310533009.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提出了一种用于电感耦合型等离子体处理装置的射频功率发射装置的支撑装置，其中，所述支撑装置包括:长条形主体，其上设置有凹陷的滑轨；两个滑块，其分别设置在所述主体的两端，且和所述主体呈垂直放置；若干个固定装置，其设置于所述主体上，其可以在所述主体上的滑轨上滑动，且将射频功率发射装置固定在所述顶板上。所述支撑装置能够可调节地将射频发射装置固定在所述顶板上。
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公开(公告)号：CN106930631A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511026858.6
申请日：2015-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
CPC classification number: E05D3/02 , E05D5/02 , E05D11/10 , E05Y2900/602
Abstract: 本发明提供了用于真空腔盖启闭的铰链及其真空处理装置，包括：上铰链、下铰链，上铰链和下铰链通过栓销连接，上铰链的下连接端设置有偏心轴，连接孔偏心设置于偏心轴中；下铰链的上连接端设置有斜坡，斜坡位于栓销孔的下方；斜坡具有底端和倾斜面；本发明利用斜坡与偏心轴之间的相对位置，使得偏心轴在旋转过程中，会接触斜坡，这样偏心轴旋转时受到斜坡的作用力而不至于转动的过快，避免真空腔盖发生过冲，上铰链的抵靠端与斜坡的底端相接触时，偏心轴停止旋转，进一步避免了真空腔盖发生过冲的问题。
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公开(公告)号：CN104602435A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310533009.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提出了一种用于电感耦合型等离子体处理装置的射频功率发射装置的支撑装置，其中，所述支撑装置包括:长条形主体，其上设置有凹陷的滑轨；两个滑块，其分别设置在所述主体的两端，且和所述主体呈垂直放置；若干个固定装置，其设置于所述主体上，其可以在所述主体上的滑轨上滑动，且将射频功率发射装置固定在所述顶板上。所述支撑装置能够可调节地将射频发射装置固定在所述顶板上。
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公开(公告)号：CN203038891U
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201220726922.7
申请日：2012-12-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本实用新型涉及一种等离子体处理腔室及电极，该电极用于向等离子体处理腔室施加射频电场，其包括：第一连接部，第一连接部连接第一射频电源；第二连接部，第二连接部连接第二射频电源，第二射频电源与第一射频电源的信号频率相同；以及多个枝部，枝部均匀分布于第一连接部和第二连接部之间，其一端连接第一连接部，另一端连接第二连接部；其中，第一连接部、第二连接部与枝部呈片状。其使处理腔室中射频电场均匀分布，进而使等离子体均匀分布，从而衬底各区域与等离子体的反应程度接近，有利于提升产品良率；且结构简单、实施便利。
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