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公开(公告)号：CN114530361B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202011321713.X
申请日：2020-11-23
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种下电极组件、等离子体处理装置和更换聚焦环的方法，其中，所述下电极组件包括：基座，用于承载待处理基片；聚焦环，环绕于所述基座的外围；遮盖环，设于所述聚焦环下方，沿其周向设有若干个凹槽；移动块，设于所述凹槽内，其内侧顶角设有台阶，所述台阶用于支撑部分聚焦环；驱动装置，与所述移动块连接，用于驱动所述移动块带动聚焦环上下移动。利用所述下电极组件更换聚焦环时无需打开反应腔就能够实现更换。
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公开(公告)号：CN118231315A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211635294.6
申请日：2022-12-19
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种基座、等离子体刻蚀装置及基座的制备方法，所述基座包括：陶瓷板，陶瓷板包括顶面和底面，顶面用于放置基片；依次设置在底面上的电极层，绝缘层和粘接层，绝缘层覆盖电极层；基板，其位于粘接层的下侧；适配板，其位于粘接层和基板之间，适配板与陶瓷板的热膨胀系数相匹配。本发明能够降低ESC制备工艺的难度，并使其适用于高温制备工艺。
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公开(公告)号：CN112713073B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201911018284.6
申请日：2019-10-24
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种耐腐蚀气体输送部件及其等离子体处理装置，通过将进气输送部件、气体扩散部件和衬套主体内的进气容纳孔和扩散容纳空间相结合，采用多部件结构设计，避免了衬套主体因高温造成其表面缺陷使工艺气体直接与衬套主体接触，其优点是有效地防止了工艺气体中的腐蚀性气体对气体输送系统及等离子体处理装置的腐蚀，解决了由于腐蚀性气体造成的反应腔腔室内的金属污染和固体颗粒污染的问题，且多部件结构的设计，便于工作人员日常的维护工作。
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公开(公告)号：CN117629022A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210986431.4
申请日：2022-08-17
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种静电卡盘保护胶层的测量工具、方法及寿命预测方法。其中，所述测量工具包括：深度仪，其在测量时放置于所述反应腔内，包括深度仪主体，以及设置在深度仪主体的测量端面的可伸缩的探针；限位装置，与所述深度仪主体连接，用于限位所述深度仪使所述探针垂直抵接环状外壁以进行校零操作，或者使所述探针垂直抵接保护胶层外壁以进行测量操作。本发明解决现有技术的只能通过拆除静电卡盘后测量保护胶层厚度或目视观察凭经验判断的技术问题，可以准确测量保护胶层厚度，以及预测保护胶层的寿命，具有较好的便捷性、实用性和经济性。
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公开(公告)号：CN112563106B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201910852668.1
申请日：2019-09-10
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/54
摘要： 一种半导体处理设备及其排气系统，通过在排气系统的调节阀上方增设涡轮叶片来阻挡并抵消倒灌气流，从而有效地抑制由涡轮泵倒灌的颗粒物进入半导体处理设备中的真空反应腔，防止真空反应腔受到污染，同时防止排气速度降低，延长了半导体处理设备的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112185787B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201910598506.X
申请日：2019-07-04
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种用于等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理装置，其中，用于等离子体处理设备的射频电极组件包括：基座，所述基座内设置有第一流体通道，所述第一流体通道连接第一流体源；位于所述基座上的静电夹盘，所述静电夹盘上用于放置待处理基片；位于所述静电夹盘外围的聚焦环，在所述聚焦环内具有至少一空腔，每个空腔内设置至少一个温控器件设置在所述空腔中，以控制所述聚焦环的温度。所述等离子体处理设备能够对待处理基片边缘区域聚合物的分布进行分区域局部地调节。
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公开(公告)号：CN113053715B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201911381446.2
申请日：2019-12-27
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法，其中，所述下电极组件包括：基座，具有预设工作温度，其内具有冷却通道，冷却通道包括冷却输入端和冷却输出端；冷却气体，其液化温度低于所述预设工作温度；冷却装置，用于对冷却气体进行降温；第一气体输送管道，用于将冷却气体输送至冷却装置；第二气体输送管道，与冷却输入端连通，用于将降温后的冷却气体输送入所述冷却通道内，降温后的所述冷却气体对基座进行降温以达到预设工作温度；第三气体输送管道，与冷却输出端连通，用于将对基座降温后的所述冷却气体输出。利用所述下电极组件对基座进行降温时，有利于降低冷却气体对接触部件造成损伤，提高下电极组件的密封性。
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公开(公告)号：CN111383891B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201811631133.3
申请日：2018-12-29
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种用于半导体处理设备的温度控制装置及其温度控制方法，加热元件矩阵中的每一行或每一列中的每一个加热元件都分别与同一个功率源组成电源回路，加热元件矩阵中的每一列或每一行中的所有加热元件的电源回路中都设置同一个开关模块，调节每个功率源的输出功率大小来调节每个功率源控制的一整行或一整列加热元件的输入功率，控制每个开关模块的通断来控制每个开关模块控制的一整列或一整行加热元件的电源回路的通断。本发明减少了电路复杂度，节省了成本，在保证温度控制精确度的前提下减少了温度控制的复杂度，获得很均匀且很灵活的温度控制效果。
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公开(公告)号：CN113000233B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201911307952.7
申请日：2019-12-18
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种等离子体反应器及其气体喷嘴，所述等离子体反应器具有内衬，所述气体喷嘴包括：插入部，所述插入部的第一端用于插入固定在管道的气体出口，与所述第一端相对的第二端用于置于所述管道外部；出气部，所述出气部的一侧表面具有安装槽，所述安装槽朝向所述插入部的第二端，且所述插入部的第二端与所述安装槽底部连接，所述出气部相对的另一侧表面具有主气体喷口；其中，所述气体喷嘴内具有连通所述插入部第一端与所述主气体喷口的主气体喷射通道；所述内衬具有用于放置在所述安装槽内的安装部，所述安装部位于所述内衬具有所述气体出口的表面，凸出该表面。应用本发明提供的技术方案，可以有效防止气体腐蚀现象发生。
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公开(公告)号：CN114188205A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010960549.0
申请日：2020-09-14
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开一种静电装置、其所在的基片处理系统及其置换清洁方法，所述基片处理系统包含等离子体处理装置、传输腔及静电装置，所述传输腔内有传输机械手，所述静电装置用于产生吸附静电以吸附所述等离子体处理装置中的真空反应腔中的边缘环，并通过所述传输机械手将所述边缘环移入或移出所述真空反应腔，实现在不打开所述真空反应腔的情况下置换所述边缘环。本发明结构简单，操作方便，极大地降低了基片处理系统的维护成本。
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