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公开(公告)号：CN114121581B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010877421.8
申请日：2020-08-27
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：反应腔；绝缘窗口，位于反应腔的顶部；线圈，位于绝缘窗口上，线圈包括第一端和第二端；第一线圈连接件，与第一端连接；第二线圈连接件，与第二端连接；射频功率源、第一线圈连接件、线圈和第二线圈连接件形成一个回路，完成射频功率源的接入，当射频功率源经由线圈时会产生电磁场，该电磁场的磁力线穿过绝缘窗口进入反应腔内，再从反应腔穿过该绝缘窗口；当射频功率源依次通过第一线圈连接件、线圈和第二线圈连接件时，第一屏蔽件可屏蔽第一线圈连接件上产生的电磁场，第二屏蔽件可屏蔽第二线圈连接件上产生的电磁场，减小对线圈产生的电磁场的影响，增加等离子体的均匀性，进而增加晶圆刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN114203506B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202010987374.2
申请日：2020-09-18
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
摘要： 本发明公开了一种等离子体处理装置及其方法，该装置包含：真空反应腔，其内具有下电极组件和可移动上电极组件；若干个升降装置与可移动上电极组件连接以使其升降，升降装置包含支撑柱和驱动装置，驱动装置用于驱动支撑柱以使可移动上电极组件升降；若干个气体通道，分别由真空反应腔外部延伸经过真空反应腔底部、支撑柱内部、可移动上电极组件以将工艺气体注入真空反应腔内；若干个导电可伸缩密封结构，分别设置于支撑柱内且环绕气体通道的周围。其优点是：将升降装置、气体通道和密封结构相结合，真空反应腔顶部多次开关也不会影响可移动上电极组件，更容易保持所述可移动上电极组件和晶圆、下电极组件之间的同心度，保证了斜边刻蚀的工艺效果。
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公开(公告)号：CN117672793A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211007788.X
申请日：2022-08-22
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明公开一种边缘刻蚀设备及使用方法，所述刻蚀设备包括反应腔，反应腔上部设有上电极组件，反应腔的下部设有用于承载晶圆的基座，基座的外围设有下电极环和接地环；上电极组件包括：安装基板，用于安装上电极环；安装基板的外缘设有第一抵接部，第一抵接部位于上电极环的径向外侧；接地环的外缘设有第二抵接部，第二抵接部位于下电极环的径向外侧；在刻蚀过程中，第二抵接部与第一抵接部抵接以在晶圆边缘区域形成约束空间，其中约束空间设有第一抽气通道。本发明既能够对等离子体进行约束，还能使等离子体分布均匀，从而保证晶圆边缘刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN112563105B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201911411272.X
申请日：2019-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置中实现气体流量验证的系统及方法，在气盒中安装有集成流量验证系统；在对质量流量控制器的校准或验证时，气体不经过反应腔体，而是通过集成流量验证系统的罐体，从而简化容积和温度的测算，并且不受反应腔体温度、刻蚀工艺、材料吸附性等不稳定因素的影响，提高重复度和稳定性，节约时间。集成流量验证系统包含多个不同容积的罐体时，可以相应地为不同流量大小的MFC进行校准和验证，结果更为准确。
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公开(公告)号：CN112768331B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201911059867.3
申请日：2019-11-01
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种等离子体处理装置及其下电极组件、静电卡盘，其中静电卡盘用于在等离子体处理装置的反应腔中支撑待处理基片，其包括穿过该静电卡盘上表面至下表面，用于向所述静电卡盘与待处理基片之间通入冷却气体的若干气孔；所述气孔内填塞有至少一个孔塞；所述孔塞设置有穿过该孔塞上表面至下表面的若干通孔，所述通孔的内径小于所述气孔的内径。本发明通过在静电卡盘气孔内填塞至少一个孔塞，而孔塞上布置有若干通孔，实现了在保证静电卡盘上基片的温度均匀性的情况下，进一步避免了因静电卡盘的气孔内冷却气体解离所造成的气孔内壁被击穿，而在气孔中产生杂质颗粒的问题。
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公开(公告)号：CN112071735B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201910500583.7
申请日：2019-06-10
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 一种气体调节装置及应用该装置的等离子体刻蚀设备，气体调节装置设置在半导体处理设备的真空反应腔内，气体调节装置至少包含一个一级气体扩散槽和一个二级气体扩散槽，一级气体扩散槽与多个进气口连接，以获得反应气体，二级气体扩散槽上设置多个出气口，以向真空反应腔内提供反应气体，相邻的气体扩散槽之间设置有多个气体通道，以实现气体扩散槽之间的气体联通。本发明通过在反应腔内部设置多层气体扩散槽，并对不同的径向角度范围内的气体流量进行独立调节，能够在反应腔中360°圆周方向实现均匀的气体分布，保证了刻蚀的均匀性，提高了刻蚀效率，提高了产品的良率。
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公开(公告)号：CN111370281B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201811603960.1
申请日：2018-12-26
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/305 , H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种等离子体刻蚀装置，包括：反应室，用于容纳反应气体；介电窗，其设置与反应室顶部；边缘环，其固定于反应室和介电窗之间；介电窗和边缘环用于真空密封反应室；进气系统，其用于向反应室内通入反应气体，其包括设置在介电窗的中心区域上的第一进气通道，和环绕设置在介电窗的边缘区域上的第二进气通道，第二进气通道使得反应气体从上向下穿过介电窗，被反应室内的边缘环阻挡后向反应室内中心区域扩散。本发明解决了由于反应气体是腐蚀性气体时对设置在边缘环内部放入侧壁进气通道腐蚀产生污染物，污染物随着反应气体进入反应室内，导致反应室内的晶圆被污染的问题。
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公开(公告)号：CN111383885B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201811611307.X
申请日：2018-12-27
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种能提高控温精度的基片安装台及等离子体处理设备，该基片安装台包含依次设置的导电基座、热隔离层、加热层、控温层和静电吸盘层；该导电基座中还设有冷却系统；该控温层内设置一空腔，所述空腔内填充有金属相变材料，在等离子处理过程中，金属相变材料融化并在具有不同温度的区域之间流动，以维持基片的温度恒定，达到精确控温的目的。本发明通过设置金属相变材料进行控温，利用了金属相变材料的吸热、放热特性，结构简便，控温过程容易控制。通过设置能精确控温的控温层，维持静电吸盘温度稳定，从而保证基片刻蚀的均匀性，达到高质量产出的目的，且节能环保，操作简便。
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公开(公告)号：CN112928008B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201911243135.X
申请日：2019-12-06
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本申请实施例公开了一种气体供应系统，包括多个气体输入管路和气体输出管路，所述气体输入管路包括并联的第一气体输出支路和第二气体输出支路，所述气体输出管路包括第一气体输出管路和第二气体输出管路，所述第一气体输出管路的输出端与所述第二气体输出管路的输入端相连，第二气体输出管路的输出端用于给等离子体处理设备的腔室输送气体，第一气体输出管路与多个气体输入管路中的第一气体输出支路的输出端相连通，第二气体输出管路与所多个气体输入管路中的第二气体输出支路的输出端相连通，从而在多个气体输入管路中输出不同流量需求的第一气体和第二气体时，以解决小流量需求的第二气体对等离子体处理工艺过程的改善效果较为有限的问题。
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公开(公告)号：CN114879456A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210580394.7
申请日：2015-12-25
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶片处理系统，在处理腔上方设置加热器，将处理腔与真空进样腔连接，同时确保传输腔能够分别与处理腔、真空进样腔及刻蚀腔相互贯通，实现晶片的传递。本发明提供的晶片处理系统能够避免浪费晶片转移的时间，提高晶片的生产量。本发明中，在进行晶片去光刻胶处理时，在处理腔上方设置加热器，由于晶片表面积较小，采用灯加热器直接加热晶片表面能够有效地实现去光刻胶处理，同时节约能源。
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