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公开(公告)号：CN116791203A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310763198.8
申请日：2023-06-27
申请人： 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 中国建材集团有限公司
摘要： 本申请提供了一种湿化学共沉淀法制备磷酸氧钛铷电光晶体生长原料的方法，其以有机钛、NH4H2PO4和Rb2CO3为原料，采用湿化学共沉淀法和球磨法制备得到磷酸氧钛铷电光晶体生长原料。本申请提供的制备磷酸氧钛铷电光晶体生长原料的方法采用的原料价格低廉，操作简单、制备成本低；制备得到的磷酸氧钛铷电光晶体生长原料纯度高、均匀性好且重复性好；制备得到的磷酸氧钛铷电光晶体质量好，无晶界、条纹、散射颗粒等缺陷，光学性能好。
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公开(公告)号：CN117966249A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410115477.8
申请日：2024-01-26
申请人： 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种紫外非线性光学CLBO晶体助熔剂及晶体生长方法。采用LiVO3作为助熔剂，一方面LiVO3助熔剂可以有效打断B‑O键链，降低硼酸盐熔体的粘度(小于500cP)，降低晶体生长温度(650‑678℃)，大大减少高温溶液的挥发，且不会引入杂质离子到晶体中，提高了晶体光学质量，同时溶液透明，生长期间可以实时观察，挥发极小，不产生漂晶；采用合适生长工艺，生长出尺寸为84mm×82mm×52mm完全透明的高光学质量CLBO晶体，晶体透过率，从深紫外波段晶体透过率波段到近红外波段，210nm‑1100nm不小于90％，抗激光损伤阈值达到10.98J/cm2@1ns,355nm。
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公开(公告)号：CN118223123A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211649523.X
申请日：2022-12-21
申请人： 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
摘要： 本申请提供了一种镓掺杂的硼酸铯锂晶体及其制备方法，镓掺杂的硼酸铯锂晶体包括硼酸铯锂和镓元素，硼酸铯锂和镓元素的摩尔比为1:(0.00015‑0.00013)。本申请提供的镓掺杂的硼酸铯锂晶体具有较高的透过率、较高的抗激光损伤阈值和较强的抗潮解能力。
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公开(公告)号：CN116607213A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310555193.6
申请日：2023-05-17
申请人： 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司
摘要： 本申请提供了一种碱金属离子掺杂溴化镧闪烁晶体及其生长方法，其包括以下步骤：称取LaBr3、CeBr3和MF固体并混合，装入石英坩埚中；抽真空后封口；将封口的石英坩埚置于两段控温下降炉的上温区进行升温，升温结束后恒温至坩埚中的原料完全熔化，再启动引下装置，使所述石英坩埚从所述上温区移动至下温区进行引下生长；降温至室温，得到所述溴化镧闪烁晶体。本申请通过M+取代溴化镧晶体中部分Ce3+格位，使晶体中的Br‑空位浓度大幅增加，减少了自由载流子的俄歇猝灭，进而提高Ce:LaBr3晶体的能量分辨率，所得Ce:LaBr3晶体的能量分辨率小于2.6％@662keV。
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公开(公告)号：CN107287657B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710494746.6
申请日：2017-06-26
申请人： 北京中材人工晶体研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种溴化镧闪烁晶体的生长方法，包括以下操作：将原料装入坩埚内，放置于下降炉中进行加热熔化，然后坩埚不动，炉体缓慢移动，从而使坩埚通过温度梯度区，使原料在坩埚底部结晶，随着炉体的连续移动，晶体沿着与炉体运动相同的方向逐渐长大。利用本发明提出的生长方法，坩埚不动，靠炉体的移动实现晶体生长，可有效避免传统LaBr3:Ce闪烁晶体生长方法中因引下装置的微小振动对晶体生长干扰而引入的包裹体、气泡等杂质，可显著提高晶体的光学质量，特别适合大尺寸、高光学质量LaBr3:Ce闪烁晶体的生长。
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公开(公告)号：CN107287657A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710494746.6
申请日：2017-06-26
申请人： 北京中材人工晶体研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种溴化镧闪烁晶体的生长方法，包括以下操作：将原料装入坩埚内，放置于下降炉中进行加热熔化，然后坩埚不动，炉体缓慢移动，从而使坩埚通过温度梯度区，使原料在坩埚底部结晶，随着炉体的连续移动，晶体沿着与炉体运动相同的方向逐渐长大。利用本发明提出的生长方法，坩埚不动，靠炉体的移动实现晶体生长，可有效避免传统LaBr3:Ce闪烁晶体生长方法中因引下装置的微小振动对晶体生长干扰而引入的包裹体、气泡等杂质，可显著提高晶体的光学质量，特别适合大尺寸、高光学质量LaBr3:Ce闪烁晶体的生长。
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