公开(公告)号：CN100537149C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610118834.8

申请日：2006-11-28

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 蒋莉 ,  臧伟 ,  季华 ,  小池正博

IPC: B24D17/00 ,  B24B29/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26

Abstract: 本发明提供一种抛光垫，所述抛光垫的抛光面上具有平面区和凹凸区，所述平面区为粗糙度小于20μm的平坦表面，用于抛光晶圆，所述凹凸区具有槽、孔或者它们的组合，用于抛光后将晶圆从抛光面拔起。采用本发明提供的抛光垫可使化学机械抛光后的晶圆有较高的表面平整度，抛光结束后，将晶圆移动至抛光垫的凹凸区，可以容易的将晶圆从抛光垫表面拔出。

公开(公告)号：CN100449736C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200610028779.3

申请日：2006-07-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 洪中山 ,  金贤在 ,  季华

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/28

Abstract: 一种存储器件分离栅极的制造方法，包括：提供一具有复数沟槽和凸棱的半导体衬底；在所述沟槽内及凸棱上形成第一覆盖层；刻蚀所述第一覆盖层使其厚度介于所述沟槽深度的十分之一至二分之一之间；在所述沟槽侧壁、第一覆盖层和凸棱上形成第二覆盖层；刻蚀所述第二覆盖层至沟槽侧壁及凸棱上的第二覆盖层全部被移除。本发明避免在沟槽中填充的第二覆盖层上形成空洞。

公开(公告)号：CN101190507A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200610118833.3

申请日：2006-11-28

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 蒋莉 ,  臧伟 ,  季华 ,  小池正博

IPC: B24D17/00 ,  B24B29/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26

Abstract: 本发明提供一种抛光垫，所述抛光垫的抛光面上具有平面区和凹凸区，所述平面区为粗糙度小于20μm的平坦表面，用于抛光晶圆，所述凹凸区具有槽、孔或者它们的组合，用于抛光后将晶圆从抛光面拔起。采用本发明提供的抛光垫可使化学机械抛光后的晶圆有较高的表面平整度，抛光结束后，将晶圆移动至抛光垫的凹凸区，可以容易的将晶圆从抛光垫表面拔出。

公开(公告)号：CN100590848C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200710044633.2

申请日：2007-08-05

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 季华 ,  季明华 ,  三重野文健

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种电容器的形成方法，包括下列步骤：在依次带有层间介电层和多晶硅层的半导体衬底上形成均匀的离散的原子岛；进行退火工艺，使原子岛与多晶硅层反应，形成离散的球形颗粒；以离散的球形颗粒为掩膜，蚀刻多晶硅层和层间介电层，在层间介电层内形成凹槽；在凹槽内外的层间介电层上依次形成第一导电层、绝缘介质层和第二导电层。本发明还提供随机存储器单元的形成方法。由于原子颗粒的大小及密集度可控，经过退火后形成的导电颗粒大小及密度也可控，因此随着半导体器件的减小，也不会造成导电颗粒间产生连接，增大电容器表面积，提高电容量。

公开(公告)号：CN101330016A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200710042463.4

申请日：2007-06-22

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 季华 ,  季明华 ,  三重野文健

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/792 ,  C30B25/14 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/11563

Abstract: 一种原子层沉积方法，包括：第一前体气体流向原子层沉积室内的半导体衬底，形成离散的第一单层；惰性吹扫气体流向在原子层沉积室内的半导体衬底；第二前体气体流向原子层沉积室，与形成第一单层的第一前体气体反应，形成离散的第一化合物单层；惰性吹扫气体流向原子层沉积室；参考形成离散的化合物第一单层的工艺在半导体衬底上形成离散的第二化合物单层。所述方法在半导体衬底上形成离散的第一化合物单层和第二化合物单层。本发明还提供一种半导体器件，器件的捕获电荷层为包含采用原子沉积方法形成的离散的第一化合物单层和第二化合物单层的介电层。

公开(公告)号：CN101330015A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200710042461.5

申请日：2007-06-22

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 季华 ,  季明华 ,  三重野文健 ,  张复雄

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/792 ,  C30B25/14 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45529 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/792

Abstract: 一种原子层沉积方法，包括：第一前体气体流向原子层沉积室内的半导体衬底，形成离散的第一单层；惰性吹扫气体流向在原子层沉积室内的半导体衬底；第二前体气体流向原子层沉积室，与形成第一单层的第一前体气体反应，形成离散的第一化合物单层；惰性吹扫气体流向在原子层沉积室；在半导体衬底上形成第一介电层，在第一介电层上形成离散的第二单层，并在第一介电层上形成覆盖第二单层的第二介电层。所述方法在半导体衬底上形成一层以上离散的化合物单层。本发明还提供一种半导体器件，器件的捕获电荷层为采用原子沉积方法形成的一层以上离散的化合物单层。

公开(公告)号：CN100576442C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200710042351.9

申请日：2007-06-21

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 季华 ,  季明华 ,  三重野文健

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种电容器的制作方法，包括下列步骤：在依次带有层间介电层和第一导电层的半导体衬底上用原子层沉积法形成离散原子岛；对离散原子岛进行退火，形成离散球形颗粒，与第一导电层共同作为第一电极；在离散球形颗粒及第一导电层上形成绝缘介质层；在绝缘介质层上形成第二导电层，作为第二电极。形成均匀的离散原子岛，对离散原子岛进行退火后形成的离散球形颗粒也是均匀的，因此随着半导体器件的减小，使离散球形颗粒间不产生连接，进而增大电容器表面积，提高电容量。

公开(公告)号：CN100539035C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200410066298.2

申请日：2004-09-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 季华 ,  陈国庆

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/822

Abstract: 半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的腐蚀方法，包括以下步骤：(1)设置硅单晶片衬底；(2)硅单晶片衬底上淀积氧化物栅材料；(3)淀积多晶硅层；(4)硅单晶片衬底顶表面上和背面上形成氮化硅(SiN)保护层；(5)硅单晶片衬底顶表面上形成的氮化硅(SiN)层上形成二氧化硅(SiO2)层；(6)用磷酸(H3PO4)湿腐蚀除去硅单晶片衬底背面上的氮化硅(SiN)层；(7)用氢氟酸(HF)腐蚀除去硅单晶片衬底顶表面的氮化硅(SiN)层上的二氧化硅(SiO2)层，保留衬底顶表面的氮化硅(SiN)层。

公开(公告)号：CN101359624A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200710044633.2

申请日：2007-08-05

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 季华 ,  季明华 ,  三重野文健

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种电容器的形成方法，包括下列步骤：在依次带有层间介电层和多晶硅层的半导体衬底上形成均匀的离散的原子岛；进行退火工艺，使原子岛与多晶硅层反应，形成离散的球形颗粒；以离散的球形颗粒为掩膜，蚀刻多晶硅层和层间介电层，在层间介电层内形成凹槽；在凹槽内外的层间介电层上依次形成第一导电层、绝缘介质层和第二导电层。本发明还提供随机存储器单元的形成方法。由于原子颗粒的大小及密集度可控，经过退火后形成的导电颗粒大小及密度也可控，因此随着半导体器件的减小，也不会造成导电颗粒间产生连接，增大电容器表面积，提高电容量。

公开(公告)号：CN101330014A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200710042457.9

申请日：2007-06-22

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 季华 ,  季明华 ,  三重野文健

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/792 ,  C30B25/14 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/04 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/3185

Abstract: 一种原子层沉积方法，包括：在原子层沉积室内放置半导体衬底；第一前体气体流向原子层沉积室内的半导体衬底，在半导体衬底上形成离散的第一单层；惰性吹扫气体流向在原子层沉积室内的半导体衬底，去除没有形成第一单层的第一前体气体；第二前体气体流向在原子层沉积室，与形成第一单层的第一前体气体反应，形成离散的化合物单层；惰性吹扫气体流向在原子层沉积室，去除没有和第一前体气体的第二前体气体以及第一前体气体与第二前体气体反应的副产物。所述方法形成离散的化合物单层。本发明还提供一种半导体器件，器件的捕获电荷层为含有原子沉积方法形成的离散的化合物单层的介电层。