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公开(公告)号：CN100521109C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610119212.7
申请日：2006-12-06
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768
摘要： 一种低介电常数电介质的金属单镶嵌结构制作方法，该方法采用高碳聚合物气体进行低介电常数电介质层的金属单镶嵌结构刻蚀，去除光刻胶和抗反射层后，采用含双氧水和氟的化学清洗剂，可以完全去除高碳聚合物及其与光刻胶、电介质反应形成的硬皮物质，减少最后的表面缺陷。
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公开(公告)号：CN101197276A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610119212.7
申请日：2006-12-06
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768
摘要： 一种低介电常数电介质的金属单镶嵌结构制作方法，该方法采用高碳聚合物气体进行低介电常数电介质层的金属单镶嵌结构刻蚀，去除光刻胶和抗反射层后，采用含双氧水和氟的化学清洗剂，可以完全去除高碳聚合物及其与光刻胶、电介质反应形成的硬皮物质，减少最后的表面缺陷。
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公开(公告)号：CN1940731A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200510030301.X
申请日：2005-09-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种用低温氮气/氢气灰化制程减少聚合物残余的方法，传统的清洗方法，一般在沟道蚀刻完成之后直接进行湿式清洗制程，根据本发明的方法，在沟道蚀刻完成之后，先在室温下进行氮气/氢气灰化制程，然后进行湿式清洗制程。应用本发明的方法能够完全去除所述的聚合物残余，从而提高半导体器件的性能；并且应用此方法后对湿式清洗所用清洗剂的选择上更加自由，使清洗制程的适应性更加宽泛；另外，此种方法不会损伤低介电常数材料，不会使其介电常数升高。
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公开(公告)号：CN100483261C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200610029925.4
申请日：2006-08-10
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
摘要： 一种光刻图形的形成方法，包括：提供一半导体基底；将所述半导体基底移入等离子体刻蚀设备对所述半导体基底表面进行等离子体灰化处理；在所述半导体基底上旋涂光刻胶；将所述带有光刻胶的半导体基底送入曝光机进行曝光；将曝光后的晶片移入显影设备进行显影。
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公开(公告)号：CN101122749A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200610029925.4
申请日：2006-08-10
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
摘要： 一种光刻图形的形成方法，包括：提供一半导体基底；将所述半导体基底移入等离子体刻蚀设备对所述半导体基底表面进行等离子体灰化处理；在所述半导体基底上旋涂光刻胶；将所述带有光刻胶的半导体基底送入曝光机进行曝光；将曝光后的晶片移入显影设备进行显影。
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公开(公告)号：CN1940732A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200510030309.6
申请日：2005-09-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： H01L21/31138 , H01L21/31111
摘要： 本发明提供了用于去除半导体器件制造过程中使用的光刻膜的技术。第一处理室的衬底支撑部件包括至少三个可缩进针脚，所述至少三个可缩进针脚可以将晶圆抬离衬底支撑部件的表面。此外，第一处理室被配置成将衬底支撑部件自动维持在第一温度。通过使用所述至少三个可缩进针脚将晶圆抬离衬底支撑部件的表面。从衬底支撑部件对衬底的发热被减少。在衬底处于抬升位置的时候刻蚀掉衬底的光致抗蚀剂层。可以刻蚀衬底的抗反射层以充分去除所有抗反射层。在一个具体实施例中，抗反射层包括Honeywell国际公司的DUOTM底部抗反射涂层。
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公开(公告)号：CN100559286C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200510030309.6
申请日：2005-09-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： H01L21/31138 , H01L21/31111
摘要： 本发明提供了用于去除半导体器件制造过程中使用的光刻膜的技术。第一处理室的衬底支撑部件包括至少三个可缩进针脚，所述至少三个可缩进针脚可以将晶圆抬离衬底支撑部件的表面。此外，第一处理室被配置成将衬底支撑部件自动维持在第一温度。通过使用所述至少三个可缩进针脚将晶圆抬离衬底支撑部件的表面。从衬底支撑部件对衬底的发热被减少。在衬底处于抬升位置的时候刻蚀掉衬底的光致抗蚀剂层。可以刻蚀衬底的抗反射层以充分去除所有抗反射层。在一个具体实施例中，抗反射层包括Honeywell国际公司的DUOTM底部抗反射涂层。
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公开(公告)号：CN101063821A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610026325.2
申请日：2006-04-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/42 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种去除刻蚀残留物的方法包括：提供一半导体衬底；在衬底上形成功能层，在所述功能层表面形成掩膜层；图案化所述掩膜层；干法刻蚀所述功能层以形成所需图形并采用气体喷流去除刻蚀残留物；湿法清洗去除刻蚀残留物。本发明的另一种去除刻蚀残留物的方法在刻蚀所述功能层以形成所需图形之后先利用湿法去除刻蚀残留物；然后采用灰化方法去除刻蚀残留物；最后进行灰化后的清洗。本发明的刻蚀残留物去除方法对刻蚀后聚合物残留物有很好的去除效果，而且能够抗止光刻胶去除后的残留物再沉积，很好地解决了由于被去除残留物的再沉积而引起的例如堵塞通孔等问题。
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公开(公告)号：CN101059657A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610025838.1
申请日：2006-04-19
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种可使上电极表面无冠状缺陷的MIM电容材料刻蚀方法。该方法的实施步骤为：形成MIM结构；为将上电极材料刻蚀成所需图形，需在上电极材料上再淀积一薄层硬掩膜；在硬掩膜上涂覆光刻胶，采用相应刻蚀技术，在硬掩膜上刻蚀出图形；去除硬掩膜表面残留光刻胶；利用硬掩膜上刻蚀出的图形，采用相应刻蚀技术，将上电极材料刻蚀成所需图形，得到所需产品。采用本发明所述的方法，可使上电极表面不再有冠状缺陷，提高了产品的良品率。
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公开(公告)号：CN100468207C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200610026325.2
申请日：2006-04-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/42 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种去除刻蚀残留物的方法包括：提供一半导体衬底；在衬底上形成功能层，在所述功能层表面形成掩膜层；图案化所述掩膜层；干法刻蚀所述功能层以形成所需图形并采用气体喷流去除刻蚀残留物；湿法清洗去除刻蚀残留物。本发明的另一种去除刻蚀残留物的方法在刻蚀所述功能层以形成所需图形之后先利用湿法去除刻蚀残留物；然后采用灰化方法去除刻蚀残留物；最后进行灰化后的清洗。本发明的刻蚀残留物去除方法对刻蚀后聚合物残留物有很好的去除效果，而且能够抗止光刻胶去除后的残留物再沉积，很好地解决了由于被去除残留物的再沉积而引起的例如堵塞通孔等问题。
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