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公开(公告)号：CN101459113B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710094519.0
申请日：2007-12-13
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 一种浅沟槽隔离区形成方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成浅沟槽；沉积部分隔离层，所述部分隔离层覆盖所述浅沟槽；对沉积部分隔离层后的半导体基底执行刻蚀操作，以形成隔离分层，所述刻蚀操作涉及的刻蚀气体中包含氨气；顺序形成后续隔离分层，以在填充所述浅沟槽后形成浅沟槽隔离区。可减少形成过程中所述浅沟槽的侧壁及顶角受到的损伤，进而使降低包含所述浅沟槽隔离区的器件的漏电流成为可能。
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公开(公告)号：CN101740471A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810202833.0
申请日：2008-11-17
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 郭佳衢
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/31
摘要： 一种填充空隙沟槽的方法与一种形成半导体器件的方法，其中，填充空隙沟槽的方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一材料层，所述第一材料层表面包括非空隙沟槽表面和位于非空隙沟槽表面间的空隙沟槽，所述空隙沟槽具有第一开口；去除空隙沟槽侧壁与非空隙沟槽表面之间的拐角处的部分第一材料层，使空隙沟槽形成第二开口，所述第二开口大于第一开口；在第一材料层上形成第二材料层并填充空隙沟槽。本发明通过先使待填充的空隙沟槽的开口增大，可以防止后续填充的材料填充空隙沟槽不充分导致空洞的产生。
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公开(公告)号：CN101488454A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200810032608.7
申请日：2008-01-14
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/314 , H01L21/3105 , H01L29/51
摘要： 本发明揭示了一种氮氧化硅栅极电介质的形成方法，在位于由多晶硅栅极构成的栅极和硅基材之间的二氧化硅层中形成氮氧化物结构，该方法包括：在二氧化硅层中接近二氧化硅和硅基材的界面的位置形成基氮氧化层，该基氮氧化层具有低的N离子浓度；形成主氮氧化物结构，该主氮氧化物结构具有高的N离子浓度；其中，该基氮氧化层防止该主氮氧化物结构中的N离子或者N原子穿透该二氧化硅和硅基材的界面。该方法能在提供高N离子浓度的同时确保SiO2和Si基材的界面不被穿透破坏。
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公开(公告)号：CN100429742C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200510027043.X
申请日：2005-06-21
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 一种延长半导体集成电路制造工艺中使用的湿法清洗剂使用寿命的方法。通过少量添加清洗剂有效成分，使其在清洗液中的含量能维持清洗液的有效清洗性能，以及通过部分排出原有清洗液和部分注入新的清洗液，来维持清洗液中其它成分的含量。以这样的操作达到延长清洗液使用寿命的目的，减少清洗液的消耗。另一方面通过这样的方法还可以使整个工艺流程更具有可调节性，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN101202221A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610147324.3
申请日：2006-12-15
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
摘要： 一种栅极结构制造方法，包括：在半导体衬底上形成氧化层；沉积栅层，所述栅层覆盖所述氧化层；刻蚀所述栅层，以形成栅极；去除未被所述栅极覆盖的所述氧化层；沉积阻挡层，所述阻挡层覆盖所述栅极及所述半导体衬底。通过去除现行栅极结构中包含的侧墙，可最大幅度地扩大各栅极结构间线缝尺寸。
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公开(公告)号：CN101969049B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910055433.6
申请日：2009-07-27
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/8249 , H01L21/768 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种闪存器件的多晶字线顶端区域的制作方法，适用于闪存器件的多晶字线及连接的双二极管结构的制作，包括：在P型硅衬底上形成N阱、深层N阱和P阱；在P型硅衬底上形成浅沟槽隔离STI；在STI上形成多晶字线，其中奇数多晶字线顶端成圣诞树形状，通过上层的接触孔经金属层与双二极管结构连接；在STI中通过离子注入，先后在P型源极区和N阱之间形成P型轻掺杂区、P型源极区和P型漏极区以及N型栅极区，构成双二极管结构；对奇数多晶字线、P型源极区、N型栅极区和P型漏极区形成上层接触孔后，其中奇数多晶字线和P型源极区分别通过上层接触孔与同一金属层连接。该方法保证了所制造的闪存器件在应用端具有更好的可靠性。
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公开(公告)号：CN101969049A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200910055433.6
申请日：2009-07-27
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/8249 , H01L21/768 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种闪存器件的多晶字线顶端区域的制作方法，适用于闪存器件的多晶字线及连接的双二极管结构的制作，包括：在P型硅衬底上形成N阱、深层N阱和P阱；在P型硅衬底上形成浅沟槽隔离STI；在STI上形成多晶字线，其中奇数多晶字线顶端成圣诞树形状，通过上层的接触孔经金属层与双二极管结构连接；在STI中通过离子注入，先后在P型源极区和N阱之间形成P型轻掺杂区、P型源极区和P型漏极区以及N型栅极区，构成双二极管结构；对奇数多晶字线、P型源极区、N型栅极区和P型漏极区形成上层接触孔后，其中奇数多晶字线和P型源极区分别通过上层接触孔与同一金属层连接。该方法保证了所制造的闪存器件在应用端具有更好的可靠性。
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公开(公告)号：CN100536089C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200310122958.X
申请日：2003-12-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 郭佳衢
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477 , C30B33/02
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L29/7833
摘要： 一种半导体衬底的退火方法。该方法包括打开至少一个热源，在加热室中加热半导体衬底，关闭所述至少一个热源，并且在所述加热室中冷却所述半导体衬底。加热半导体衬底包括由所述半导体衬底从所述至少一个热源吸收能量。此外，冷却半导体衬底包括在加热室的至少一个壁附近流动第一气体，在所述至少一个热源附近流动第二气体，以及在半导体衬底附近流动第三气体。
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公开(公告)号：CN101393861A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200710046310.7
申请日：2007-09-20
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/3105 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种栅介质层的形成方法，包括步骤：在衬底上形成氧化硅层；对所述氧化硅层进行等离子体氮化处理；在氮气气氛下，对所述衬底进行第一热退火处理；在含氧气氛下，对所述衬底进行第二热退火处理。采用本发明的栅介质层的形成方法，可以提高氧化硅表层内的氮浓度，且可以在采用较低功率或较短时间的等离子处理的条件下，令氧化硅表层达到满足要求的氮浓度，减少了因等离子氮化处理给衬底带来的损伤，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN101063821A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610026325.2
申请日：2006-04-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/42 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种去除刻蚀残留物的方法包括：提供一半导体衬底；在衬底上形成功能层，在所述功能层表面形成掩膜层；图案化所述掩膜层；干法刻蚀所述功能层以形成所需图形并采用气体喷流去除刻蚀残留物；湿法清洗去除刻蚀残留物。本发明的另一种去除刻蚀残留物的方法在刻蚀所述功能层以形成所需图形之后先利用湿法去除刻蚀残留物；然后采用灰化方法去除刻蚀残留物；最后进行灰化后的清洗。本发明的刻蚀残留物去除方法对刻蚀后聚合物残留物有很好的去除效果，而且能够抗止光刻胶去除后的残留物再沉积，很好地解决了由于被去除残留物的再沉积而引起的例如堵塞通孔等问题。
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