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公开(公告)号：CN109309493B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201710620849.2
申请日：2017-07-27
IPC分类号： H03K19/0185
摘要： 本发明公开一种高压电平位移电路及半导体器件。该高压电平位移电路包括：电平转换电路，用于将具有第一高电平的输入信号转换成具有第二高电平的输出信号；第一开关，所述第一开关的一端与第一电源连接，所述第一开关的另一端与所述第一晶体管的控制端连接；第二开关，所述第二开关的一端与所述第一晶体管的控制端连接，所述第二开关的另一端与所述第一连接点连接；开关控制电路，分别与所述第一开关和所述第二开关连接，用于控制第一开关和第二开关不同时导通。本发明通过在电平转换电路中新增第一开关和第二开关，并通过开关控制电路控制第一开关和第二开关不同时导通，从而大大降低了高压电平位移电路在电压转换过程中会产生的静态电流。
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公开(公告)号：CN107481759A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201610402929.6
申请日：2016-06-08
IPC分类号： G11C16/30
摘要： 本发明提供一种外部双电压输入选择开关电路及电子装置，所述选择开关电路包括参考电压控制单元、电压抬升单元以及一第一NMOS晶体管，其中：参考电压控制单元配置为基于一参考电压输出控制电压信号给电压抬升单元；电压抬升单元连接至第一NMOS晶体管的栅极，配置为基于所述控制电压信号输出一栅极电压给所述栅极；第一NMOS晶体管的漏极连接至所述选择开关电路的输出端，第一NMOS晶体管的源极连接至负电荷泵偏置电压。根据本发明，借助于参考电压控制单元和电压抬升单元的共同作用，可以控制第一NMOS晶体管的栅极电压与衬底电压之间的电压差小于4V，提升第一NMOS晶体管的可靠性，使所述选择开关电路输出的电压满足NVM存储单元编写和擦除操作的要求。
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公开(公告)号：CN107103932A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201610094461.9
申请日：2016-02-19
摘要： 本申请提供了一种位线驱动电路及一种包括位线驱动电路的非易失性存储电路，通过利用NMOS晶体管的更高的栅极和基底的电压差来提高读传感速度，可以增加传感放大电路读信号的读取速度，进而提高非易失性存储电路的性能。
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公开(公告)号：CN109308922B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201710629716.1
申请日：2017-07-28
IPC分类号： G11C7/10
摘要： 本发明提供一种存储器及其数据读出驱动电路，包括：前置单元，适于接收数据信号，所述前置单元根据所述数据信号生成前置上拉信号和前置下拉信号；上拉信号产生单元，其具有电源端和接地端，所述上拉信号产生单元根据所述前置上拉信号生成上拉信号；下拉信号产生单元，其具有电源端和接地端，所述下拉信号产生单元根据所述前置下拉信号生成下拉信号；输出单元，根据所述上拉信号和下拉信号产生输出信号，所述上拉信号产生单元的电源端接入电源电压，所述上拉信号产生单元的接地端接入所述下拉信号；所述下拉信号产生单元的电源端接入所述上拉信号，所述下拉信号产生单元的接地端接地。本发明中的技术方案可以降低功耗。
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公开(公告)号：CN109300492B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201710614884.3
申请日：2017-07-25
摘要： 本发明提供一种上电信号产生电路，包括：第一电压生成单元，所述第一电压生成单元的输入端接入供电电压，第一电压生成单元用于根据所述供电电压生成第一电压信号，所述第一电压生成单元的输出端连接至泄放节点；输出单元，所述输出单元的输入端连接至所述泄放节点，所述输出单元的输出端输出所述上电信号，当所述泄放节点的电压大于第一阈值时，所述上电信号翻转；泄放单元，所述泄放单元适于在所述上电信号翻转之前，对所述泄放节点进行电荷泄放。本发明中的上电信号产生电路可以更准确的产生上电信号。
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公开(公告)号：CN107104665B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201610094463.8
申请日：2016-02-19
IPC分类号： H03K19/0185
摘要： 本申请提供了一种电平转换电路，包括两个异步输出的第一级输出电路，两个所述第一级输出电路均连接至接地端、第一电压源、第二电压源和第三电压源，并分别连接至两个异步输入的输入信号源，每一所述第一级输出电路在其输入信号源输入高电平时输出接地端的电压值，在其输入信号源输入低电平时输出第三电压源的电压值；第二级输出电路，所述第二级输出电路连接至所述第三电压源和两个异步输出的第一级输出电路的输出端，以输出在负压输出电平和所述第二电压源的电压值翻转的输出电压。所述电平转换电路具有双击输出电路提高了低压设备和中压设备的稳定性。
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公开(公告)号：CN107481759B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201610402929.6
申请日：2016-06-08
IPC分类号： G11C16/30
摘要： 本发明提供一种外部双电压输入选择开关电路及电子装置，所述选择开关电路包括参考电压控制单元、电压抬升单元以及一第一NMOS晶体管，其中：参考电压控制单元配置为基于一参考电压输出控制电压信号给电压抬升单元；电压抬升单元连接至第一NMOS晶体管的栅极，配置为基于所述控制电压信号输出一栅极电压给所述栅极；第一NMOS晶体管的漏极连接至所述选择开关电路的输出端，第一NMOS晶体管的源极连接至负电荷泵偏置电压。根据本发明，借助于参考电压控制单元和电压抬升单元的共同作用，可以控制第一NMOS晶体管的栅极电压与衬底电压之间的电压差小于4V，提升第一NMOS晶体管的可靠性，使所述选择开关电路输出的电压满足NVM存储单元编写和擦除操作的要求。
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公开(公告)号：CN109308922A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710629716.1
申请日：2017-07-28
IPC分类号： G11C7/10
摘要： 本发明提供一种存储器及其数据读出驱动电路，包括：前置单元，适于接收数据信号，所述前置单元根据所述数据信号生成前置上拉信号和前置下拉信号；上拉信号产生单元，其具有电源端和接地端，所述上拉信号产生单元根据所述前置上拉信号生成上拉信号；下拉信号产生单元，其具有电源端和接地端，所述下拉信号产生单元根据所述前置下拉信号生成下拉信号；输出单元，根据所述上拉信号和下拉信号产生输出信号，所述上拉信号产生单元的电源端接入电源电压，所述上拉信号产生单元的接地端接入所述下拉信号；所述下拉信号产生单元的电源端接入所述上拉信号，所述下拉信号产生单元的接地端接地。本发明中的技术方案可以降低功耗。
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公开(公告)号：CN109300492A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710614884.3
申请日：2017-07-25
摘要： 本发明提供一种上电信号产生电路，包括：第一电压生成单元，所述第一电压生成单元的输入端接入供电电压，第一电压生成单元用于根据所述供电电压生成第一电压信号，所述第一电压生成单元的输出端连接至泄放节点；输出单元，所述输出单元的输入端连接至所述泄放节点，所述输出单元的输出端输出所述上电信号，当所述泄放节点的电压大于第一阈值时，所述上电信号翻转；泄放单元，所述泄放单元适于在所述上电信号翻转之前，对所述泄放节点进行电荷泄放。本发明中的上电信号产生电路可以更准确的产生上电信号。
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公开(公告)号：CN107437434A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201610357262.2
申请日：2016-05-26
摘要： 本发明提供一种高压电平位移电路和非易失性存储器。所述高压电平位移电路包括：控制信号生成模块，其根据输入端的时序信号和使能信号生成控制信号；电压选择模块，其根据所述控制信号从多个输入电压信号中选择一个电压信号进行输出；偏置电路模块，其接收所述电压选择模块的输出电压信号并根据所述输出电压信号生成偏置电压信号；开关电路模块，其基于所述偏置电压信号控制所述高压电平位移电路的输出。所述电路在不影响中低压MOS晶体管正常工作的情况下进行高压电平位移，并且因此降低了电路的整体功耗。
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