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公开(公告)号：CN114864419A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110156084.8
申请日：2021-02-04
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/68 , H01L23/544
摘要： 本申请提供一种载体晶圆以及去除键合结构中载体晶圆的方法，其中所述载体晶圆包括：载体裸晶圆，所述载体裸晶圆具有第一表面；牺牲层，位于所述第一表面上；第一键合层，位于所述牺牲层的表面；以及，第二键合层，位于所述第一键合层的表面，所述第二键合层的表面作为所述载体晶圆的键合面。本申请技术方案的载体晶圆以及去除键合结构中载体晶圆的方法能够降低去除载体晶圆时的破片风险，同时简化了载体晶圆去除过程中繁琐的平坦化工艺，大大降低了工艺复杂性。
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公开(公告)号：CN115223852A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110414148.X
申请日：2021-04-16
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/304
摘要： 本申请提供一种修边方法及键合方法，所述修边方法应用于多层键合晶圆，包括：提供多层键合晶圆，所述多层键合晶圆包括有效区和位于所述有效区外围的修边区；去除部分所述修边区的多层键合晶圆，部分所述修边区为自所述有效区的边缘向外扩展特定宽度的区域；去除其余修边区的多层键合晶圆。本申请技术方案的修边方法及键合方法可以解决去除载体晶圆时键合界面的缺陷问题，有利于后续工艺的进行及提高产品良率。
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公开(公告)号：CN114999983A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110224468.9
申请日：2021-03-01
IPC分类号： H01L21/68 , H01L23/544 , H01L21/18
摘要： 本申请提供一种键合标记的制作方法、键合晶圆、载体晶圆及键合方法，其中所述键合标记的制作方法包括：提供键合裸晶圆，所述键合裸晶圆的表面形成有第一氧化层；刻蚀所述第一氧化层，在所述第一氧化层中形成不贯穿所述第一氧化层的标记孔；在所述标记孔中填充标记材料，且使所述标记材料的顶面和所述第一氧化层的表面共面，形成键合标记。本申请技术方案能够更好的实现晶圆堆叠与键合，提升良率。
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公开(公告)号：CN116072552A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111239938.5
申请日：2021-10-25
摘要： 本申请提供一种晶圆级封装结构及封装方法，所述结构包括：半导体转接板，所述半导体转接板的第一面设置有第一键合焊垫；若干按照设计要求排布的封装芯片，位于所述半导体转接板的第一面上，所述封装芯片靠近所述半导体转接板的一面设置有顶层焊垫；第二键合焊垫，所述第二键合焊垫通过第一层间金属连线与所述顶层焊垫电连接，且所述第一键合焊垫与所述第二键合焊垫相对应；其中，所述半导体转接板和所述若干封装芯片通过所述第二键合焊垫与所述第一键合焊垫键合；注塑层，位于所述若干封装芯片之间。本申请所述的晶圆级封装结构及封装方法，可以简化半导体转接板的工艺，降低封装整体翘曲，提高芯片封装引线密度，提高芯片性能。
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公开(公告)号：CN114864466A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110148378.6
申请日：2021-02-03
IPC分类号： H01L21/68 , H01L23/544 , H01L21/18
摘要： 本申请提供一种晶圆键合的方法及晶圆键合结构，所述晶圆键合的方法包括：提供键合裸晶圆，所述键合裸晶圆包括第一表面；在所述第一表面上形成初始层；在所述初始层和所述键合裸晶圆中形成第一凹槽，作为初始标记，且所述第一凹槽不贯穿所述键合裸晶圆；在所述初始层表面和所述第一凹槽中形成第一氧化层，且所述初始层表面和所述第一凹槽上方的第一氧化层的顶面共面；在所述第一氧化层表面形成键合标记材料层；参考所述初始标记，采用光刻工艺刻蚀所述键合标记材料层，形成第一键合标记，所述第一键合标记覆盖部分所述第一氧化层的表面。本申请技术方案能够提高晶圆堆叠与键合的质量，提升良率。
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公开(公告)号：CN116264156A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111533016.5
申请日：2021-12-15
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/304
摘要： 本申请提供一种晶圆结构的形成方法，所述方法包括：提供包括底部晶圆和载体晶圆的键合结构，其中，所述底部晶圆和所述载体晶圆中间依次包括底部介质层和载体介质层，所述底部晶圆和所述载体晶圆通过所述底部介质层和所述载体介质层键合；将所述载体晶圆减薄至特定厚度，减薄后的所述载体晶圆不同位置厚度分布不均；在所述载体晶圆中注入改性离子，使所述载体晶圆与所述载体介质层相对于第一刻蚀剂产生刻蚀速率的突变；采用所述第一刻蚀剂去除所述载体晶圆。本申请所述的一种晶圆结构的形成方法，通过注入改性离子，使想要去除的部分晶圆和不想要去除的部分晶圆对第一刻蚀剂产生刻蚀速率的突变，从而提高刻蚀后晶圆厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN116246939A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111489912.6
申请日：2021-12-08
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本申请技术方案提供一种晶圆处理方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，其中所述第一晶圆上形成有第一介质层，所述第二晶圆上形成有第二介质层；平坦化所述第一介质层至目标厚度，其中在部分所述第一晶圆和所述第一介质层的边缘形成第一修边区，且所述第一修边区包括平坦化所述第一介质层时形成的倒角缺陷；然后，采用第一修边工艺去除包括所述倒角缺陷的第一修边区；在所述第一介质层上形成第三介质层，并将所述第三介质层和所述第二介质层相贴合，键合所述第一晶圆和所述第二晶圆；减薄所述第一晶圆至目标位置，并采用第二修边工艺对所述第一晶圆和所述第二晶圆的边缘进行修边。本申请技术方案能够解决刀具损坏和晶圆崩边问题。
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