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公开(公告)号：CN116264156A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111533016.5
申请日：2021-12-15
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/304
摘要： 本申请提供一种晶圆结构的形成方法，所述方法包括：提供包括底部晶圆和载体晶圆的键合结构，其中，所述底部晶圆和所述载体晶圆中间依次包括底部介质层和载体介质层，所述底部晶圆和所述载体晶圆通过所述底部介质层和所述载体介质层键合；将所述载体晶圆减薄至特定厚度，减薄后的所述载体晶圆不同位置厚度分布不均；在所述载体晶圆中注入改性离子，使所述载体晶圆与所述载体介质层相对于第一刻蚀剂产生刻蚀速率的突变；采用所述第一刻蚀剂去除所述载体晶圆。本申请所述的一种晶圆结构的形成方法，通过注入改性离子，使想要去除的部分晶圆和不想要去除的部分晶圆对第一刻蚀剂产生刻蚀速率的突变，从而提高刻蚀后晶圆厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN116246939A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111489912.6
申请日：2021-12-08
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本申请技术方案提供一种晶圆处理方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，其中所述第一晶圆上形成有第一介质层，所述第二晶圆上形成有第二介质层；平坦化所述第一介质层至目标厚度，其中在部分所述第一晶圆和所述第一介质层的边缘形成第一修边区，且所述第一修边区包括平坦化所述第一介质层时形成的倒角缺陷；然后，采用第一修边工艺去除包括所述倒角缺陷的第一修边区；在所述第一介质层上形成第三介质层，并将所述第三介质层和所述第二介质层相贴合，键合所述第一晶圆和所述第二晶圆；减薄所述第一晶圆至目标位置，并采用第二修边工艺对所述第一晶圆和所述第二晶圆的边缘进行修边。本申请技术方案能够解决刀具损坏和晶圆崩边问题。
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公开(公告)号：CN116110799A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111334934.5
申请日：2021-11-11
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/304 , H01L25/00
摘要： 本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述晶圆键合结构包括：底部晶圆，所述底部晶圆表面形成有底部介质层；第一晶圆，键合于所述底部晶圆表面，所述第一晶圆面向所述底部晶圆的一面形成有第一介质层，所述第一晶圆和所述底部晶圆通过所述底部介质层和所述第一介质层键合，所述第一晶圆的边缘具有气泡缺陷的一部分被去除。本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，在晶圆键合之后及时去除键合晶圆边缘处的气泡缺陷，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN116264183A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111533963.4
申请日：2021-12-15
发明人： 刘清召
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本申请提供一种硅通孔结构的形成方法，所述方法包括：提供载体晶圆，所述载体晶圆表面依次形成有硬掩膜层和第一键合标记层；通过所述一键合标记层将所述载体晶圆和功能晶圆的第一面键合；提供底部晶圆，所述底部晶圆表面形成有第一介质层以及位于所述第一介质层中的第一金属层；将所述底部晶圆和所述功能晶圆的第二面键合；去除所述载体晶圆；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述第一键合标记层和所述功能晶圆形成贯穿所述第一键合标记层和所述功能晶圆且暴露所述第一金属层的硅通孔；在所述硅通孔中填充金属形成硅通孔结构。本申请提供一种硅通孔结构的形成方法，可以提高硅通孔结构的密度，提高功能晶圆之间的电信号互联密度。
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公开(公告)号：CN116246940A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111489993.X
申请日：2021-12-08
发明人： 刘清召
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本申请技术方案提供一种晶圆处理方法及其系统，所述方法包括：提供第一晶圆及键合在所述第一晶圆上的第二晶圆，其中所述第二晶圆的边缘包括经第一次修边后形成的棱角；对所述第一晶圆和第二晶圆的边缘进行第二次修边，其中所述第二次修边包括：采用第一刀具去除所述棱角，其中所述第一刀具的工作面为内凹的圆弧状；然后，采用第二刀具去除部分所述第一晶圆和第二晶圆的边缘，其中所述第二刀具的工作面为平面，且所述第一刀具的硬度大于所述第二刀具的硬度。本申请技术方案能够解决刀具损坏和晶圆崩边问题。
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公开(公告)号：CN116110801A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111333468.9
申请日：2021-11-11
发明人： 刘清召
摘要： 本申请提供一种晶圆堆叠结构及其形成方法，所述结构包括：底部晶圆；第一晶圆，堆叠于所述底部晶圆表面，所述第一晶圆的直径小于所述底部晶圆的直径；第一填充层，位于所述第一晶圆周围覆盖所述底部晶圆；第二晶圆，堆叠于所述第一晶圆表面，所述第二晶圆的直径与所述第一晶圆的直径相同；第二填充层，位于所述第二晶圆周围覆盖所述第一填充层；以此类推直至第N晶圆，堆叠于第N‑1晶圆表面，所述第N晶圆的直径与所述第N‑1晶圆的直径相同；第N填充层，位于所述第N晶圆周围覆盖第N‑1填充层，所述N为大于等于2的整数。堆叠的多层晶圆可以保持相同的尺寸，可以提升有效芯片数量，解决晶圆边缘洗边时洗不干净的问题。
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公开(公告)号：CN116153763A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111384621.0
申请日：2021-11-22
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本申请提供晶圆键合结构及其修边方法，所述方法包括：提供载体晶圆，所述载体晶圆表面键合有第一晶圆，所述第一晶圆的直径小于所述载体晶圆的直径；使用修边工具对所述第一晶圆进行第一修边，去除所述第一晶圆边缘的一部分，其中，所述修边工具的工作面被所述第一晶圆的边缘磨损；使用修复工具修复所述修边工具的工作面的磨损；使用修复后的修边工具对所述载体晶圆进行第二修边，去除所述载体晶圆边缘的一部分。本申请提供一种晶圆键合结构及其修边方法，在进行第一修边后，对修边工具进行修复，然后在进行第二修边，可以避免修边工艺在晶圆上留下痕迹，从而提高晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN117059565A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210487821.7
申请日：2022-05-06
发明人： 刘清召
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538
摘要： 一种封装方法，方法包括：提供第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底、以及位于第一衬底上的第一介电层，第一介电层中形成有待互连导电层，第一晶圆上键合有第二晶圆，第二晶圆包括第二衬底、以及位于第二衬底上的第二介电层，第二介电层的顶部键合有承载晶圆；在承载晶圆上形成第三介电层；形成第三介电层之后，在待互连导电层上形成贯穿第三介电层、承载晶圆、第二介电层、第二衬底和第一介电层的互连接触孔，互连接触孔露出待互连导电层的顶面；在互连接触孔中形成互连结构，互连结构与待互连导电层相电连接。降低了互连接触孔的顶部呈喇叭口的概率，使位于互连接触孔中的互连结构的形貌满足工艺要求，从而提高了半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN116266541A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111541406.7
申请日：2021-12-16
发明人： 刘清召
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/544 , H01L25/065
摘要： 本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述结构包括：底部晶圆，所述底部晶圆表面形成有第二介质层，所述第二介质层中形成有第二金属层和第二金属键合标记；第三介质层，位于所述第二介质层表面，所述第三介质层中形成有贯穿所述第三介质层且延伸至所述第二介质层并电连接所述第二金属层的第一再分布层；功能晶圆，所述功能晶圆的第二面形成有第一介质层，所述第一介质层中形成有第二再分布层和第一金属键合标记；所述功能晶圆的第一介质层和所述底部晶圆的第三介质层通过所述第一金属键合标记和所述第二金属键合标记对准并键合。本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，可以在不影响工艺复杂度的情况下提高晶圆对准精度。
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公开(公告)号：CN117747452A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211114675.X
申请日：2022-09-14
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , H10B12/00
摘要： 本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供晶圆，所述晶圆的表面包括分立的金属层，所述晶圆和所述金属层的表面还包括第一介质层；在部分所述金属层的表面形成贯穿所述第一介质层的第一通孔连线和第二通孔连线，且所述第一通孔连线的尺寸小于所述第二通孔连线的尺寸；在所述第一介质层、所述第一通孔连线及所述第二通孔连线的表面形成第一键合层；在所述第一键合层中形成与所述第一通孔连线位置对应的第一衬垫以及与所述第二通孔连线位置对应的第二衬垫，且所述第一衬垫的尺寸小于所述第二衬垫的尺寸，形成第一结构。本申请技术方案可以节省光罩、降低成本。
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