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公开(公告)号：CN117116901A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210516004.X
申请日：2022-05-12
Applicant: 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H10N97/00
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括有源区和隔离区，所述隔离区的基底中形成有隔离结构；在所述有源区的基底中形成多个掺杂区，所述多个掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区相邻设置，且两者的掺杂类型不同；形成所述第一掺杂区和第二掺杂区之后，在所述基底顶部形成线圈感应结构。降低了在所述有源区的基底中产生涡流的概率，相应的，也就降低了所述基底发生损耗的概率，提高了所述线圈感应结构的品质因数系数，从而提高了所述半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN117038649A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210461973.X
申请日：2022-04-28
Applicant: 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 一种电容器结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成多层金属线，多层金属线包括依次交替堆叠设置于基底上，每一层的金属线包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均包括梳柄部、以及多个与梳柄部相连且平行排列的梳齿部，第一电极对应的梳齿部作为第一梳齿部，第二电极对应的梳齿部作为第二梳齿部；其中，相邻层的金属线中，第一金属线对应的第一梳齿部和第二金属线对应的第一梳齿部在基底上的投影，沿梳齿部的排列方向错位设置，第一金属线对应的第二梳齿部和第二金属线对应的第二梳齿部在基底上的投影，沿梳齿部的排列方向错位设置。提高了电容器结构的电容密度。
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公开(公告)号：CN116682805A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210164519.8
申请日：2022-02-22
Applicant: 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/544 , G01R1/04
Abstract: 一种测试结构，包括：多个沿第一方向排布的测试器件；分别设置于所述测试器件两侧的第一焊垫组和第二焊垫组，其中，所述第一焊垫组和第二焊垫组均包括多个沿与所述第一方向垂直的第二方向平行排布的焊垫列，且每个所述焊垫列均包括多个沿所述第一方向排布的测试焊垫，所述测试焊垫与所述测试器件对应连接。本发明有利于节约测试结构的占用面积。
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公开(公告)号：CN117219610A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210602802.4
申请日：2022-05-30
Applicant: 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H10N97/00
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；线圈结构，位于所述基底上，所述线圈结构包括沿纵向堆叠的多个线圈层，多个所述线圈层相互电连接，每个所述线圈层均包括多个同心环绕的线圈，且每个所述线圈层的线圈与沿纵向相邻的线圈正对设置；沟槽，位于水平方向相邻的所述线圈之间，所述沟槽穿过多个所述线圈层，所述沟槽的侧壁和底部围成位于相邻所述线圈之间的空气间隙。本发明有利于提高半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN117080208A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210487822.1
申请日：2022-05-06
Applicant: 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括器件区；屏蔽环结构，位于器件区的基底上，屏蔽环结构中具有开口，用于将屏蔽环结构分为沿第一方向相隔离的第一屏蔽结构和第二屏蔽结构；导电结构，位于器件区的基底上，包括与第一屏蔽结构同侧的第一导电结构、以及与第二屏蔽结构同侧的第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均包括沿第二方向延伸的第一引线、以及沿第一方向延伸且与第一引线对应电连接的第二引线，沿第一方向，第一引线分别位于屏蔽环结构两侧，其中，第一导电结构的第二引线与第二屏蔽结构电连接，第二导电结构的第二引线与第一屏蔽结构电连接，导电结构接地，第二方向垂直于第一方向。本发明有利于提高器件的工作性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117015299A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210446715.4
申请日：2022-04-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H10N97/00
Abstract: 一种电容器结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在所述衬底的上方形成金属层，同层的所述金属层包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括第一梳柄部以及与第一梳柄部相连的多个第一梳齿部，所述第二电极包括第二梳柄部以及与第二梳柄部相连的多个第二梳齿部，所述第二梳齿部与第一梳齿部交叉平行设置，且多个所述第一梳齿部的长度之和与多个所述第二梳齿部的长度之和相同。降低了所述电容器的第一电极和第二电极出现电容差的概率，进而提高了所述电容器结构的性能。
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公开(公告)号：CN118738145A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310325866.9
申请日：2023-03-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L29/93 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底内的阱区，所述阱区为第一导电类型；位于所述阱区表面内的多个第一掺杂区和位于所述第一掺杂区之间的第二掺杂区，所述第一掺杂区为第一导电类型，所述第二掺杂区为第二导电类型；位于所述第一掺杂区上的第一端子和位于所述第二掺杂区上的第二端子；其中，所述第二掺杂区在衬底表面的投影为至少一个线形图形；在所述线形图形为一个时，所述线性图形内的线条至少具有2个延伸方向；在所述线形图形为多个时，所述线性图形中的线条至少具有一个延伸方向，所述半导体结构能够显著提高结型变容二极管性能。
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公开(公告)号：CN118366957A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310085893.3
申请日：2023-01-18
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/762 , H01L21/768
Abstract: 本发明的技术方案提供一种半导体器件及其形成方法、半导体结构，其中半导体器件包括：基底；位于基底上的屏蔽层，屏蔽层与基底电连接，屏蔽层包括多个间隔排布的同心导电环，导电环包括沿着第一方向对称分布的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分之间具有隔离开口；位于基底上的接地环，接地环环绕屏蔽层；位于屏蔽层上的接地线，接地线包括沿着第二方向延伸的第一接地线和一端与第一接地线的中心电连接且沿着第一方向延伸的第二接地线，第一接地线电连接多个导电环以及电连接同层的接地环，第一方向和第二方向不同，满足射频集成电路的工艺需求。
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公开(公告)号：CN117936509A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211247504.4
申请日：2022-10-12
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H10N97/00
Abstract: 一种电容结构，所述第一电极结构、所述第一极板、所述中间绝缘层、所述第二极板和所述第二电极结构依次层叠于所述衬底上，也就是说，位于所述中间绝缘层下方的第一极板通过更下方的第一电极结构与外部电路相连，即所述第一极板和所述第一电极结构位于所述中间绝缘层的同一侧，所述第一电极结构和所述第一极板之间的连接面积充裕，能够有效降低连接电阻，有利于品质因数Q值的提高。
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公开(公告)号：CN117832193A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211183259.5
申请日：2022-09-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/64
Abstract: 一种接地屏蔽结构和半导体器件，所述接地屏蔽结构包括：基底；多个有源区，所述多个有源区分布于所述衬底内；多个多晶硅栅条，多个所述多晶硅栅条分布于所述多个有源区上；第一导电结构，所述第一导电结构位于所述多个多晶硅栅条上，所述第一导电结构包括：多个第一金属段；接地环，所述接地环包围所述第一导电结构，所述接地环上具有接地点；第二导电结构，所述第二导电结构连接所述第一导电结构且延伸至所述接地环外与所述接地点相连。所述第二导电结构的长度更长，能够有效延长电流通道长度，能够有效增大所述接地屏蔽结构的电阻，能够有效抑制衬底损耗。
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