公开(公告)号：CN102396056B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980158708.7

申请日：2009-12-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  龟井阳

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/266 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/263 ,  H01L21/266 ,  H01L21/761 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够抑制杂质离子被注入的范围和带电粒子被注入的范围之间的相对位置的偏离。该半导体装置的制造方法具有：杂质离子注入工序，在将掩膜配置在杂质离子照射装置和半导体基板之间的状态下照射杂质离子；带电粒子注入工序，在将掩膜配置在带电粒子照射装置和半导体基板之间的状态下，通过照射带电粒子而形成低寿命区。从杂质离子注入工序和带电粒子注入工序的某一方开始起到杂质离子注入工序和带电粒子注入工序双方结束为止，掩膜和半导体基板之间的相对位置不发生改变。

公开(公告)号：CN102396056A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200980158708.7

申请日：2009-12-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  龟井阳

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/266 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/263 ,  H01L21/266 ,  H01L21/761 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够抑制杂质离子被注入的范围和带电粒子被注入的范围之间的相对位置的偏离。该半导体装置的制造方法具有：杂质离子注入工序，在将掩膜配置在杂质离子照射装置和半导体基板之间的状态下照射杂质离子；带电粒子注入工序，在将掩膜配置在带电粒子照射装置和半导体基板之间的状态下，通过照射带电粒子而形成低寿命区。从杂质离子注入工序和带电粒子注入工序的某一方开始起到杂质离子注入工序和带电粒子注入工序双方结束为止，掩膜和半导体基板之间的相对位置不发生改变。