一种利用氟锗酸钡热分解制备高纯四氟化锗的方法

    公开(公告)号:CN113526544A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110770649.1

    申请日:2021-07-07

    IPC分类号: C01G17/04

    摘要: 本发明属于四氟化锗制备技术领域,具体公开一种利用氟锗酸钡热分解制备高纯四氟化锗的方法,包括以下步骤:将可溶性二氧化锗溶解于氢氟酸溶液,制成氟锗酸溶液,所述氢氟酸的浓度为25mol/L,氢氟酸溶液和可溶性二氧化锗的摩尔比为6~6.25:1;在氟锗酸溶液中加入钡盐生成氟锗酸钡沉淀;将生成的氟锗酸钡沉淀使用无水乙醇清洗去除氟化氢残留,放入模具中压成块状,进行烘干,本发明使用氟锗酸钡在600℃~700℃可快速分解生成四氟化锗,锗的收率高,其固体副产物氟化钡具有非常广泛的应用领域和科学应用研究价值。其反应不需要氟气参与,对反应装置的要求低,配置简单,容易控制,其热分解生产的四氟化锗纯度高,杂质少。

    一种检测高纯四氟化锗杂质含量的气相色谱系统及方法

    公开(公告)号:CN113419019A

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202110911025.7

    申请日:2021-08-10

    IPC分类号: G01N30/20 G01N30/78

    摘要: 本发明属于高纯四氟化锗产品质量检测技术领域,具体公开一种检测高纯四氟化锗中杂质含量的气相色谱系统及方法,包括通过管路相互连接的切换阀系统、载气系统、进样系统、柱系统、尾气处理系统、检测系统,切换阀系统为五个,载气设置6条,进样系统中的两个装样品的定量环连通,可同时完成两个定量环的进样,设置两套分离系统,即用不同的预柱和色谱柱将高纯四氟化锗的不同成分进行分离,分离主成分后杂质气体进入相应的检测系统进行检测,而主成分四氟化锗通过反吹方式,从各个尾气处理口排出,使用本发明的气相色谱系统,进样后控制反吹时间将主要组分四氟化锗利用双反吹+中心切割吹扫出去,提高了其中痕量杂质分析的检出限和结果的准确性。

    一种从低品位锗富集物中提取锗的方法

    公开(公告)号:CN114921664B

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202210615858.3

    申请日:2022-06-01

    IPC分类号: C22B41/00 C22B7/02

    摘要: 本发明涉及湿法冶金技术领域,具体公开了一种采用三段浸出法提取低品位锗富集物(Ge≤1%)中锗的方法,即将低品位锗富集物经过两次硫化钠溶液浸出后,再用一次硫酸‑氟化铵溶液浸出,将第一次硫化钠浸出液和第三次硫酸浸出液混合后,用浸出液调节溶液的pH到3‑4,再加入三氯化铁溶液沉淀锗,并用氨水溶液调节pH值至碱性沉淀回收锗,再将得到的含锗沉淀物在500℃下焙烧得到高品位的锗精矿,第二次硫化钠浸出液作为下一次浸出时的第一次浸出液使用。采用本发明的锗提取方法,解决了低品位锗富集物中锗提取的技术难题,总浸出率达到95.16%以上,锗沉淀率达到99.2%以上,避免了直接氯化法提取低品位锗富集物时锗回收率低、提取成本高、环境影响大等问题。

    一种从烟尘中提取锗的方法

    公开(公告)号:CN113584319B

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202110889216.8

    申请日:2021-08-04

    IPC分类号: C22B7/02 C22B41/00

    摘要: 本发明涉及锗提取技术领域,具体公开了一种从烟尘中提取锗的方法,包括以下步骤:取旋转式挥发炉中产生的含锗烟尘,然后加入压力釜中悬空放置进行氧压氧化,通入CCl4溶液进入压力釜进行反应,并收集挥发的气体,进行冷却,将冷却后的GeCl4溶液通氯气进行氯化蒸馏提纯,然后水解过滤收集GeO2,将废液进行加热收起逸散气体在冰盐水中冷却,回收残余的CCl4循环再利用,将GeO2进行氢气还原后得到锗金属,本方法采用在高温压力氯化的情况下进行气态反应,反应回收效率高,反应速度快,避免了传统工艺反应时间过长的问题。

    两段还原挥发富集低品位锗精矿中锗的设备及方法

    公开(公告)号:CN113584307A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110882537.5

    申请日:2021-08-02

    IPC分类号: C22B5/12 C22B41/00

    摘要: 本发明涉及锗回收提取技术领域,具体公开一种经两段还原挥发富集低品位锗精矿中锗的设备及方法,包括顺序连接的氮气供气设备、旋转式挥发炉、竖式还原炉和布袋收尘器,所述竖式还原炉还连接有氢气供气装置和盐酸处理池,将低品位锗精矿粉碎后加入还原剂,混合均匀,然后放入旋转式挥发炉中,将旋转式挥发炉,先进行氧化焙烧挥发以除去低温下易挥发物质,然后将旋转式挥发炉升温,进行锗的第一段还原挥发,挥发后的锗进入竖式还原炉,通入氢气还原后,得到含锗固体颗粒,在加入盐酸进行反应后分离得到锗金属,采用两段富集锗工艺,提高了锗精矿二次富集的富集倍数和锗精矿的品位,解决了后工序氯化提锗回收率下降、成本高、环境影响大等问题。

    一种高纯四氟化锗气体的充装设备及充装方法

    公开(公告)号:CN116518293A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310408611.9

    申请日:2023-04-17

    IPC分类号: F17C6/00 F17C13/00

    摘要: 本发明公开了一种高纯四氟化锗气体的充装设备及充装方法,由第一冷却台、第二冷却台、真空泵、第一贮存容器、第二贮存容器、低温冷冻液机组和常温冷冻液机组组成;所述第一贮存容器设置于第一冷却台上;所述第二贮存容器设置于第二冷却台上;第一贮存容器通过阀门b1与阀门b2、阀门b3、和真空泵连接;阀门b2与第二贮存容器连接;常温冷冻液机组通过阀门a4与阀门a1和第一冷却台连接;阀门a1与阀门a2和低温冷冻液机组连接;常温冷冻液机组通过阀门a5与阀门a3和第一冷却台连接;阀门a3与低温冷冻液机组和第二冷却台连连接;阀门a2与第二冷却台连连接。在充装过程中不存在高压缓冲罐、高压气瓶等危险源的存在,保证了充装过程中的安全性与简便性,也保证了气体的纯度。

    两段还原挥发富集低品位锗精矿中锗的设备及方法

    公开(公告)号:CN113584307B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202110882537.5

    申请日:2021-08-02

    IPC分类号: C22B5/12 C22B41/00

    摘要: 本发明涉及锗回收提取技术领域,具体公开一种经两段还原挥发富集低品位锗精矿中锗的设备及方法,包括顺序连接的氮气供气设备、旋转式挥发炉、竖式还原炉和布袋收尘器,所述竖式还原炉还连接有氢气供气装置和盐酸处理池,将低品位锗精矿粉碎后加入还原剂,混合均匀,然后放入旋转式挥发炉中,将旋转式挥发炉,先进行氧化焙烧挥发以除去低温下易挥发物质,然后将旋转式挥发炉升温,进行锗的第一段还原挥发,挥发后的锗进入竖式还原炉,通入氢气还原后,得到含锗固体颗粒,在加入盐酸进行反应后分离得到锗金属,采用两段富集锗工艺,提高了锗精矿二次富集的富集倍数和锗精矿的品位,解决了后工序氯化提锗回收率下降、成本高、环境影响大等问题。