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公开(公告)号：CN107403758B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201710674709.3
申请日：2017-08-09
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/28 , H01L27/12 , H01L29/423
摘要： 本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置。阵列基板的制备方法包括：在基底上依次形成有源层、栅绝缘层、栅金属层以及图形化光刻胶；采用湿法刻蚀和干法刻蚀形成栅极过渡图案；形成有源层的重掺杂区；形成栅极和有源层的轻掺杂区。本发明通过采用“湿法刻蚀+干法刻蚀”组合工艺形成栅极过渡图案，不仅克服了现有技术过刻需求大导致的关键尺寸偏差，而且克服了现有采用纯干法刻蚀因光刻胶损耗大影响后续掺杂的问题。本发明有效克服了现有制备工艺中存在较大掺杂区域偏差的问题，保证了重掺杂区和轻掺杂区的长度，提升了LTPS薄膜晶体管的电学特性，提高了产品的可靠性和良品率。
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公开(公告)号：CN110287808B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201910476259.6
申请日：2019-06-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明涉及显示技术领域，并且具体地，提供了阵列基板及其制造方法，以及对应的显示面板和显示装置。阵列基板包括：衬底基板，具有彼此相对的第一表面和第二表面；在所述衬底基板的第一表面上阵列排布的多个读出单元；以及在所述衬底基板的第二表面上阵列排布的多个指纹识别单元，所述指纹识别单元通过贯穿所述衬底基板的第一过孔与对应的读出单元电连接。
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公开(公告)号：CN110350014B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910644649.X
申请日：2019-07-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开涉及一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法。显示基板包括：可拉伸衬底，包括沿所述可拉伸衬底表面分布的多个开孔图形，其中，所述多个开孔图形中的每个开孔图形包括多个开孔区，所述多个开孔区中相邻的开孔区之间形成能够围出第一岛区的多个桥区，所述多个开孔图形中每个开孔图形能够与相邻的至少两个开孔图形围成多个第二岛区；多个显示单元，分别设置在所述第一岛区和所述多个第二岛区上；和多个信号线，分别连接在多个所述显示单元之间，且分别设置于所述多个桥区。本公开实施例能够提升拉伸性能。
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公开(公告)号：CN110120432B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910435493.4
申请日：2019-05-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/101
摘要： 本发明提供一种光电转换结构和显示面板。该光电转换结构包括基底、设置于基底上的开关管和叠置于开关管上方的光电转换元件，光电转换元件包括光电转换层和电信号输出层，电信号输出层位于光电转换层与开关管之间，电信号输出层与开关管之间还设置有绝缘层，绝缘层中设置有第一结构，电信号输出层通过第一结构与开关管的源极连接，第一结构能使电信号输出层的与光电转换层相接触的表面平整。该光电转换结构能使电信号输出层的与光电转换层相接触的表面平整，从而使形成于电信号输出层上的光电转换元件的光电转换层平整，进而能够减轻或避免由于光电转换层不平整所导致的光电转换元件在工作时因局部电场集中而出现的暗电流上升现象。
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公开(公告)号：CN107102394B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201710534874.9
申请日：2017-07-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种线栅偏振器、其制作方法及显示面板，用以解决现有的金属线栅偏振器，在使用过程中金属线栅很容易被氧化或者腐蚀，进而导致线栅偏振器的反射率下降的问题。该线栅偏振器包括：设置在衬底基板上的若干条线栅；其中，线栅相互平行排列、且每相邻两条线栅之间的间距相等；至少一条线栅包括线栅主体、以及包覆在线栅主体表面的保护膜；保护膜材料的硬度和抗腐蚀能力大于线栅主体材料的硬度和抗腐蚀能力。其中线栅包括线栅主体、以及包覆在线栅主体表面的保护膜，由于保护膜材料的硬度和抗腐蚀能力均大于线栅主体材料的硬度和抗腐蚀能力，因此保护膜可以有效的保护线栅主体不被氧化或者腐蚀，而且可以提高线栅的硬度以及耐磨损能力。
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公开(公告)号：CN109950357A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910233511.0
申请日：2019-03-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种PIN器件及其制作方法、感光组件、显示装置，其中，PIN器件包括：依次设置的下部电极、第一掺杂层、本征层、第二掺杂层和上部电极；第二掺杂层包括：同层设置的本体部分和电场隔离部分，电场隔离部分至少部分包围本体部分，以隔离形成在PIN器件的侧壁的电场。本发明实施例中第二掺杂层中包括的至少部分包围本体部分的电场隔离部分能够隔离形成在PIN器件的侧壁电场，进而降低了由于PIN器件侧壁损伤导致的暗电流增大，提高了PIN器件的开关比和性能。
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公开(公告)号：CN106920860B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710283814.4
申请日：2017-04-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/053 , H01L27/12 , H01L41/08 , G02F1/1335
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明提供了光电转换器件、阵列基板、彩膜基板和显示装置。该光电转换器件包括：压电材料层、第一逆压电材料层、第二逆压电材料层、第一电极、第二电极、第一吸光材料层和第二吸光材料层，其中，第一逆压电材料层和第二逆压电材料层分别设置于压电材料层的两端且与压电材料层相连，第一电极和第二电极设置在压电材料层的同侧，沿第一逆压电材料层和第二逆压电材料层的分布方向间隔设置，且与压电材料层电连接，第一吸光材料层和第二吸光材料层分别与第一逆压电材料层和第二逆压电材料层电连接。本发明的光电转换器件在有光的情况下，将光转换为电能，用于驱动薄膜晶体管，将光电转换结构集成在显示面板制造工艺中，可降低成本。
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公开(公告)号：CN107342328A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710592687.6
申请日：2017-07-19
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/34 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/78603 , H01L27/1218 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/78669 , H01L29/7869
摘要： 本发明公开一种异形薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板，涉及显示技术领域，用于提高TFT显示面板的开口率和分辨率，以改善TFT显示面板的显示品质。所述异形薄膜晶体管包括薄膜晶体管，以及形成在衬底基板的凸块，所述凸块具有晶体管形成面，所述薄膜晶体管形成在所述晶体管形成面；所述晶体管形成面与所述凸块面向所述衬底基板的表面之间具有夹角α，且0°＜α＜90°。本发明提供的异形薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板用于TFT显示面板。
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公开(公告)号：CN107170710A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710448475.0
申请日：2017-06-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/77
摘要： 本发明提供一种阵列基板的制备方法，包括：提供基板；在所述基板上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成有机层；在所述有机层上形成第一导体层；在所述第一导体层上沉积光刻胶；以所述光刻胶和所述第一导体层为双重掩模刻蚀所述有机层。本发明提供的阵列基板的制备方法，以光刻胶和导体层制成的硬掩模层为双重掩模进行刻蚀，降低了刻蚀难度，减少了对光刻胶的依赖，降低了工艺复杂性。
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公开(公告)号：CN106981426A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710221190.3
申请日：2017-04-06
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管中，在由铜形成的源极、漏极之后，源极和漏极易与氧气及水分接触发生氧化，从而影响薄膜晶体管的膜层间接触电阻及性能的问题。本发明的薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板的上方沉积合金材料层，并对所述合金材料层至少与待形成源极、漏极对应的位置进行析出处理工艺以及构图工艺，形成源极、漏极和位于所述源极、漏极上的保护层。
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