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公开(公告)号：CN107170710B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201710448475.0
申请日：2017-06-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/77
摘要： 本发明提供一种阵列基板的制备方法，包括：提供基板；在所述基板上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成有机层；在所述有机层上形成第一导体层；在所述第一导体层上沉积光刻胶；以所述光刻胶和所述第一导体层为双重掩模刻蚀所述有机层。本发明提供的阵列基板的制备方法，以光刻胶和导体层制成的硬掩模层为双重掩模进行刻蚀，降低了刻蚀难度，减少了对光刻胶的依赖，降低了工艺复杂性。
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公开(公告)号：CN106548978B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201611056244.7
申请日：2016-11-22
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供一种功能图形的制作方法、阵列基板及显示装置，涉及显示领域。其中，制作方法包括：在衬底基板上形成具有凹槽结构的基层，所述凹槽结构的形状对应待形成的功能图形的形状；将用于形成功能图形的流变性材料填充至所述凹槽结构；固化所述凹槽结构中的流变性材料，得到功能图形；去除所述基层。本发明可以直接沉积出具有图形化的流变性材料，在流变性材料固化后即可作为功能图形，相比于现有技术，不需要再对功能图形进行刻蚀，因此简化了制作工序，从而提高制作效率，并降低制作成本。
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公开(公告)号：CN108919407A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810759614.6
申请日：2018-07-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02B5/30
摘要： 一种金属线的制备方法、金属线栅的制备方法以及线栅偏振片、电子装置。该金属线的制备方法包括：在衬底基板上形成金属材料层；采用包括刻蚀气体与涂层反应气体的复合气体对金属材料层进行刻蚀以形成金属线以及金属线的表面的保护涂层。采用该制备方法形成金属线时，金属线的表面在刻蚀过程中即可形成保护涂层，该保护涂层可以对金属线形成保护，例如可以使所形成的金属线的形貌更接近于目标形貌。
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公开(公告)号：CN107104110A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710375613.7
申请日：2017-05-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
摘要： 本发明公开了阵列基板、制备方法、显示面板以及显示装置。该阵列基板包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括：遮光层，所述遮光层设置在所述衬底上，所述遮光层的材料包括掺杂Ge的非晶硅；第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述遮光层远离所述衬底的一侧；有源层，所述有源层设置在所述第一缓冲层远离所述遮光层的一侧。由此，可以避免在光照时产生光生漏电流，进而可以提高该阵列基板的功能。
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公开(公告)号：CN106941082A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710171104.2
申请日：2017-03-21
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/465 , H01L21/34 , H01L27/12
摘要： 本文公开了一种氧化物半导体及氧化物薄膜晶体管制备方法和显示面板，包括：在进行第一层沉积之前，利用还原性气体对裸露的氧化物半导体进行处理，以消除初始耗尽层；进行第一层沉积。通过本申请提供的氧化物半导体制备方法，利用还原性气体对氧化物有源层表面的氧负离子进行反应，消除初始耗尽层，大大降低了半导体氧化物阻值的变化量，进而减小了Vth漂移，提高了作为有源层的氧化物的稳定性，从而增加氧化物TFT的信赖性。而且，本申请提供的技术方案工艺简单，有利于产线的大规模生产。
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公开(公告)号：CN106920860A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710283814.4
申请日：2017-04-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/053 , H01L27/12 , H01L41/08 , G02F1/1335
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/053 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , H01L27/1214 , H01L41/0805
摘要： 本发明提供了光电转换器件、阵列基板、彩膜基板和显示装置。该光电转换器件包括：压电材料层、第一逆压电材料层、第二逆压电材料层、第一电极、第二电极、第一吸光材料层和第二吸光材料层，其中，第一逆压电材料层和第二逆压电材料层分别设置于压电材料层的两端且与压电材料层相连，第一电极和第二电极设置在压电材料层的同侧，沿第一逆压电材料层和第二逆压电材料层的分布方向间隔设置，且与压电材料层电连接，第一吸光材料层和第二吸光材料层分别与第一逆压电材料层和第二逆压电材料层电连接。本发明的光电转换器件在有光的情况下，将光转换为电能，用于驱动薄膜晶体管，将光电转换结构集成在显示面板制造工艺中，可降低成本。
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公开(公告)号：CN107104110B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710375613.7
申请日：2017-05-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
摘要： 本发明公开了阵列基板、制备方法、显示面板以及显示装置。该阵列基板包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括：遮光层，所述遮光层设置在所述衬底上，所述遮光层的材料包括掺杂Ge的非晶硅；第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述遮光层远离所述衬底的一侧；有源层，所述有源层设置在所述第一缓冲层远离所述遮光层的一侧。由此，可以避免在光照时产生光生漏电流，进而可以提高该阵列基板的功能。
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公开(公告)号：CN108346396A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810177449.3
申请日：2018-03-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 福州京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G09G3/20 , G06F3/044 , G06F3/0488
摘要： 本发明的实施例提供一种显示装置及突出显示方法，涉及显示技术领域，无需做软件方面的突出、模糊等处理。一种突出显示方法，包括：根据用户的操作，获取突出显示区域的坐标，并将所述突出显示区域的坐标提供至时序控制器；所述时序控制器根据接收的所述突出显示区域的坐标，控制所述突出显示区域的亮度高于显示面板除所述突出显示区域外的其他区域的亮度。
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公开(公告)号：CN107664890A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710859318.9
申请日：2017-09-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333 , G02F1/1343
摘要： 本发明公开了一种柔性阵列基板及其制备方法，属于液晶显示技术领域。该阵列基板包括设置在基膜上的薄膜晶体管阵列结构层，所述薄膜晶体管阵列结构层形成多个阵列排布的像素区域，所述像素区域内设置有液晶偏转层。液晶偏转层上设置有多个用于承载液晶的凹槽。本发明实施例提出的柔性阵列基板，可以将液晶滴注在凹槽中，使得液晶分开在不同的区域。这样，就避免了阵列基板在柔性显示时的液晶偏转异常，避免了漏光、变色等不良，提高了柔性LCD面板的显示效果。本发明实施例还提出了该柔性阵列基板的制备方法。
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公开(公告)号：CN107102394A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710534874.9
申请日：2017-07-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种线栅偏振器、其制作方法及显示面板，用以解决现有的金属线栅偏振器，在使用过程中金属线栅很容易被氧化或者腐蚀，进而导致线栅偏振器的反射率下降的问题。该线栅偏振器包括：设置在衬底基板上的若干条线栅；其中，线栅相互平行排列、且每相邻两条线栅之间的间距相等；至少一条线栅包括线栅主体、以及包覆在线栅主体表面的保护膜；保护膜材料的硬度和抗腐蚀能力大于线栅主体材料的硬度和抗腐蚀能力。其中线栅包括线栅主体、以及包覆在线栅主体表面的保护膜，由于保护膜材料的硬度和抗腐蚀能力均大于线栅主体材料的硬度和抗腐蚀能力，因此保护膜可以有效的保护线栅主体不被氧化或者腐蚀，而且可以提高线栅的硬度以及耐磨损能力。
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