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公开(公告)号:CN112071868B
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202010990335.8
申请日:2020-09-18
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC: H01L27/12 , H10K59/12 , G02F1/1333
Abstract: 本发明实施例提供一种LTPS TFT阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域,可以解决薄膜晶体管的漏电流较高的问题,该LTPS TFT阵列基板包括:衬底、金属块以及至少一个薄膜晶体管;所述金属块设置于所述衬底上,所述金属块具有远离所述衬底一侧的第一表面;所述至少一个薄膜晶体管包括多晶硅层;所述多晶硅层包括源极区、漏极区,以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区;所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分具有第一晶粒度,其余部分具有第二晶粒度;所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分位于所述源极区、所述漏极区中的至少一个;其中,所述第一晶粒度小于所述第二晶粒度。
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公开(公告)号:CN113871483A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202010614083.9
申请日:2020-06-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , G09F9/30 , G02B27/01
Abstract: 本公开提供一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置,属于显示技术领域。本公开的薄膜晶体管,其包括:基底,位于所述基底上的栅极、有源层、源极和漏极;其中,所述栅极包括依次设置所述基底上、且电连接的第一栅极和第二栅极;所述有源层位于所述第一栅极和所述第二栅极之间;且所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影均与所述有源层在所述基底上正投影部分重叠;所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影部分重叠。
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公开(公告)号:CN112071868A
公开(公告)日:2020-12-11
申请号:CN202010990335.8
申请日:2020-09-18
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1333
Abstract: 本发明实施例提供一种LTPS TFT阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域,可以解决薄膜晶体管的漏电流较高的问题,该LTPS TFT阵列基板包括:衬底、金属块以及至少一个薄膜晶体管;所述金属块设置于所述衬底上,所述金属块具有远离所述衬底一侧的第一表面;所述至少一个薄膜晶体管包括多晶硅层;所述多晶硅层包括源极区、漏极区,以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区;所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分具有第一晶粒度,其余部分具有第二晶粒度;所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分位于所述源极区、所述漏极区中的至少一个;其中,所述第一晶粒度小于所述第二晶粒度。
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公开(公告)号:CN103018986B
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201210491174.3
申请日:2012-11-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/1333 , H01L21/77 , H01L27/12 , G09G3/36
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/134363 , G02F1/136286
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制备和驱动方法、液晶显示面板,用以降低液晶显示装置所需的驱动电压,并提高光穿透率。阵列基板包括横纵交叉围设形成多个像素单元的数据线和栅线,每个像素单元包括像素电极和公共电极,其中,所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极,所述第一公共电极、第二公共电极和所述像素电极位于同一层,以及所述第一公共电极和第二公共电极为条状图案,且第一公共电极、所述像素电极和第二公共电极相互间隔排列,其中:第一公共电极通过第一接触孔与第一公共电极导线连接,第二公共电极通过第二接触孔与第二公共电极导线连接,且第一公共电极导线和第二公共电极导线与所述栅线平行。
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公开(公告)号:CN102998858A
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201210533635.9
申请日:2012-12-11
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1335 , G02F1/133 , G09G3/36
Abstract: 本发明涉及液晶显示技术领域,提供了一种阵列基板、显示面板、显示装置及其控制方法。所述阵列基板的像素区域被分为多个组,每一组像素区域对应一组独立的公共电极,所述每组独立公共电极对应一个独立的公共电压。本发明的技术方案中,通过对将像素区域的像素分为多组,并分别对各组像素对应的公共电极电压进行独立控制,从而可以在显示面板的调试过程中独立调整不同组像素的Gamma曲线,使得各组像素给用户的亮度观感相近,提高显示装置的显示质量,实现画面显示品质的控制。
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公开(公告)号:CN102881256B
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201210387899.8
申请日:2012-10-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G09G3/32 , G02F1/1368 , G09F9/35
Abstract: 本发明提供一种像素驱动电路、显示面板、显示装置和像素驱动方法,涉及液晶显示技术领域,可以降低数据线驱动电路的功耗。一种像素驱动电路,包括多个呈矩阵分布的像素单元,所述像素单元通过数据线和数据驱动器相连,通过扫描线和扫描驱动器相连,每个像素单元包括像素电极、公共电极,每个像素单元连接第一扫描线和第二扫描线;每个像素单元还包括:电压生成单元,在第一扫描线的控制下,由所述数据线传来的第一电压信号生成像素电极和公共电极间的初始电压信号;电压耦合单元,在第二扫描线的控制下,通过所述数据线传来的第二电压信号对像素电极和公共电极间的初始电压信号进行升压。
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公开(公告)号:CN103165530A
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN201310057631.2
申请日:2013-02-22
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/1362 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , G02F2001/136222 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/1288 , H01L29/78633
Abstract: 本发明属于显示技术领域,公开了一种TFT阵列基板及其制造方法、显示装置,仅通过一次构图工艺形成钝化层过孔的图案,然后在该构图工艺的光刻胶剥离过程中形成遮光片的图案,克服了阵列基板的构图工艺中由于曝光量过大对薄膜晶体管有源层的损坏,大大降低了在阵列基板上形成彩色滤光片的成本,保证了TFT的特性,进而不会影响显示装置的显示品质。
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公开(公告)号:CN114628403B
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202011363569.6
申请日:2020-11-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC: H10D86/60 , H10H29/32 , H10K59/124 , H01L23/544 , H10D86/01 , G02F1/1362
Abstract: 本公开实施例提供一种显示基板母板及其制备方法、显示基板及显示装置,该显示基板母板包括:衬底基板、位于所述衬底基板上的显示基板区域和位于所述显示基板区域周边的标记区域;该显示基板母板还包括:设置在所述显示基板区域的薄膜晶体管、设置在所述标记区域的标记结构和设置在所述薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧的平坦化层;其中,所述平坦化层包括:设置在所述标记结构对应位置处,且沿靠近所述衬底基板的方向延伸的凹槽,所述凹槽在所述衬底基板上的正投影覆盖所述标记结构在衬底基板上的正投影。
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公开(公告)号:CN102830848B
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201210330582.0
申请日:2012-09-07
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G06F3/041 , G02F1/133 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/13338 , G02F1/13454 , G02F2001/133334 , G02F2001/136218
Abstract: 本发明提供一种触摸液晶显示装置、液晶显示面板、阵列基板及彩膜基板,属于液晶显示领域。触摸液晶显示面板包括阵列基板和彩膜基板,所述阵列基板上形成有GOA电路,所述彩膜基板外侧形成有触摸信号传输线,所述触摸液晶显示面板还包括:位于所述GOA电路与所述触摸信号传输线之间的屏蔽电极,所述屏蔽电极用于屏蔽所述GOA电路的时钟信号对所述触摸信号传输线的触摸感应信号造成的干扰。本发明能够降低GOA电路的时钟信号对触摸信号传输线的触摸感应信号造成的干扰。
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公开(公告)号:CN103165530B
公开(公告)日:2015-01-28
申请号:CN201310057631.2
申请日:2013-02-22
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/1362 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , G02F2001/136222 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/1288 , H01L29/78633
Abstract: 本发明属于显示技术领域,公开了一种TFT阵列基板及其制造方法、显示装置,仅通过一次构图工艺形成钝化层过孔的图案,然后在该构图工艺的光刻胶剥离过程中形成遮光片的图案,克服了阵列基板的构图工艺中由于曝光量过大对薄膜晶体管有源层的损坏,大大降低了在阵列基板上形成彩色滤光片的成本,保证了TFT的特性,进而不会影响显示装置的显示品质。
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