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公开(公告)号：CN118825029A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310429430.4
申请日：2023-04-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
摘要： 本发明公开了一种显示基板、显示面板及显示装置，显示基板包括衬底基板、位于衬底基板之上的第一薄膜晶体管和位于第一薄膜晶体管背离衬底基板一侧的光敏器件。其中第一薄膜晶体管采用第一氧化物半导体层作为有源层，第一氧化物半导体层包括一导体化区、第二导体化区，以及位于第一导体化区和第二导体化区之间的第一沟道区。第一导体化区与第一数据线电连接，第二导体化区与光敏器件电连接，避免了源漏金属层的镀膜和开孔工艺，减少了显示基板的膜层数量，简化了显示基板的结构，大大地降低了制作难度。
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公开(公告)号：CN117320484A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311257436.4
申请日：2023-09-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H10K59/12 , H10K59/80 , H10K59/131 , H01L27/12 , H10K50/84 , H10K50/805 , H10K71/00
摘要： 本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板，阵列基板包括第一衬底基板、设于第一衬底基板一侧的第一缓冲层、设于第一缓冲层远离第一衬底基板一侧的薄膜晶体管，以及薄膜晶体管远离第一衬底基板一侧依次设置的第一钝化层、第二钝化层和像素电极，第二钝化层的孔隙率大于第一钝化层的孔隙率；像素电极上设置有多个并列排布的狭缝，第二钝化层包括多个与狭缝位置相对且沿第二钝化层厚度方向延伸的凹部，狭缝在第一衬底基板上的正投影位于凹部在第一衬底基板上的正投影范围内。凹部开口面积大于狭缝开口面积，能够提升阵列基板的光线透过率，并提升像素电极与公共电极间电场强度降低VOP，降低显示面板功耗。
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公开(公告)号：CN109065058B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201811160149.0
申请日：2018-09-30
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种语音通信方法、装置及系统，涉及通信技术领域，主要目的在于解决现有语音通信过程中，存在安全性较低的问题。本发明的方法主要包括：在发送端获取语音信息；判断所述语音信息是否为预设用户发出的，并在确定该语音信息为预设用户发出时，将所述语音信息发送至对端设备，否则，则不发送所述语音信息；以及，在输出端接收来自对端设备发送的语音信息；采集第一环境信息，并确定所述第一环境信息是否符合语音输出条件；并发送端在确定所述第一环境信息符合语音输出条件时，输出所述语音信息，否则，则不输出所述语音信息。本发明适用于语音通信的过程中。
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公开(公告)号：CN115268155B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210621901.7
申请日：2022-06-01
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本申请提供一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。通过在衬底基板设置第一薄膜晶体管，并在第一绝缘层开设与所述第一薄膜晶体管对应的第一过孔；在与所述第一薄膜晶体管对应的第一色阻上设置第一连接电极层；在第二绝缘层设置与所述第一薄膜晶体管对应的第二过孔；能够使第一像素电极通过所述第二过孔与所述第一连接电极层电连接，而第一连接电极层又通过第二过孔与所述第一薄膜晶体管的源极电连接，这样，实现了第一像素电极与第一薄膜晶体管的源极的电连接，无需在第一色阻设置过孔，避免了在第一色阻设置过孔导致的开口率或光效损失等。
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公开(公告)号：CN116888737A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202180001627.7
申请日：2021-06-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12
摘要： 本公开实施例提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板。该阵列基板，其中，包括：基底，基底上横纵排布的多条栅线和多条数据线，以及多个像素单元，每个像素单元至少包含一个薄膜晶体管；第一导电层和第二导电层；第一导电层和第二导电层之间还设置有第一绝缘层；第一导电层包括第一走线图形；第二导电层包括第一互联图形；第一走线图形和第一互联图形在基底上的正投影至少部分交叠；第一走线图形和第一互联图形通过开设在第一绝缘层中的过孔连接；第一走线图形包括数据线，第一互联图形用于与数据线连接以构成数据线辅助线；数据线和第一互联图形至少其中之一与薄膜晶体管的源极连接。
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公开(公告)号：CN110706629B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910931871.8
申请日：2019-09-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G09G3/00 , G09G3/3225 , H10K59/131
摘要： 本发明提供一种显示基板的检测方法和检测装置，该检测方法包括：在第一写入阶段，向各数据线提供有效电压，向电源端提供有效电压，向待检测第一栅线的两端提供有效电压，其中，向数据线提供的有效电压的绝对值小于向电源端提供的有效电压的绝对值，向待检测第一栅线的两端提供的有效电压的绝对值小于向数据线提供的有效电压的绝对值；在第一检测阶段，维持向电源端提供的有效电压不变、向待检测第一栅线的两端提供的无效电压，检测待检测第一栅线所对应的存储电容第二极上的电压。本发明的技术方案，可以在Array阶段检测出第一栅线中是否存在断点不良。
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公开(公告)号：CN109161863B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201811366259.2
申请日：2018-11-16
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明提供一种靶材、磁控溅射装置及溅射方法、溅射薄膜，属于磁控溅射技术领域，其可解决现有的旋转靶磁控溅射设备的溅射得到的薄膜的电阻存在周期性差异致使显示不均的问题。本发明的靶材通过改变不同区域的靶元素含量，使得不同区域靶材的电阻率不同，这样当该靶材溅射成膜后，较薄薄膜的导电性能与较厚薄膜的导电性能一致，即薄厚不均的薄膜导电性能相同。采用该薄膜作为TFT的源漏极或者有源层，不同区域的TFT的电流大小相同，所制备的产品显示均匀。
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公开(公告)号：CN110459155B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN201910810575.2
申请日：2019-08-29
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/00
摘要： 一种显示面板及其检测方法，其中，显示面板包括栅极驱动电路以及多个第一测试信号线；栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器，每个移位寄存器包括：控制子电路；控制子电路，与第一信号输入端、第一电源端、第二电源端以及上拉节点连接，用于向上拉节点提供第一信号输入端的信号，以及在第一电源端和第二电源端的控制下，维持上拉节点的电位；上拉节点与一个第一测试信号线连接。本申请实施例通过检测第一测试信号线的输出信号波形，确定移位寄存器的控制子电路是否存在异常。
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公开(公告)号：CN109860207B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201910145454.0
申请日：2019-02-27
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板上交叉设置的栅线和数据线，且所述栅线所在层位于所述数据线所在层与所述衬底基板之间，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板与所述栅线所在层之间的缓冲层；所述缓冲层包括多个过孔，所述过孔在所述衬底基板上的正投影覆盖所述栅线和所述数据线的交叉区域在所述衬底基板上的正投影。通过在数据线和栅线的交叉区域处，将缓冲层设置过孔，从而可以去除缓冲层在交叉区域处的异物，避免该异物刺破栅线和数据线之间的绝缘层导致栅线和数据线短路的问题。
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公开(公告)号：CN110854140B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201911257433.4
申请日：2019-12-10
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种阵列基板及其制备方法，显示面板、显示装置，用以在阵列基板的制备过程中对过孔刻蚀残留不良进行检测，从而可以缩短刻蚀残留不良检测周期，节约成本。本申请实施例提供的一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板，在所述衬底基板之上的导电遮光层，位于所述导电遮光层之上的绝缘层，以及位于所述绝缘层上的源漏电极层；所述源漏电极层通过贯穿所述绝缘层的第一过孔和所述导电遮光层的第二过孔与所述导电遮光层电连接。
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