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公开(公告)号:CN101868762B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN200880116804.0
申请日:2008-11-10
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor: L·M·欧文 , D·H·莱维 , D·C·弗里曼 , C·杨 , P·J·考德里-科万
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0754 , G03F7/40
Abstract: 一种用于形成图案化薄膜的原子层沉积工艺,包括提供基材,向基材上施加可光图案化的沉积抑制剂材料,其中所述沉积抑制剂材料包括有机硅氧烷化合物;图案化所述沉积抑制剂材料。所述薄膜基本上只沉积在基材上不具有沉积抑制剂材料的选区内。
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公开(公告)号:CN101868762A
公开(公告)日:2010-10-20
申请号:CN200880116804.0
申请日:2008-11-10
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor: L·M·欧文 , D·H·莱维 , D·C·弗里曼 , C·杨 , P·J·考德里-科万
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0754 , G03F7/40
Abstract: 一种用于形成图案化薄膜的原子层沉积工艺,包括提供基材,向基材上施加可光图案化的沉积抑制剂材料,其中所述沉积抑制剂材料包括有机硅氧烷化合物;图案化所述沉积抑制剂材料。所述薄膜基本上只沉积在基材上不具有沉积抑制剂材料的选区内。
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公开(公告)号:CN101868761A
公开(公告)日:2010-10-20
申请号:CN200880116812.5
申请日:2008-11-12
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor: L·M·欧文 , D·C·弗里曼 , P·J·考德里-科万 , C·杨 , D·H·莱维
CPC classification number: H01L27/1288 , G03F7/0005 , G03F7/2022 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L29/66765 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种形成结构的方法,其包括a)提供透明载体;b)在透明载体的第一侧上形成彩色掩模;c)施加含有对可见光敏感的沉积抑制剂材料的第一层;d)通过用可见光透过彩色掩模对第一层曝光,将第一层图案化以形成第一图案,和将沉积抑制剂材料显影以提供实际上不具有沉积抑制剂材料的第一层的选区;和e)在透明载体上沉积功能材料第二层;其中功能材料第二层基本上只被沉积在透明载体上不具有沉积抑制剂材料的选区内。
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