-
公开(公告)号：CN101868762B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880116804.0
申请日：2008-11-10
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： L·M·欧文 , D·H·莱维 , D·C·弗里曼 , C·杨 , P·J·考德里-科万
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0754 , G03F7/40
Abstract: 一种用于形成图案化薄膜的原子层沉积工艺，包括提供基材，向基材上施加可光图案化的沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料包括有机硅氧烷化合物；图案化所述沉积抑制剂材料。所述薄膜基本上只沉积在基材上不具有沉积抑制剂材料的选区内。
-
公开(公告)号：CN101809195A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109120.8
申请日：2008-09-16
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： C·杨 , L·M·欧文 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔万 , D·C·弗里曼
IPC: C23C16/455 , C23C16/04
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/042 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/3141 , H01L21/31616 , H01L51/0004
Abstract: 用于形成图案化薄膜的原子层沉积方法包括：提供基材；在基材上施加沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料是有机化合物或聚合物；和在步骤(b)之后或者在施加沉积抑制剂材料的同时使沉积抑制剂材料形成图案，以提供实际上不含沉积抑制剂材料的基材选定区域。无机薄膜材料基本上只沉积在不含沉积抑制剂材料的基材的选定区域中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101868762A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880116804.0
申请日：2008-11-10
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： L·M·欧文 , D·H·莱维 , D·C·弗里曼 , C·杨 , P·J·考德里-科万
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0754 , G03F7/40
Abstract: 一种用于形成图案化薄膜的原子层沉积工艺，包括提供基材，向基材上施加可光图案化的沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料包括有机硅氧烷化合物；图案化所述沉积抑制剂材料。所述薄膜基本上只沉积在基材上不具有沉积抑制剂材料的选区内。
-
公开(公告)号：CN101868761A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880116812.5
申请日：2008-11-12
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： L·M·欧文 , D·C·弗里曼 , P·J·考德里-科万 , C·杨 , D·H·莱维
CPC classification number: H01L27/1288 , G03F7/0005 , G03F7/2022 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L29/66765 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种形成结构的方法，其包括a)提供透明载体；b)在透明载体的第一侧上形成彩色掩模；c)施加含有对可见光敏感的沉积抑制剂材料的第一层；d)通过用可见光透过彩色掩模对第一层曝光，将第一层图案化以形成第一图案，和将沉积抑制剂材料显影以提供实际上不具有沉积抑制剂材料的第一层的选区；和e)在透明载体上沉积功能材料第二层；其中功能材料第二层基本上只被沉积在透明载体上不具有沉积抑制剂材料的选区内。
-
公开(公告)号：CN101809187B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880109095.3
申请日：2008-09-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： C·杨 , L·M·欧文 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔万 , D·C·弗里曼
IPC: C23C16/04 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/042 , C23C16/45551 , C23C16/545
Abstract: 一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：(a)提供基板；(b)向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制剂材料是有机硅氧烷聚合物；和(c)在步骤(b)后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域。该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的选择区域中。
-
公开(公告)号：CN101809187A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109095.3
申请日：2008-09-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： C·杨 , L·M·欧文 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔万 , D·C·弗里曼
IPC: C23C16/04 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/042 , C23C16/45551 , C23C16/545
Abstract: 一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：(a)提供基板；(b)向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制剂材料是有机硅氧烷聚合物；和(c)在步骤(b)后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域。该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的选择区域中。
-
公开(公告)号：CN101809195B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200880109120.8
申请日：2008-09-16
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： C·杨 , L·M·欧文 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔万 , D·C·弗里曼
IPC: C23C16/455 , C23C16/04
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/042 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/3141 , H01L21/31616 , H01L51/0004
Abstract: 用于形成图案化薄膜的原子层沉积方法包括：提供基材；在基材上施加沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料是有机化合物或聚合物；和在步骤(b)之后或者在施加沉积抑制剂材料的同时使沉积抑制剂材料形成图案，以提供实际上不含沉积抑制机材料的基材选定区域。无机薄膜材料基本上只沉积在不含沉积抑制剂材料的基材的选定区域中。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.02 seconds)
